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산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치
- 기술번호 : KST2015002038
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여 게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물 반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120006730 (2012.01.20) |
| 출원인 | 경희대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1308809-0000 (2013.09.09) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0085721 (2013.07.30) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130913) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.01.20) |
| 심사청구항수 | 26 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 경희대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장진 | 대한민국 | 서울 동대문구 |
| 2 | 말로리 마티브 웬가 | 짐바브웨 | 서울 동대문구 |
| 3 | 강동한 | 대한민국 | 서울 동대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최관락 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소) |
| 2 | 송인호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소) |
| 3 | 민영준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 경희대학교 산학협력단 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0055937-39 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.12.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.01.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0002102-01 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2013.01.16 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2013-0044539-58 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.01.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0031156-17 |
| 6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2013.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0046325-31 |
| 7 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.01.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0007522-64 |
| 8 | [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2013.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0070972-69 |
| 9 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2013.02.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0013774-48 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.03.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0229146-57 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0329846-11 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0434384-60 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0434379-31 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.09.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0627520-02 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5029677-09 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164254-26 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여 게이트 전극을 형성하는 제1 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물 반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착 후 상기 에치 스토퍼를 패터닝하는 제2 단계;상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계;상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되,상기 산화물 반도체의 두께는 3nm 미만이고 0을 포함하지 않는 것을 특징하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 제2 단계는,상기 산화물 반도체 및 상기 에치 스토퍼 상에 제2 산화물 반도체를 증착하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 4 |
4 제1항에 있어서,상기 제1 단계 이전에,상기 기판 상에 실리콘 산화 보호막을 증착하는 단계를 더 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 5 |
5 제1항에 있어서,상기 산화물 반도체는,인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드 (HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드 (ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드 (AZTO) 중 어느 하나를 포함하여 형성된 비정질 혹은 다결정질로 구성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 6 |
6 제1항에 있어서,상기 게이트 절연막 및 상기 보호층은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 7 |
7 제1항에 있어서,상기 기판은,유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판 또는 상기 유리 기판 상에 폴리머 물질이 형성되어 구성되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은,몰리브덴(Mo) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 포함하여 구성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 8 |
8 기판상에 버퍼층, 산화물 반도체, 게이트 절연막 및 게이트 층을 순차적으로 증착하는 제1 단계;상기 게이트 층을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 제2 단계;상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계;상기 산화물 반도체 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제4 단계;상기 컨택 홀 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제5 단계;를 포함하되,상기 산화물 반도체의 두께는 3nm 미만이고 0을 포함하지 않는 것을 특징하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 제8항에 있어서,상기 제1 단계 이전에,상기 기판 상에 실리콘 산화 보호막을 증착하는 단계를 더 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 11 |
11 제8항에 있어서,상기 보호층은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 12 |
12 제8항에 있어서,상기 기판은,유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판 또는 상기 유리 기판 상에 폴리머 물질이 형성되어 구성되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은,몰리브덴(Mo) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 포함하여 구성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 13 |
13 기판상에 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하고 패터닝 하는 제1 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 산화물 반도체, 게이트 절연막 및 게이트 층을 증착하는 제2 단계;상기 게이트 절연막 및 게이트 층을 패터닝하는 제3 단계;상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제4 단계;상기 패터닝한 게이트 절연막 및 산화물 반도체 상에 보호층을 증착하여 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되,상기 산화물 반도체의 두께는 3nm 미만이고 0을 포함하지 않는 것을 특징하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 14 |
14 삭제 |
| 15 |
15 제13항에 있어서,상기 제1 단계 이전에,상기 기판 상에 실리콘 산화 보호막을 증착하는 단계를 더 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 16 |
16 제13항에 있어서,상기 보호층은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 17 |
17 제13항에 있어서,상기 기판은,유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판 또는 상기 유리 기판 상에 폴리머 물질이 형성되어 구성되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은,몰리브덴(Mo) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 포함하여 구성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 18 |
18 기판상에 버퍼층 및 산화물 반도체를 증착하고 패터닝 하는 제1 단계;상기 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하여 패터닝 하는 제2 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 게이트 절연막 및 게이트 층을 증착하고 상기 게이트 층을 패터닝하여 게이트 패턴을 형성하는 제3 단계;상기 게이트 패턴 상에 보호층을 형성하고 패터닝하는 제4 단계;를 포함하되,상기 산화물 반도체의 두께는 3nm 미만이고 0을 포함하지 않는 것을 특징하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 제18항에 있어서,상기 제1 단계 이전에,상기 기판 상에 실리콘 산화 보호막을 증착하는 단계를 더 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 21 |
21 제18항에 있어서,상기 보호층은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 22 |
22 제18항에 있어서,상기 기판은,유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판 또는 상기 유리 기판 상에 폴리머 물질이 형성되어 구성되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은,몰리브덴(Mo) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 포함하여 구성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 23 |
23 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여 게이트 전극을 형성하는 제1 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막 및 산화물 반도체를 증착하는 제2 단계;상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계;상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되,상기 산화물 반도체의 두께는 3nm 미만이고 0을 포함하지 않는 것을 특징하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 24 |
24 삭제 |
| 25 |
25 제23항에 있어서,상기 제1 단계 이전에,상기 기판 상에 실리콘 산화 보호막을 증착하는 단계를 더 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 26 |
26 제23항에 있어서,상기 보호층은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 27 |
27 제23항에 있어서,상기 기판은,유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판 또는 상기 유리 기판 상에 폴리머 물질이 형성되어 구성되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은,몰리브덴(Mo) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 포함하여 구성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 28 |
28 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여 게이트 전극을 형성하는 제1 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 제2 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 패터닝하는 제3 단계;상기 패터닝된 소스 전극 및 드레인 전극상에 산화물 반도체를 증착하고 패터닝하는 제4 단계;상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되,상기 산화물 반도체의 두께는 3nm 미만이고 0을 포함하지 않는 것을 특징하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 29 |
29 삭제 |
| 30 |
30 제28항에 있어서,상기 제1 단계 이전에,상기 기판 상에 실리콘 산화 보호막을 증착하는 단계를 더 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 31 |
31 제28항에 있어서,상기 보호층은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 32 |
32 제28항에 있어서,상기 기판은,유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판 또는 상기 유리 기판 상에 폴리머 물질이 형성되어 구성되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은,몰리브덴(Mo) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 포함하여 구성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 33 |
33 삭제 |
| 34 |
34 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN104272462 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | US20140327001 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2013109071 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN104272462 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US2014327001 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | WO2013109071 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 서울대학교 산학협력단 | 산업원천기술개발사업 | 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1308809-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120120 출원 번호 : 1020120006730 공고 연월일 : 20130913 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130905 청구범위의 항수 : 26 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 529,500 원 | 2013년 09월 09일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 428,400 원 | 2016년 08월 09일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 428,400 원 | 2017년 06월 27일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 306,000 원 | 2018년 07월 02일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 544,000 원 | 2019년 08월 02일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 544,000 원 | 2020년 09월 01일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0055937-39 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.12.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2013.01.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0002102-01 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2013.01.16 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2013-0044539-58 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2013.01.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0031156-17 |
| 6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2013.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0046325-31 |
| 7 | 보정요구서 | 2013.01.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0007522-64 |
| 8 | [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0070972-69 |
| 9 | 무효처분통지서 | 2013.02.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0013774-48 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.03.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0229146-57 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0329846-11 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0434384-60 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0434379-31 |
| 14 | 등록결정서 | 2013.09.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0627520-02 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5029677-09 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164254-26 |
| 기술번호 | KST2015002038 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 경희대학교 국제캠퍼스 |
| 기술명 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치 |
| 기술개요 |
본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여 게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물 반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 박막 트랜지스터 제조 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415121976 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035225 |
| 연구과제명 | 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415121976 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035225 |
| 연구과제명 | 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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중요키워드
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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