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광소자의 제조방법에 있어서,n형 도핑층, 활성층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 발광부를 제외한 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계; 및홀로그램 리소그라피 공정을 이용하여, 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 200nm 내지 400nm의 광파장 이하의 주기를 갖고, 기판의 표면으로부터 상측의 공기층으로 갈수록 횡단면적이 좁아지면서 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 격자패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 격자패턴이 집적된 광소자의 제조방법
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광소자의 제조방법에 있어서,n형 도핑층, 활성층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 홀로그램 리소그라피 공정을 이용하여, 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 200nm 내지 400nm의 광파장 이하의 주기를 갖고, 기판의 표면으로부터 상측의 공기층으로 갈수록 횡단면적이 좁아지면서 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 격자패턴을 형성하는 단계; 및상기 무반사 격자패턴을 포함한 p형 도핑층의 전면에 투명전극을 적층한 후, 상기 투명전극의 발광부를 제외한 상면에 접촉패드를 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 격자패턴이 집적된 광소자의 제조방법
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광소자의 제조방법에 있어서,하부 전지층, 중간 전지층 및 상부 전지층을 순차적으로 적층한 후, 상기 상부 전지층의 일측 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 하부 전지층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계; 및홀로그램 리소그라피 공정을 이용하여, 상기 p형 상부전극 영역을 제외한 상부 전지층의 상면에 200nm 내지 400nm의 광파장 이하의 주기를 갖고, 기판의 표면으로부터 상측의 공기층으로 갈수록 횡단면적이 좁아지면서 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 격자패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 격자패턴이 집적된 광소자의 제조방법
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제3 항에 있어서,상기 하부 전지층과 중간 전지층 사이 및 상기 중간 전지층과 상부 전지층의 사이는 각각 제1 및 제2 터널 접합층을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 무반사 격자패턴이 집적된 광소자의 제조방법
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제4 항에 있어서,상기 제1 터널 접합층과 중간 전지층 사이에 버퍼층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 무반사 격자패턴이 집적된 광소자의 제조방법
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광소자의 제조방법에 있어서,n형 도핑층, 광 흡수층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 광 흡수부를 제외한 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계; 및홀로그램 리소그라피 공정을 이용하여, 상기 p형 도핑층의 광 흡수부 상면에 200nm 내지 400nm의 광파장 이하의 주기를 갖고, 기판의 표면으로부터 상측의 공기층으로 갈수록 횡단면적이 좁아지면서 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 격자패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 격자패턴이 집적된 광소자의 제조방법
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