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화합물 반도체로 구성된 제1 장벽층;상기 제1 장벽층 상에 형성되고, 상기 제1 장벽층보다 좁은 밴드갭을 가지는 우물층; 및상기 우물층 상에 형성되고, 상기 우물층과의 원자들 사이의 인터믹싱을 통해 상기 우물층의 밴드갭의 편이를 유도하기 위한 제2 장벽층을 포함하고,상기 인터믹싱을 통해 상기 제2 장벽층에서 압축응력에 따른 변형력에 의해 상기 제2 장벽층을 구성하는 원자가 상기 우물층으로 이동하거나, 상기 우물층의 원자가 상기 제2 장벽층으로 이동하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조
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제1항에 있어서, 상기 우물층은 하나의 층에 적어도 2개의 상이한 밴드갭을 가지는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조
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제1항에 있어서, 상기 제2 장벽층의 상부에는 상기 제2 장벽층보다 작은 열팽창 계수를 가지는 유전박막층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조
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제4항에 있어서, 상기 유전박막층은 제1 두께 및 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께의 단차를 가지는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조
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제5항에 있어서, 상기 우물층은 상기 제1 두께 하부의 제1 영역 및 상기 제2 두께 하부의 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역에 비해 더 넓은 밴드갭을 가지는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조
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제1 장벽층을 형성하는 단계;상기 제1 장벽층 상에 상기 제1 장벽층보다 좁은 밴드갭을 가지는 우물층을 형성하는 단계;상기 우물층 상에 상기 우물층보다 넓은 밴드갭을 가지는 제2 장벽층을 형성하는 단계; 및상기 제2 장벽층에 압축응력을 인가하여 상기 우물층의 밴드갭을 증가시키는 단계를 포함하는 양자우물 구조의 형성방법
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제7항에 있어서, 상기 우물층의 밴드갭을 증가시키는 단계는,상기 제2 장벽층 상에 상기 제2 장벽층보다 낮은 열팽창 계수를 가지는 유전박막층을 형성하는 단계; 및상기 유전박막층이 형성된 상기 양자우물 구조에 열 에너지를 인가하여 상기 제2 장벽층에 압축응력을 인가하고, 상기 압축응력에 따라 상기 제2 장벽층과 상기 우물층의 원자의 이동인 인터믹싱을 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 열 에너지의 인가는 급속 열처리에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 유전박막층을 형성하는 단계는, 제1 두께 및 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 양자우물 구조의 형성방법
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