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트랜지스터 구조의 바이오 센서 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015085184
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 바이오센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 바이오센서는 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역을 포함하는 트랜지스터 구조이고, 상기 채널 영역은 항원-항체 반응을 감지하는 액티브 폴리머 및 친수성 나노 입자로 형성된 액티브층을 포함하며, 상기 액티브층은 직접인쇄기술, 예를 들면, 잉크젯 프린트법으로 형성된다. 상기와 같은 구조의 바이오센서는 항원-항체 간의 반응성과 친수성을 증가시켜 센서의 특성을 개선시킬 수 있으며, 또한, 직접인쇄기술을 이용하여 대면적 공정이 가능하며 플라스틱을 포함하여 다양한 기판 위에 소자의 제작이 용이하다.바이오, 센서, 칩, 트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC G01N 33/53(2013.01) G01N 33/53(2013.01) G01N 33/53(2013.01) G01N 33/53(2013.01)
출원번호/일자 1020090021592 (2009.03.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1136881-0000 (2012.04.09)
공개번호/일자 10-2010-0063598 (2010.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20120420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080121622   |   2008.12.03
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.13)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양용석 대한민국 대전광역시 유성구
2 김성현 대한민국 대전광역시 유성구
3 임상철 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤두협 대한민국 대전광역시 유성구
5 김진식 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0153583-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 등록결정서
Decision to grant
2012.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0207665-38
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역을 포함하고, 여기서, 상기 채널 영역은 항원-항체 반응을 감지하는 액티브 폴리머 및 친수성 나노 입자를 이용하여 형성된 액티브층을 포함하는 트랜지스터 구조의 바이오 센서
2 2
제 1항에 있어서,상기 항원-항체 반응을 감지하는 액티브 폴리머는 반도체 특성을 나타내는 전도성 주쇄와 타겟 물질과 특이적으로 결합하는 압타머 또는 라벨로 치환된 측쇄를 갖는 것인 트랜지스터 구조의 바이오 센서
3 3
제 2항에 있어서,상기 액티브 폴리머의 전도성 주쇄로는 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-코-비티오펜)(F8T2) 또는 폴리(3,3''-디도데실-쿼터티오펜)(PQT-12)이고, 상기 측쇄는 바이오틴인 트랜지스터 구조의 바이오 센서
4 4
제 1항에 있어서,상기 친수성 나노 입자로는 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 산화 실리콘(SiO2) 또는 산화 보론(B2O3)의 나노 입자에, 양이온 계면활성제와 친수성 폴리머가 조합된 것을 특징으로 하는 트랜지스터 구조의 바이오 센서
5 5
제 1항에 있어서, 상기 액티브층은 액티브 폴리머가 친수성 나노 입자 사이를 채우면서 둘러싸는 구조인 바이오 센서
6 6
제 1항에 있어서,상기 액티브층은 액티브 폴리머층 위에 친수성 나노 입자층이 형성되어 있는 구조인 바이오 센서
7 7
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역에 직접인쇄기술을 이용하여 항원-항체 반응을 감지하는 액티브 폴리머와 친수성 나노 입자로 액티브층을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 구조의 바이오 센서의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 채널 영역에 액티브층을 형성하는 단계는ⅰ) 친수성 나노 입자를 포함하는 잉크를 채널 영역 상에 코팅하고 열처리하는 단계; 및ⅱ) 열처리 단계 후에, 액티브 폴리머를 포함하는 잉크를 코팅하고 열처리 하는 단계를 포함하는 트랜지스터 구조의 바이오 센서의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 채널 영역에 액티브층을 형성하는 단계는ⅰ) 액티브 폴리머를 포함하는 잉크를 채널 영역 상에 코팅하고 열처리 하는 단계; 및ⅱ) 열처리 단계 후에, 친수성 나노 입자를 포함하는 잉크를 코팅하고 열처리하는 단계를 포함하는 트랜지스터 구조의 바이오 센서의 제조방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 채널 영역에 액티브층을 형성하는 단계는친수성 나노 입자와 액티브 폴리머를 모두 포함하는 잉크를 코팅하고 열처리하는 것인 트랜지스터 구조의 바이오 센서의 제조방법
11 11
제 8항 또는 제 9항에 있어서,상기 액티브 폴리머 잉크는 전도성 주쇄와 압타머 또는 라벨로 치환된 측쇄를 갖는 액티브 폴리머를 용매 중에 분산시킨 용액인 트랜지스터 구조의 바이오 센서의 제조방법
12 12
제 8항 또는 제 9항에 있어서
13 13
제 10항에 있어서
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04843077 JP 일본 FAMILY
2 JP22133927 JP 일본 FAMILY
3 US20100135854 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 JP2010133927 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4843077 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2010135854 US 미국 DOCDBFAMILY
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