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투명 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015084868
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 투명 트랜지스터는 기판, 하부 투명층, 금속층 및 상부 투명층의 다층 구조를 가지며, 상기 기판 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되어 있는 채널, 그리고 상기 채널과 정렬되어 있는 게이트 전극을 포함하며, 상기 하부 투명층 또는 상부 투명층이 상기 채널과 동일한 투명 반도체층으로 형성되어 있다. 따라서, 다층 투명전도막을 활용하여 투명도 및 전도도를 확보하면서, 소스/드레인 전극과 반도체의 접촉 저항 문제를 해결하고, 박막 증착 시에 추가되는 공정에 비하여 패터닝 공정의 감소로 공정의 효율성이 높아질 수 있다.투명 소자, 투명 트랜지스터, 투명 전도막
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/458(2013.01) H01L 29/458(2013.01) H01L 29/458(2013.01) H01L 29/458(2013.01)
출원번호/일자 1020080131647 (2008.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1182403-0000 (2012.09.06)
공개번호/일자 10-2010-0073064 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20120913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.22)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유민기 대한민국 서울특별시 노원구
2 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
3 변춘원 대한민국 대전광역시 유성구
4 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구
5 조경익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0880959-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0073393-60
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0185516-92
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0185523-12
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0490855-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판,하부 투명층, 금속층 및 상부 투명층의 다층 구조를 가지며, 상기 기판 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극,상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되어 있는 채널, 그리고상기 채널과 정렬되어 있는 게이트 전극을 포함하며, 상기 하부 투명층 또는 상부 투명층이 상기 채널과 동일한 투명 반도체층으로 형성되어 있는 투명 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 하부 투명층, 상기 금속층 및 상기 상부 투명층의 다층 구조를 가지는투명 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서,상기 소스 전극, 드레인 전극 또는 상기 게이트 전극의 상부 투명층 또는 하부 투명층은 질화막으로 형성되어 있는 투명 트랜지스터
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 게이트 전극의 상기 하부 투명층은 상기 기판과 상기 게이트 전극을 전기적으로 절연하는 절연막으로 형성되는투명 트랜지스터
5 5
제2항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 나머지 상부 투명층 또는 하부 투명층은 투명 전도막 또는 투명 절연막으로 형성되는투명 트랜지스터
6 6
제3항에 있어서,상기 하부 투명층 또는 상부 투명층을 형성하는 상기 질화막은 굴절율이 2
7 7
기판 위에 투명 반도체층, 금속층 및 투명층을 차례로 적층하고 패터닝하여 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 정의하는 단계, 그리고상기 채널 영역의 상기 투명층 및 상기 금속층을 식각하여 상기 투명 반도체를 노출시키는 단계, 그리고노출된 상기 투명 반도체층을 덮도록 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
8 8
기판 위에 투명층 및 금속층을 적층하고 채널 영역의 상기 금속층을 식각하여 하부의 상기 투명층을 노출시키는 단계, 노출된 상기 투명층 및 금속층을 덮도록 투명 반도체층을 적층하고, 식각하여 소스 전극, 드레인 전극 및 채널을 형성하는 단계, 그리고상기 소스 전극, 드레인 전극 및 채널을 덮도록 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제7항 또는 제8항에 있어서,상기 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는상기 절연막 위에 하부 투명층을 형성하는 단계, 상기 하부 투명층 위에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층 위에 상부 투명층을 형성하는 단계, 그리고상기 하부 투명층, 금속층 및 상부 투명층을 상기 채널과 정렬하여 식각하여 상기 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는트랜지스터의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 소스 전극, 드레인 전극의 투명층 또는 투명 반도체층 및 상기 게이트 전극의 하부 또는 상부 투명층은 질화막을 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
12 12
기판 위에 투명 반도체, 금속층, 투명층을 적층하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 게이트 절연막 위에 포토 레지스트를 도포하고, 마스크를 통하여 상기 투명층 및 금속층을 식각하여 채널을 형성하는 단계,상기 포토 레지스트 및 채널 위에 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 제2 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 투명 반도체 또는 상기 투명층은 질화막으로 형성하는 트랜지스터의 제조 방법
14 14
제12항에 있어서,상기 제1 게이트 절연막은 상기 제2 게이트 절연막보다 두껍게 형성되는트랜지스터의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05146428 JP 일본 FAMILY
2 JP22147458 JP 일본 FAMILY
3 US08269220 US 미국 FAMILY
4 US08409935 US 미국 FAMILY
5 US08546198 US 미국 FAMILY
6 US08546199 US 미국 FAMILY
7 US20100155792 US 미국 FAMILY
8 US20120315729 US 미국 FAMILY
9 US20130189815 US 미국 FAMILY
10 US20130189816 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010147458 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5146428 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2010155792 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2012315729 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2013189815 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2013189816 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8269220 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8409935 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US8546198 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US8546199 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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