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a) 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계와,b) 상기 하부전극을 포함하는 상기 기판 상에 소정 크기의 희생층 패턴을 형성하는 단계와,c) 상기 희생층 패턴을 포함하는 상기 기판 상에 상부전극을 형성하는 단계와,d) 상기 희생층을 제거한 후, 전자빔 식각 기술로 폴리머 패턴을 형성하고 전체 상부면에 금속을 증착한 후 리프트오프 공정으로 상기 폴리머 패턴 상의 금속을 제거하며, 이어 상기 폴리머 패턴을 제거함으로써 상기 하부전극과 상부전극 사이에 나노 갭이 형성되도록 하는 단계와,e) 상기 나노 갭의 상부전극과 하부전극 사이에 도전성 유기분자를 흡착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 저항성 절연물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생층 패턴은 상기 하부전극과 상기 상부전극이 교차되는 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생층 패턴은 상기 기판과 선택적 에칭 특성을 갖는 유기물, 산화막 또는 금속으로 형성하며, 나노 메터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 희생층 패턴은 서로 다른 에칭 선택비를 갖는 다층 구조의 상기 유기물, 산화막 또는 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 갭은 수직 거리 및 수평 거리가 비대칭적으로 형성하며, 상기 수평 거리가 상기 수직 거리보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도전성 유기분자는 도전성 유기분자가 용해된 용액에 상기 기판이 담긴 상태에서 흡착되도록 하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 기판의 하부전극과 상부전극 사이에 전계를 인가하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 용액을 교반시키거나 상기 용액에 열을 가하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도전성 유기분자 흡착 과정에서 상기 하부전극과 상부전극을 통해 흐르는 전류를 감지하여 흡착 여부 및 정도를 관찰하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 e)로부터 절연막으로 외부를 패시베이션하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 e)로부터 절연막으로 외부를 패시베이션하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기분자 소자의 제작 방법
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