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강자성을 띤 산화아연 박막을 제작하는 방법에 있어서,진공 챔버에서 단결정 기판에 산화아연을 증착시켜 상기 단결정 기판 위에 소정 두께로 산화아연 박막을 형성하는 1단계;상기 단결정 기판 위에 형성된 산화아연 박막에 이온 주입기를 사용하여 전이금속 이온을 소정의 이온선량으로 주입하는 2단계;상기 전이금속 이온이 주입된 산화아연 박막에 이온 가속기를 사용하여 상온에서 중이온을 소정의 이온선량으로 조사하는 3단계를 포함하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 단결정 기판은 (0001) 형태의 기판인 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 1 단계에서 형성된 산화아연 박막은 x-ray 오메가 록킹법에 의해 측정된 ZnO (0002) 회절 피크의 반폭치 값이 86 내지 92 arcsec 인 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 1단계에서 형성된 산화아연 박막은 전자농도가 인 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 1단계에서 형성된 산화아연 박막은 전기이동도가 103 내지 105 ㎠/Vs 인 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 2단계에서 주입되는 전이금속 이온은 코발트 이온인 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 6에 있어서,상기 코발트 이온은 80 keV의 에너지로 주입되는 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 6에 있어서,상기 코발트 이온의 주입 이온선량은 내지 ions/㎠ 의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 2단계에서 단결정 기판의 온도를 300 ℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 3단계에서 이온 가속기의 가속 전압은 상기 조사되는 중이온의 평균 주입 깊이가 상기 형성된 산화아연 박막의 두께보다 크게 하는 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 3단계에서 조사되는 중이온은 은 이온인 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 11에 있어서,상기 은 이온은 200 MeV 의 에너지로 조사되는 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 11에 있어서,상기 은 이온은 15가의 이온인 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 11에 있어서,상기 은 이온의 조사 이온선량은 ions/㎠ 인 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 3단계에서 조사되는 중이온은 수백 MeV의 에너지를 가진 것을 특징으로 하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법
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