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용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법에 있어서,기판을 회전시키면서, 기판상에 금속소스 함유용액을 떨어뜨리는 용액공정을 반복하여 복수의 박막이 형성되어, 우선방향성을 가진 금속산화물 버퍼층이 형성되는 S1 단계; 상기 버퍼층을 어닐링(thermal annealing)하면서 결정화되는 S2 단계;S2 단계를 거친 기판을 회전시키면서, 상기 회전되는 기판의 버퍼층 상에 금속소스 함유 용액을 떨어뜨리는 용액공정으로 금속산화물 박막층이 형성되는 S3 단계; 및 S2 단계에서 형성된 버퍼층과 S3 단계에서 형성된 박막층이 어닐링에 의해 결정화되는 S4 단계를 포함하며,S3 단계는 코팅과 건조가 1회 이상 반복되는 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S1 단계에 사용되는 기판은 육방격자(Hexagonal) 구조 또는 능면체(Rhombohedral) 구조를 가지면서 버퍼층을 이루는 물질과의 격자상수 차이가 1Å 이하인 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제2항에 있어서,상기 기판은 Si, SiO2, ITO, 사파이어, 글래스, GaN 및 YSG로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S1 단계의 금속소스 함유 용액에 포함된 금속 원소는 In, Al, Ga, Zn 및 Sn으로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S1 단계의 금속산화물 버퍼층은 ZnO, In-ZnO 및 Ga-ZnO로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로서 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서, S1 단계의 경우, 기판 위에 한 층을 스핀코팅한 후 건조시키고, 그 위에 다시 한 층을 스핀코팅하는 것을 복수회 반복하여 버퍼층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S1 단계에서 기판 회전속도는 1,000rpm ~ 6,000rpm인 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S1 단계의 건조는 200℃ ~ 300℃ 수행되는 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S2 단계의 결정화(crystallization)는 800℃ ~ 1000℃에서 2시간 동안 어닐링되면서 이루어지는 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 버퍼층의 두께는 100nm를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S3 단계의 금속소스 함유 용액에 포함된 금속 원소는 In, Al, Ga, Zn 및 Sn으로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S3 단계에서 기판 회전속도는 1,000rpm ~ 6,000rpm인 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제13항에 있어서,S3 단계의 건조온도는 200℃ ~ 300℃ 이고, 건조시간은 10분 ~ 30분인 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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제1항에 있어서,S4 단계의 결정화(crystallization)는 800℃ ~ 1000℃에서 3~9시간 동안 어닐링되면서 이루어지는 것을 특징으로 하는 용액공정에 의한 열전소자의 나노입자형태 초격자 박막 성장방법
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