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불활성의 다공성 고분자막을 제공하는 단계, 상기 다공성 고분자막에서 전극과 직접 접촉하지 않는 부분에는 수소 이온 전도성이 없는 불활성 고분자 수지를 함침시켜 다공성막의 기공을 막는 단계, 필름 또는 미세분말 형태의 퍼플루오로술포닐 할로겐화물을 다공성 고분자막의 전극과 직접 접촉하는 복수개의 부분에 펼쳐놓은 다음, 230 내지 320 ℃의 고온에서 압착시켜 복합 고분자막을 형성하고, 상기 형성된 고분자막에 알칼리 용액, 황산 용액 및 초순수를 순서대로 처리하여 상기의 퍼플루오로술포닐 할로겐화물을 퍼플루오로술폰산으로 전환시킴으로써 상기 다공성 고분자막에서 전극과 직접 접촉하는 복수개의 부분에 수소 이온 전도성 고분자 전해질 수지를 함침시키는 단계, 상기에서 제조된 복합 고분자막을 고온의 황산 용액 및 초순수를 사용하여 순서대로 처리하는 단계 및 제조된 모자이크형 복합 전해질막의 전극과 직접 접촉하는 복수개의 부분 외곽의 불활성 고분자 수지 상에 각각 가스켓 기능을 하는 불활성 고분자 물질로 제조된 돌기를 형성시키는 단계 를 포함하는, 복합 전해질막과 가스켓이 일체형으로 존재하는 모노폴라형 연료 전지용 모자이크형 복합 고분자 전해질막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 다공성 고분자막의 기공도가 30 내지 90%이고, 기공 크기가 0
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제1항 또는 2항에 있어서, 상기 다공성 고분자막이 다공성의 폴리테트라플루오로에틸렌막, 폴리프로필렌막, 폴리에틸렌막, 폴리이미드막, 폴리술폰막, 폴리에테르술폰막 및 폴리비닐리덴 플루오라이드막으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 방법
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제1항에 있어서, 상기의 다공성 고분자막에 불활성 고분자 수지를 함침시키는 단계가 PTFE, PVDF, PE, PP, PET, PI, PS, PES 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 고분자 수지의 필름, 미세분말, 용융액 또는 유기용매에 용해된 용액을 고온 프레스법, 칼렌더링법, 테이프 캐스팅법, 브러싱법, 침지법 또는 분무법에 의해 상기 다공성 고분자막에 함침시킴으로써 수행되는 것인 방법
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제1항에 있어서, 상기 가열 압착이 압력 40 내지 300 kgf/cm2의 조건에서 수행되는 것인 방법
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제1항 또는 4항에 있어서, 불활성 고분자 수지 및 고분자 전해질 수지를 다공성 고분자막의 양쪽에 동시에 또는 순차적으로 함침시킴으로써 복합 전해질막에 핀홀 형성을 방지하거나 복합 고분자막의 감기는 현상을 방지하는 방법
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제1항에 있어서, 함침된 전해질막의 표면에 2 내지 50 ㎛의 두께로 퍼플루오로 술폰산, 퍼플루오로 카르복실산, 폴리스티렌술폰산 및 폴리스티렌카르복실산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 전해질 필름을 고온 프레스법, 분무법, 브러싱법, 침지법, 테이프 캐스팅법 또는 스크린 프린팅법으로 도포하여 핀홀을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 방법
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제1항 또는 10항에 있어서, 제조된 복합 고분자 전해질막의 최종 두께가 20 내지 300 ㎛인 방법
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제1항에 있어서, 가스켓 기능을 하는 돌기가 불활성 고분자 물질인 실리콘 수지, PVDF, PTFE, PP, PE, PET, 바이톤 및 이들의 2종 이상의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 방법
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제1항에 있어서, 상기 일체형 복합막에 형성된 돌기의 높이가 0
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