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전력 반도체 소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015090397
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	게이트 전극과 드레인 전극 사이에 형성되는 필드 플레이트를 통해 소자의 항복전압을 높이는 동시에 제조 공정을 더욱 용이하게 할 수 있는 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 전력 반도체 소자는, 기판 상에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 상기 두 전극보다 낮은 높이로 형성되며, 상기 기판이 노출되는 식각부를 포함하는 유전층, 상기 식각부 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이의 유전층 상에 형성되는 필드 플레이트 및 상기 필드 플레이트와 상기 소스 전극을 연결하는 메탈을 포함한다.
Int. CL	H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC	H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자	1020120077726 (2012.07.17)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1616157-0000 (2016.04.21)
공개번호/일자	10-2013-0031776 (2013.03.29) 문서열기
공고번호/일자	(20160427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020110095274 \| 2011.09.21
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.07.17)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장우진	대한민국	대전 서구
2	임종원	대한민국	대전 유성구
3	안호균	대한민국	대전 유성구
4	고상춘	대한민국	대전 유성구
5	배성범	대한민국	대전 유성구
6	주철원	대한민국	대전 유성구
7	박영락	대한민국	대전 유성구
8	문재경	대한민국	대전 유성구
9	남은수	대한민국	대전 서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인한벗	대한민국	서울특별시 서대문구 충정로 , 구세군빌딩 층 (충정로가)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.07.17	수리 (Accepted)	1-1-2012-0570236-33
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2013-0064539-16
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.07.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0497943-19
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.09.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0875066-02
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.09.09	수리 (Accepted)	1-1-2015-0875067-47
7	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2015.12.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0909715-14
8	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2016.01.15	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2016-0045102-03
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.01.15	수리 (Accepted)	1-1-2016-0045109-11
10	등록결정서 Decision to Grant Registration	2016.02.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0098951-16

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 상기 두 전극보다 낮은 높이로 형성되며, 상기 기판이 노출되는 식각부를 포함하는 유전층;상기 식각부 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이의 유전층 상에 형성되는 필드 플레이트;상기 필드 플레이트와 상기 소스 전극을 연결하는 메탈; 및상기 유전층의 미세 식각 공정을 통해 상기 필드 플레이트 하부에 상기 필드 플레이트의 폭보다 작게 형성되는 미세 필드 플레이트;를 포함하며,상기 미세 필드 플레이트는 상기 유전층 내에 형성되고, 상기 필드 플레이트의 하부 중 일부분은 상기 미세 필드 플레이트의 상부와 직접 연결되어 있고, 상기 필드 플레이트의 하부 중 상기 일부분을 제외한 나머지 부분과 상기 게이트 전극은 상기 유전층의 상부와 직접 접촉하고 있는 전력 반도체 소자
2	2 제 1항에 있어서,상기 메탈은 상기 필드 플레이트와 동일한 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는전력 반도체 소자
3	3 제 2항에 있어서,상기 메탈은 곡선 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는전력 반도체 소자
4	4 제 1항에 있어서,상기 게이트 전극은 감마(Gamma)형 또는 T형 게이트 전극인 것을 특징으로 하는전력 반도체 소자
5	5 제 1항에 있어서,상기 소스, 드레인, 게이트 전극 및 상기 필드 플레이트는 모서리 부분이 곡면 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는전력 반도체 소자
6	6 삭제
7	7 기판 상에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 상기 두 전극보다 낮은 높이로 형성되며, 상기 기판이 노출되는 식각부를 포함하는 유전층;상기 식각부 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이의 유전층 상에 형성되는 제 1 필드 플레이트;상기 게이트 전극과 이격되어 상기 소스 전극부터 상기 제 1 필드 플레이트까지의 영역 상부에 형성되는 제 2 필드 플레이트;상기 소스 전극과 상기 제 2 필드 플레이트, 그리고 상기 제 1 필드 플레이트와 상기 제 2 필드 플레이트를 각각 연결하는 메탈; 및상기 유전층의 미세 식각 공정을 통해 상기 제 1 필드 플레이트 하부에 상기 제 1 필드 플레이트의 폭보다 작게 형성되는 미세 필드 플레이트;를 포함하며,상기 미세 필드 플레이트는 상기 유전층 내에 형성되고, 상기 제 1 필드 플레이트의 하부 중 일부분은 상기 미세 필드 플레이트의 상부와 직접 연결되어 있고, 상기 제 1 필드 플레이트의 하부 중 상기 일부분을 제외한 나머지 부분과 상기 게이트 전극은 상기 유전층의 상부와 직접 접촉하고 있는 전력 반도체 소자
8	8 제 7항에 있어서,상기 게이트 전극은 감마(Gamma)형 또는 T형 게이트 전극인 것을 특징으로 하는전력 반도체 소자
9	9 제 7항에 있어서,상기 소스, 드레인, 게이트 전극 및 상기 제 1, 2 필드 플레이트는 모서리 부분이 곡면 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는전력 반도체 소자
10	10 삭제
11	11 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 유전층을 형성하는 단계;상기 유전층의 일부를 식각하여 식각부를 형성하는 단계;상기 식각부 상에 게이트 전극을, 그리고 상기 식각부와 상기 드레인 전극 사이의 유전층 상에 필드 플레이트를 동시에 형성하는 단계; 및상기 필드 플레이트와 동일한 평면 상에 상기 필드 플레이트와 상기 소스 전극을 연결하는 메탈을 형성하는 단계를 포함하며,상기 필드 플레이트 하부에 상기 유전층의 미세 식각 공정을 통해 상기 필드 플레이트의 폭보다 작은 미세 필드 플레이트가 형성되고,상기 미세 필드 플레이트는 상기 유전층 내에 형성되고, 상기 필드 플레이트의 하부 중 일부분은 상기 미세 필드 플레이트의 상부와 직접 연결되어 있고, 상기 필드 플레이트의 하부 중 상기 일부분을 제외한 나머지 부분과 상기 게이트 전극은 상기 유전층의 상부와 직접 접촉하고 있는 전력 반도체 소자의 제조 방법
12	12 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 유전층을 형성하는 단계;상기 유전층의 일부를 식각하여 식각부를 형성하는 단계;상기 식각부 상에 게이트 전극을, 그리고 상기 식각부와 상기 드레인 전극 사이의 유전층 상에 제 1 필드 플레이트를 동시에 형성하는 단계;상기 소스 전극과 상기 제 1 필드 플레이트 상에 메탈을 형성하는 단계; 및상기 메탈 상에 상기 게이트 전극과 이격되도록 제 2 필드 플레이트를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제 1 필드 플레이트 하부에 상기 유전층의 미세 식각 공정을 통해 상기 제 1 필드 플레이트의 폭보다 작은 미세 필드 플레이트가 형성되고,상기 미세 필드 플레이트는 상기 유전층 내에 형성되고, 상기 제 1 필드 플레이트의 하부 중 일부분은 상기 미세 필드 플레이트의 상부와 직접 연결되어 있고, 상기 제 1 필드 플레이트의 하부 중 상기 일부분을 제외한 나머지 부분과 상기 게이트 전극은 상기 유전층의 상부와 직접 접촉하고 있는 전력 반도체 소자의 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08772833	US	미국	FAMILY
2	US20130069173	US	미국	FAMILY
3	US20140363937	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
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순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	한국전자통신연구원	정보통신산업원천기술개발사업	차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1616157-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20120717 출원 번호 : 1020120077726 공고 연월일 : 20160427 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160204 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20190422

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	217,500 원	2016년 04월 21일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.07.17	수리 (Accepted)	1-1-2012-0570236-33
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2013-0064539-16
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
4	의견제출통지서	2015.07.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0497943-19
5	[명세서등 보정]보정서	2015.09.09	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0875066-02
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.09.09	수리 (Accepted)	1-1-2015-0875067-47
7	거절결정서	2015.12.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0909715-14
8	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2016.01.15	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2016-0045102-03
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.01.15	수리 (Accepted)	1-1-2016-0045109-11
10	등록결정서	2016.02.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0098951-16


과제고유번호	1415122114
세부과제번호	10038766
연구과제명	차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2012
연구기간	201103~201602
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

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