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문턱 스위칭과 메모리 스위칭 특성을 동시에 갖는 저항 변화 메모리 소자, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이

  • 기술번호 : KST2015011411
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 변화 메모리 소자, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이를 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 제1 전극과 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 하이브리드 스위칭막이 배치된다. 상기 하이브리드 스위칭막은 문턱 스위칭 특성과 메모리 스위칭 특성을 함께 갖는 금속 산화물막이다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120039566 (2012.04.17)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1423930-0000 (2014.07.22)
공개번호/일자 10-2013-0117380 (2013.10.28) 문서열기
공고번호/일자 (20140728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 김성현 대한민국 광주광역시 북구
3 리우 중국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0302744-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0024767-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0402397-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0719066-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0719034-57
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0879534-28
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0150172-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0150183-41
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0448919-40
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번호 청구항
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제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속 리치한 비화학양론적 금속 산화물막을 형성하는 단계;상기 금속 산화물막의 표면을 산소 처리하여, 문턱 스위칭 특성과 메모리 스위칭 특성을 함께 갖는 금속 산화물막인 하이브리드 스위칭막을 형성하는 단계; 및상기 하이브리드 스위칭막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2 전극은 적어도 상기 하이브리드 스위칭막과 접하는 영역에서 상기 하이브리드 스위칭막 내에 함유된 금속에 비해 산소와의 반응성이 같거나 더 큰 금속을 함유하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속 리치한 비화학양론적 금속 산화물막은 금속-절연체 전이 특성을 나타내는 막인 저항 변화 메모리 소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속 리치한 비화학양론적 금속 산화물막은 FeOx(1≤X≤1
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제8항에 있어서,상기 하이브리드 스위칭막은상기 제1 전극 상에 배치되고, 문턱 스위칭 특성을 갖는 문턱 스위칭막; 및상기 문턱 스위칭막 상에 배치되고, 메모리 스위칭 특성을 갖는 메모리 스위칭막을 포함하되,상기 메모리 스위칭막의 산소의 조성비는 상기 문턱 스위칭막의 산소의 조성비에 비해 큰 저항 변화 메모리 소자 제조방법
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복수 개의 제1 신호선들;상기 제1 신호선들과 교차하는 복수 개의 제2 신호선들; 및상기 각 제1 신호선과 상기 각 제2 신호선이 교차하는 부분에서, 상기 제1 신호선과 상기 제2 신호선 사이에 배치되고, 문턱 스위칭 특성과 메모리 스위칭 특성을 함께 갖는 금속 산화물막인 하이브리드 스위칭막을 포함하되,상기 제2 전극은 적어도 상기 하이브리드 스위칭막과 접하는 영역에 배치된 전도성 산화물 영역을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
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제13항에 있어서,상기 하이브리드 스위칭막은 FeOx (1≤x≤2), VOx(1≤X≤2
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 하이브리드 스위칭막은상기 제1 전극 상에 배치되고, 문턱 스위칭 특성을 갖는 문턱 스위칭막; 및상기 문턱 스위칭막 상에 배치되고, 메모리 스위칭 특성을 갖는 메모리 스위칭막을 포함하되,상기 메모리 스위칭막과 상기 문턱 스위칭막은 동일한 금속의 산화물막이고, 상기 메모리 스위칭막의 산소의 조성비는 상기 문턱 스위칭막의 산소의 조성비에 비해 큰 저항 변화 메모리 소자 어레이
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제15항에 있어서,상기 문턱 스위칭막은 금속-절연체 전이 특성을 나타내는 막인 저항 변화 메모리 소자 어레이
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제15항에 있어서,상기 문턱 스위칭막은 FeOx(1≤X≤1
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제15항에 있어서,상기 문턱 스위칭막은 NbOx(1≤X≤2)인 저항 변화 메모리 소자 어레이
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1 지식경제부 (주)하이닉스반도체, 광주과학기술원 기술혁신사업 테라비트급 3차원 ReRAM 원천기술 개발