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전해질막의 표면 처리 방법, 표면 처리된 전해질막 및 이를포함하는 고분자전해질막 연료전지

  • 기술번호 : KST2014051487
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 전해질막의 표면에 이온 빔을 조사하여 전해질막의 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 전해질막의 표면 처리 방법, 이와 같이 표면 처리된 전해질막 및 이를 이용한 고분자전해질막 연료전지를 제공한다. 본 발명에 따르면 이온 전도도, 비친수 특성 및 표면의 화학적 특성 등 전해질막의 다른 성능의 변화없이 전해질막의 표면 거칠기를 정교하게 조절하고 이에 따라 상기 전해질막이 사용되는 연료전지의 성능 향상을 달성할 수 있다.고분자전해질막연료전지, 이온빔표면처리, 거칠기증가, 이온양밀도, 촉매로딩
Int. CL H01M 8/10 (2000.01) H01M 8/02 (2000.01)
CPC H01M 8/1076(2013.01) H01M 8/1076(2013.01) H01M 8/1076(2013.01) H01M 8/1076(2013.01)
출원번호/일자 1020050059467 (2005.07.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0740581-0000 (2007.07.11)
공개번호/일자 10-2007-0003469 (2007.01.05) 문서열기
공고번호/일자 (20070719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조은애 대한민국 서울특별시 중랑구
2 오인환 대한민국 서울특별시 노원구
3 김형준 대한민국 경기 수원시 영통구
4 임태훈 대한민국 서울특별시 송파구
5 남석우 대한민국 서울 동대문구
6 홍성안 대한민국 서울특별시 강남구
7 하흥용 대한민국 서울특별시 노원구
8 윤성필 대한민국 경기도 성남시 분당구
9 한종희 대한민국 서울특별시 강남구
10 이재영 대한민국 인천 부평구
11 함형철 대한민국 강원 춘천시 소양로
12 이상엽 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0359652-32
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0483858-42
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0763277-79
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0859024-19
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0893453-79
6 의견서
Written Opinion		 2006.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0893454-14
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0185869-77
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2007.06.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0021938-77
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0368869-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전해질막의 표면 처리 방법에 있어서, 전해질막의 표면에 이온 빔을 조사하여 전해질막의 표면을 처리하되, 상기 전해질막이 사용되는 셀의 성능 및 촉매 이용율이 저하 없이 증가되도록 이온 빔 조사시, 단위 면적당 조사되는 이온의 양을 이온 빔 에너지가 1keV인 상태에서 1×1016 이온/cm2 이상 5×1016 이온/cm2 이하로 하는 것을 특징으로 하는 전해질막의 표면 처리 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 면적당 조사되는 이온의 양을 이온 빔 에너지가 1keV인 상태에서 5×1016 이온/cm2으로 하는 것을 특징으로 하는 전해질막의 표면 처리 방법
5 5
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 방법은,상기 이온 빔으로서 Ar+ 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 전해질막의 표면 처리 방법
6 6
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 전해질막으로 나피온 막을 사용하는 것을 특징으로 하는 전해질막의 표면 처리 방법
7 7
전해질막에 있어서, 표면이 이온 빔으로 조사 처리된 전해질막으로서, 상기 전해질막이 사용되는 셀의 성능 및 촉매 이용율이 저하 없이 증가되도록 상기 이온 빔의 에너지가 1keV인 상태에서 단위 면적당 조사되는 이온 양을 1×1016 이온/cm2 이상 5×1016 이온/cm2 이하로 한 것을 특징으로 하는 표면 처리된 전해질막
8 8
삭제
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 전해질막은, 상기 이온 빔의 에너지가 1keV인 상태에서 단위 면적당 조사되는 이온 양이 5×1016 이온/cm2인 것을 특징으로 하는 표면 처리된 전해질막
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 전해질막은,상기 이온 빔이 Ar+ 빔인 것을 특징으로 하는 표면 처리된 전해질막
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 전해질막은, 상기 전해질막이 나피온 막인 것 특징으로 하는 표면 처리된 전해질막
12 12
고분자전해질막 연료전지에 있어서, 제 7 항 또는 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 의한 표면 처리된 전해질막을 구비하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질막 연료전지
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 고분자전해질막 연료전지는 상기 전해질막에 대한 촉매 로딩양이 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.