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화합물 반도체의 선택적 식각을 이용한 마이크로렌즈 및 마이크로렌즈가 집적된 광전소자 제조 방법
- 기술번호 : KST2014002902
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 화합물 반도체를 선택적으로 제거하여 형성하는 마이크로렌즈의 제조 및 마이크로렌즈가 집적된 광전소자를 제조하는 방법이 개시된다. 마이크로렌즈를 형성하기 위해 화합물 반도체는 패터닝되고, 측면 부위는 제거되어 대략 반구형의 렌즈로 형성된다. 화합물 반도체의 측면 부위의 제거를 위해 디지털 합금 방법이 사용된다. 특히, 습식식각을 이용하여 화합물 반도체의 측면부위는 제거된다.화합물 반도체, 마이크로렌즈, 디지털 합금 |
|---|---|
| Int. CL | G02B 3/00 (2006.01) |
| CPC | G02B 3/0037(2013.01) G02B 3/0037(2013.01) G02B 3/0037(2013.01) G02B 3/0037(2013.01) G02B 3/0037(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070099296 (2007.10.02) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0873780-0000 (2008.12.05) |
| 공개번호/일자 | 10-2007-0102466 (2007.10.18) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20081215) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | 10-2005-0114145 (2005.11.28) |
| 관련 출원번호 | 1020050114145 |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.10.02) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장기수 | 대한민국 | 광주 북구 |
| 2 | 이용탁 | 대한민국 | 광주 북구 |
| 3 | 카말 알라메 | 오스트레일리아 | 광주 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 와이텔포토닉스 | 전라남도 장성군 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2007.10.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0710534-12 |
| 2 | 분할출원불인정예고통지서 Preliminary Notice of Disapproval of Divisional Application |
2007.12.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0688073-50 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0127846-77 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.02.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0127849-14 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0336390-42 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.08.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0599555-88 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2008.08.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0599533-84 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.08.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0599547-12 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0596079-88 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 알루미늄을 함유하는 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 화합물 반도체층을 식각하여 화합물 반도체층 패턴을 형성하는 단계; 및상기 화합물 반도체층 패턴의 측면을 부분 제거하여 렌즈층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 화합물 반도체층은 디지털 합금 방법을 사용하여 상기 알루미늄이 함유된 반응층과 상기 알루미늄이 배제된 화합물 반도체로 구성된 반도체층으로 이루어지며, 상기 반응층의 두께는 화합물 반도체층의 상부로 갈수록 증가하는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 상기 반응층과 상기 반도체층이 반복적으로 적층된 구조이며, 상부로 갈수록 상기 반응층의 두께는 증가하는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 에피텍셜 성장에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 4 |
4 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체층을 형성하는 단계 이후에, 상기 화합물 반도체층 상부에 마스킹층을 형성하고, 상기 마스킹층은 상기 화합물 반도체층에 대한 식각 선택비를 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 5 |
5 제4항에 있어서, 상기 마스킹층은 에피텍셜 성장에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 6 |
6 제5항에 있어서, 상기 렌즈층을 형성하는 단계 이후에 상기 렌즈층 상에 잔류하는 마스킹층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 7 |
7 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체층 패턴의 부분 제거는 습식식각에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 제7항에 있어서, 상기 반응층은 AlGaAs, InGaAlAs 또는 InGaAlN이고, 상기 반도체층은 GaAs, InGaAs 또는 InGaN인 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 10 |
10 제9항에 있어서, 상기 습식식각은 BOE를 에천트로 사용하는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 11 |
11 기판 상에 알루미늄이 함유된 반응층 및 상기 알루미늄이 배제된 반도체층을 에피텍셜 성장시켜서 상기 반도체층 및 두께가 상부로 갈수록 두꺼운 상기 반응층이 반복적으로 형성된 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 화합물 반도체층 상에 상기 화합물 반도체층의 상부표면을 보호하기 위한 마스킹층을 형성하는 단계;상기 화합물 반도체층 및 마스킹층을 선택적으로 식각하여 화합물 반도체층 패턴 및 마스킹층 패턴을 형성하는 단계; 상기 화합물 반도체층 패턴을 측면 식각하여 상기 반응층의 두께가 두꺼운 상부는 두께가 낮은 하부에 비해 높은 식각률로 식각하고, 상기 반응층의 두께가 낮은 하부는 두께가 높은 상부에 비해 낮은 식각률로 식각하여 렌즈층을 형성하는 단계; 및상기 렌즈층 상부에 잔류하는 상기 마스킹층 패턴을 제거하여 상기 렌즈층을 외부에 노출시키는 단계를 포함하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 제11항에 있어서, 상기 화합물 반도체층 패턴의 측면 식각은 습식 식각을 이용하고, 에천트로 BOE를 이용하는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 14 |
14 제11항에 있어서, 상기 반응층은 AlGaAs, InGaAlAs 또는 InGaAlN인 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 15 |
15 제11항에 있어서, 상기 마스킹층을 형성하는 단계는 상기 화합물 반도체층을 형성하는 단계와 인시츄로 진행하고, 에피텍셜 성장에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 형성 방법 |
| 16 |
16 기판; 및상기 기판 상에 형성된 렌즈층을 포함하고,상기 렌즈층은 디지털 합금 방법을 사용하여 알루미늄이 함유된 반응층과 상기 알루미늄이 배제된 반도체층으로 이루어지며, 상기 반응층의 두께는 상부로 갈수록 증가하는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 |
| 17 |
17 제16항에 있어서, 상기 반응층은 AlGaAs, InGaAlAs 또는 InGaAlN인 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 |
| 18 |
18 제17항에 있어서, 상기 렌즈층은 기판 상에 상기 반응층과 상기 반도체로 구성된 화합물 반도체층에 대해 BOE를 에천트로 이용하는 습식식각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 |
| 19 |
19 제18항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 에피텍셜 성장에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로렌즈 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0873780-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20071002 출원 번호 : 1020070099296 공고 연월일 : 20081215 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20081126 청구범위의 항수 : 17 유별 : G02B 3/00 발명의 명칭 : 화합물 반도체의 선택적 식각을 이용한 마이크로렌즈 및마이크로렌즈가 집적된 광전소자 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20191206 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주 북구... |
| 2 |
(권리자) 주식회사 와이텔포토닉스 전라남도 장성군... |
| 2 |
(의무자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 415,500 원 | 2008년 12월 05일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2011년 11월 22일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2012년 10월 17일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2013년 11월 07일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2014년 11월 05일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2015년 11월 03일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 522,200 원 | 2016년 11월 08일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,175,000 원 | 2017년 10월 23일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 587,500 원 | 2018년 10월 23일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 | 2007.10.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0710534-12 |
| 2 | 분할출원불인정예고통지서 | 2007.12.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0688073-50 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0127846-77 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.02.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0127849-14 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2008.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0336390-42 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.08.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0599555-88 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2008.08.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0599533-84 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.08.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0599547-12 |
| 9 | 등록결정서 | 2008.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0596079-88 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 기술번호 | KST2014002902 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 광주과학기술원 |
| 기술명 | 화합물 반도체의 선택적 식각을 이용한 마이크로렌즈 및 마이크로렌즈가 집적된 광전소자 제조 방법 |
| 기술개요 |
화합물 반도체를 선택적으로 제거하여 형성하는 마이크로렌즈의 제조 및 마이크로렌즈가 집적된 광전소자를 제조하는 방법이 개시된다. 마이크로렌즈를 형성하기 위해 화합물 반도체는 패터닝되고, 측면 부위는 제거되어 대략 반구형의 렌즈로 형성된다. 화합물 반도체의 측면 부위의 제거를 위해 디지털 합금 방법이 사용된다. 특히, 습식식각을 이용하여 화합물 반도체의 측면부위는 제거된다.화합물 반도체, 마이크로렌즈, 디지털 합금 |
| 개발상태 | 특허만신청(등록) |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | - |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1355052282 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1345084801 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-10 |
| 연구과제명 | 포토닉스융합기술개발및고급인력양성 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200701~201712 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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