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기판 상에 탄소나노튜브를 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브가 형성된 기판 전면 상에 물질층을 형성하는 단계; 및상기 탄소나노튜브 이외의 부분에만 물질층이 남도록 탄소나노튜브를 제거하는 단계를 포함하는 나노 채널의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 형성 단계는 상기 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키거나 도포하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 채널의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 무작위(Random netwrok) 또는 정렬(alinged) 패턴이며, 선폭은 0
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제1항에 있어서,상기 물질층은 실리콘, 게르마늄, 니켈, 철, 코발트, 알루미늄, 팔라듐, 금, 은, 구리, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 마그네슘 산화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 타니타늄 산화물, 망간 산화물, 텅스텐 산화물 및 마그네슘 불화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 그 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 채널의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 물질층 형성 단계는 원자층 증착(Atomic layer depostion), 열증착(Thermal evaporation), 전자빔 증착(E-beam evaporation) 및 화학기상 증착(Chemical vapor deposition)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방법에 의해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 채널의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 나노 채널은 선폭이 0
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제1항에 의하여 제조되는 나노 채널이 형성된 기판 상에 나노 물질을 형성하는 단계; 및상기 나노 물질이 형성된 기판 상의 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 나노 물질은 실리콘, 게르마늄, 아세나이드, 탄소, 니켈, 철, 코발트, 알루미늄, 팔라듐, 금, 은, 구리, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 마그네슘 산화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 타니타늄 산화물, 망간 산화물, 텅스텐 산화물 및 마그네슘 불화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 그 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 나노 물질을 형성하는 단계는 원자층 증착(Atomic layer depostion), 열증착(Thermal evaporation), 전자빔 증착(E-beam evaporation), 및 화학기상 증착(Chemical vapor deposition)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방법에 의해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 물질층을 제거하는 단계는 에천트(Etchant)를 사용하여 들어올리는 방법에 의해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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제7항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 의하여 제조되는 나노 구조물
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제11항에 있어서,상기 나노 구조물은 선폭이 0
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제11항에 따른 나노 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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