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비휘발성 저항변화 스위치 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174662
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 저항변화 스위치 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 비휘발성 저항변화 스위치 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극층, 상기 하부 전극층 상에 형성되고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태변화를 가지는 Ge2Sb2Te5(GST) 또는 질소가 도핑된 Ge2Sb2Te5(N-GST) 저항변화층 및 상기 GST 또는 N-GST 저항변화층 상에 형성된 상부 전극층을 포함하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자를 포함한다. 따라서, GST 물질을 저항변화층으로 하여 낮은 동작전압 및 빠른 스위치가 가능한 메모리 소자를 구현할 수 있다. 또한, GST 물질에 질소를 도핑한 물질(N-GST)을 저항변화층으로 사용함으로써, 적절한 동작전압 및 높은 저항비의 특성을 갖는 메모리 소자를 구현하여 프로그래머블 스위치 소자로 사용하기에 적합하다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120016849 (2012.02.20)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0095432 (2013.08.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 김성현 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0133470-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0064275-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0575479-63
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0947262-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0947271-08
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0146482-95
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 형성되고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태변화를 가지는 Ge2Sb2Te5 물질로 구성된 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 형성된 상부 전극층을 포함하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 필라멘트는 상기 상부전극으로부터 침투된 금속이온의 산화환원 반응에 의해 형성 및 소멸되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 하부 전극층은 Pt, Ru, Ir, W 또는 TiN을 포함하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 상부 전극층은 Cu 또는 Ag를 포함하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 Ge2Sb2Te5 물질은 질소가 도핑된 Ge2Sb2Te5 물질인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자
6 6
기판 상에 하부 전극층을 형성하는 단계;상기 하부 전극상에 Ge2Sb2Te5 물질로 구성된 저항변화층을 형성하는 단계; 및상기 저항변화층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 저항변화층은 상기 상부 전극으로부터 침투된 금속 이온의 산화환원반응에 의해 금속 필라멘트를 생성 및 소멸시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 하부 전극층은 Pt, Ru, Ir, W 또는 TiN을 포함하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 상부 전극층은 Cu 또는 Ag를 포함하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자의 제조방법
9 9
제6항에 있어서,상기 Ge2Sb2Te5 물질은 질소가 도핑된 Ge2Sb2Te5 물질인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 ㈜하이닉스반도체, 광주과학기술원 기술혁신사업 테라비트급 3차원 ReRAM 원천기술 개발