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다층 터널 배리어 선택소자를 이용한 저항 스위칭 메모리 소자 제조
- 기술번호 : KST2015013000
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명에 따라서 기판 상에 형성되는 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성되어 저항 스위칭 특성을 나타내는 금속 산화물 층과; 상기 금속 산화물 층 상에 형성되어, 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 상부 전극 및 선택 소자의 하부 전극 역할을 수행하는 전극층과; 상기 전극층 상에 형성되는 다층 구조의 선택 소자와; 상기 선택 소자 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고, 상기 선택 소자의 다층 구조는 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖는 복수의 층으로 구성되며, 이 경우 상기 전극층에 인접하는 최하층과 상기 상부 전극에 인접하는 최상층은 그 최하층과 최상층 사이에 형성되는 중앙층보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 동일 종류의 산화막으로 형성되고, 상기 중앙층은 상기 복수의 층 가장 큰 밴드갭 에너지를 갖는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자가 제공된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120150533 (2012.12.21) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1471971-0000 (2014.12.05) |
| 공개번호/일자 | 10-2014-0081135 (2014.07.01) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20141211) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.12.21) |
| 심사청구항수 | 6 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 손현철 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 2 | 고대홍 | 대한민국 | 경기 고양시 일산서구 |
| 3 | 김종기 | 대한민국 | 서울 은평구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김승욱 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소) |
| 2 | 이채형 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소 |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1063753-02 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.07.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.08.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0063395-13 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0120473-86 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.03.25 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2014-0283557-09 |
| 8 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2014.04.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0060535-79 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0360439-59 |
| 10 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2014.05.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0077460-30 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.05.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0464149-29 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.06.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0566396-59 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.07.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0674753-12 |
| 14 | 지정기간연장관련안내서 Notification for Extension of Designated Period |
2014.07.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0120787-53 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.08.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0775491-35 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.08.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0775506-32 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 18 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.12.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0831681-53 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 삭제 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 기판 상에 형성되는 하부 전극과;상기 하부 전극 상에 형성되어 저항 스위칭 특성을 나타내는 금속 산화물 층과;상기 금속 산화물 층 상에 형성되어, 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 상부 전극 및 선택 소자의 하부 전극 역할을 수행하는 전극층과;상기 전극층 상에 형성되는 다층 구조의 선택 소자와;상기 다층 구조의 선택 소자 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고,상기 다층 구조의 선택 소자는 5개의 층으로 이루어지는 다층 구조로 형성되고, 이 경우 다층 구조는 상기 전극층 상에 인접하고 제1 밴드갭 에너지의 산화막으로 이루어지는 최하층/제1 밴드갭 에너지보다 높은 제2 밴드갭 에너지의 산화막으로 이루어지는 중앙층/상기 상부 전극에 인접하고 상기 최하층과 동일 종류의 산화막으로 이루어지는 최상층을 포함하고, 상기 중앙층과 최하층 사이 및 상기 중앙층과 최상층 사이에 상기 최하층 및 최상층의 산화막보다 높은 밴드갭 에너지를 갖지만 상기 중앙층의 산화막보다 낮은 밴드갭 에너지인 제3 밴드갭 에너지를 갖는 산화막으로 이루어지는 삽입층이 각각 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 청구항 3에 있어서, 상기 최하층 및 최상층의 산화막은 TiO2, Ta2O5 또는 Nb2O5로 구성되고, 상기 중앙층의 산화막은 Al2O3로 구성되며, 상기 삽입층은 ZrO2, HfO2, SiO2 또는 MgO로 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자 |
| 6 |
6 청구항 3 또는 청구항 5에 있어서, 상기 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자는 크로스 포인트 ReRAM 소자 구조에 적용되어, 잠입 전류(sneak current)를 감소시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 제조 방법으로서,기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 저항 스위칭 특성을 나타내는 금속 산화물 층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물 층 상에 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 상부 전극 및 선택 소자의 하부 전극 역할을 수행하는 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 상에 다층 구조의 선택 소자를 형성하는 단계;상기 다층 구조의 선택 소자 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 다층 구조의 선택 소자는 5개의 층으로 이루어지는 다층 구조로 형성되고, 이 경우 다층 구조는 상기 전극층 상에 인접하고 제1 밴드갭 에너지의 산화막으로 이루어지는 최하층/제1 밴드갭 에너지보다 높은 제2 밴드갭 에너지의 산화막으로 이루어지는 중앙층/상기 상부 전극에 인접하고 상기 최하층과 동일 종류의 산화막으로 이루어지는 최상층을 포함하고, 상기 중앙층과 최하층 사이 및 상기 중앙층과 최상층 사이에 상기 최하층 및 최상층의 산화막보다 높은 밴드갭 에너지를 갖지만 상기 중앙층의 산화막보다 낮은 밴드갭 에너지인 제3 밴드갭 에너지를 갖는 산화막으로 이루어지는 삽입층을 각각 개재하여 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 제조 방법 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 청구항 9에 있어서, 상기 최하층 및 최상층의 산화막은 TiO2, Ta2O5 또는 Nb2O5로 구성되고, 상기 중앙층의 산화막은 Al2O3로 구성되며, 상기 삽입층은 ZrO2, HfO2, SiO2 또는 MgO로 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 제조 방법 |
| 12 |
12 청구항 9 또는 청구항 11에 있어서, 상기 금속 산화물 층을 형성하는 단계 및 상기 전극층을 형성하는 단계 사이에, 산소 분압을 이용하여 저항을 높게 만들어 스위칭 동작시 작동 전류를 낮추는 역할을 하는 활성층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 연세대학교 산학협력단 | 산업원천기술개발 | (주)하이닉스반도체/테라비트급 3차원 ReRAM 원천기술개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1471971-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20121221 출원 번호 : 1020120150533 공고 연월일 : 20141211 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141203 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 다층 터널 배리어 선택 소자를 이용한 비선형 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 139,500 원 | 2014년 12월 08일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2017년 11월 29일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 86,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 86,000 원 | 2019년 12월 03일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1063753-02 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.07.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2013.08.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0063395-13 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2014.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0120473-86 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.03.25 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2014-0283557-09 |
| 8 | 서류반려이유통지서 | 2014.04.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0060535-79 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0360439-59 |
| 10 | 서류반려통지서 | 2014.05.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0077460-30 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.05.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0464149-29 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.06.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0566396-59 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.07.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0674753-12 |
| 14 | 지정기간연장관련안내서 | 2014.07.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0120787-53 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.08.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0775491-35 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.08.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0775506-32 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 18 | 등록결정서 | 2014.12.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0831681-53 |
| 기술번호 | KST2015013000 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 연세대학교 |
| 기술명 | 다층 터널 배리어 선택소자를 이용한 저항 스위칭 메모리 소자 제조 |
| 기술개요 |
본 발명에 따라서 기판 상에 형성되는 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성되어 저항 스위칭 특성을 나타내는 금속 산화물 층과; 상기 금속 산화물 층 상에 형성되어, 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 상부 전극 및 선택 소자의 하부 전극 역할을 수행하는 전극층과; 상기 전극층 상에 형성되는 다층 구조의 선택 소자와; 상기 선택 소자 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고, 상기 선택 소자의 다층 구조는 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖는 복수의 층으로 구성되며, 이 경우 상기 전극층에 인접하는 최하층과 상기 상부 전극에 인접하는 최상층은 그 최하층과 최상층 사이에 형성되는 중앙층보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 동일 종류의 산화막으로 형성되고, 상기 중앙층은 상기 복수의 층 가장 큰 밴드갭 에너지를 갖는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자가 제공된다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 메모리/기타 메모리/기타 메모리 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415122090 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10039191 |
| 연구과제명 | 테라비트급 3차원 ReRAM 원천기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업평가원 |
| 연구주관기관명 | (주)하이닉스반도체 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201105~201602 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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