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자성 박막을 마스크로 패터닝하여 마스킹하는 단계 (단계 1); 알칸계 가스 40 내지 80 부피%, 불활성 가스 15 내지 50 부피% 및 산소 가스 5 내지 10 부피%의 조성인 혼합가스를 플라즈마화하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 생성된 플라즈마를 이용하여 단계 1에서 마스킹된 자성박막을 식각하는 단계(단계 3)를 포함하되,상기 플라즈마화는 1 ~ 5 mTorr 범위의 압력으로 혼합가스를 주입하고, 700 ~ 1500 W의 코일 고주파 전력, DC 바이어스 전압 300 ~ 500 V를 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자성박막의 식각방법
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자성 박막을 마스크로 패터닝하여 마스킹하는 단계 (단계 a); 알칸계 가스 20 내지 80 부피%, 불활성 가스 15 내지 65 부피% 및 산소 가스 5 내지 15 부피%의 조성인 혼합가스를 플라즈마화하는 단계(단계 b); 및상기 단계 b에서 생성된 플라즈마를 이용하여 단계 a에서 마스킹된 자성박막을 식각하는 단계(단계 c)를 포함하되,상기 플라즈마화는 1 ~ 5 mTorr 범위의 압력으로 혼합가스를 주입하고, 700 ~ 1500 W의 코일 고주파 전력, DC 바이어스 전압 300 ~ 500 V를 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자성박막의 식각방법
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제1항에 있어서, 상기 자성박막은 CoFe, CoFeB, CoFeSiB, CoFeTb, CoZrB, CoZrTb, CoPt, NiFeCo, NiFeCr 및 NiFe로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 자성박막의 식각방법
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4
제2항에 있어서, 상기 자성박막은 IrMn, PtMn, CoPd, FePt, FeZr, FeMn 및 FePd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 자성박막의 식각방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알칸계 가스는 CH4, C2H6 및 C3H8로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 자성박막의 식각방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 혼합가스의 플라즈마화는 유도결합플라즈마 반응성 이온식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온식각법, 자기증강반응성 이온식각법 및 반응성 이온 식각법으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 자성박막의 식각방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불활성 가스는 He, Ne, Ar 및 N2 가스로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 자성박박의 식각방법
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