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보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015094717
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막이 적용된 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 채널층으로 적용한 박막 트랜지스터는 전기적 특성을 획기적으로 향상시킬 수 있으며, 고온에서의 안정성을 크게 증가시킨다.보론, 도핑, 산화물, 반도체, 채널층
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020080129691 (2008.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1343570-0000 (2013.12.13)
공개번호/일자 10-2010-0070937 (2010.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20131220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정우석 대한민국 대전광역시 유성구
2 정승묵 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 유민기 대한민국 서울특별시 노원구
4 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
5 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문용호 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
2 이용우 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
3 강신섭 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0872100-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006413-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0073392-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0276162-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0276135-12
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0491019-03
9 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.11.28 수리 (Accepted) 7-8-2012-0038423-33
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0900589-76
11 보정요구서
Request for Amendment		 2013.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0122861-46
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0953434-39
13 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0846879-02
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판 상에, 소스·드레인 전극, 채널층, 게이트 절연층 및 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 채널층은 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막이고, 상기 산화물 반도체는 ZnO, In-Zn-O, Zn-Sn-O, In-Ga-ZnO, Zn-In-Sn-O, In-Ga-O 및 SnO2로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되고, 상기 보론은 산화물 반도체를 구성하는 금속산화물의 금속원자의 총원자량에 대해 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 채널층 상부에 AlOx, SiNx 및 SiOx로 이루어진 군에서 일종 이상 선택된 절연 물질로 형성된 채널 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 기판 상에 순차적으로 소스·드레인 전극, 채널층, 게이트 절연층 및 게이트 전극이 형성되어 있는 상부 게이트 코-플래너형 구조; 기판 상에 순차적으로 채널층, 소스·드레인 전극, 게이트 절연층 및 게이트 전극이 형성되어 있는 상부 게이트 스태거드형 구조; 기판 상에 순차적으로 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스·드레인 전극 및 채널층이 형성되어 있는 하부 게이트 코-플래너형; 또는 기판 상에 순차적으로 게이트 전극, 게이트 절연층, 채널층 및 소스·드레인 전극이 형성되어 있는 하부 게이트 스태거드형 구조인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 게이트 절연층은 AlOx, SiNx 및 SiOx로 이루어진 군에서 일종 이상 선택된 절연 물질로 형성된 절연막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
기판 상에 소스·드레인 전극, 채널층, 게이트 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서,보론이 도핑된 산화물 반도체로 채널층을 형성하는 단계; 및상기 채널층을 패터닝하는 단계를 포함하고,상기 채널층의 형성 단계에서, 산화물 반도체로는 ZnO, In-Zn-O, Zn-Sn-O, In-Ga-ZnO, Zn-In-Sn-O, In-Ga-O 및 SnO2로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되고, 보론은 산화물 반도체를 구성하는 금속산화물의 금속원자의 총원자량에 대해 0
8 8
제 7항에 있어서,상기 채널층 상부에 절연물질로 채널보호층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 채널보호층은 채널층과 함께 패터닝되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 채널층은 스퍼터링법, PLD법 또는 이온-빔 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
11 11
제 8항에 있어서,상기 채널 보호층의 형성 단계에서, 채널 보호층은 AlOx, SiNx 및 SiOx로 이루어진 군에서 일종 이상 선택된 절연 물질을 이용하여 CVD법, ALD법, 스퍼터링법으로 1 내지 20nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
12 12
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 채널층 또는 채널 보호층의 패터닝 단계에서, 패터닝은 포토 레지스트로 패터닝하고, 건식 또는 습식식각 또는 이온밀링법으로 식각되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
13 13
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 채널층 또는 채널 보호층의 패터닝 단계에서, 패터닝은 포토-레지스트로 리프트-오프 패턴을 제작하여 실시되고, 상기 포토-레지스트는 150℃ 미만에서 적용되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
14 14
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 게이트 절연층은 AlOx, SiNx 및 SiOx로 이루어진 군에서 일종 이상 선택된 절연 물질을 이용하여 원자층 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08071434 US 미국 FAMILY
2 US20100155716 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010155716 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8071434 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 투명전자 소자를 이용한 스마트 창