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근단 혼선을 이용한 반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치의 구동 방법 및 통신 시스템

기술번호 : KST2015112862
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	반도체 장치는 기판, 반도체 칩, 제 1 전송선 및 제 2 전송선을 포함한다. 반도체 칩은 제 1 신호 및 제 1 신호와 위상, 진행 속도 및 파장이 동일한 제 2 신호를 생성한다. 제 1 전송선은 반도체 칩으로부터 제 1 신호를 제공받는다. 제 2 전송선은 기판 상에 제 1 전송선과 평행하고 종단이 개방(open)되며 파장의 절반에 상응하는 길이를 가지도록 형성된다. 제 2 전송선에 의하여 근단 혼선(near-end crosstalk)이 제 1 전송선에 발생함으로써 고주파 감쇄를 효율적으로 보상할 수 있다. 근단 혼선, near-end crosstalk, NEXT
Int. CL	H01P 3/08 (2006.01)
CPC	H01P 3/081(2013.01) H01P 3/081(2013.01) H01P 3/081(2013.01)
출원번호/일자	1020070128182 (2007.12.11)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자	10-0941088-0000 (2010.02.01)
공개번호/일자	10-2009-0061245 (2009.06.16) 문서열기
공고번호/일자	(20100210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.12.11)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김정호	대한민국	대전 유성구
2	송익환	대한민국	경기 시흥시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박영우	대한민국	서울특별시 강남구 논현로 **, 층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.12.11	수리 (Accepted)	1-1-2007-0889333-94
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2008.11.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.12.08	수리 (Accepted)	9-1-2008-0080663-36
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2009.07.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0315994-17
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.09.16	수리 (Accepted)	1-1-2009-0568693-99
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.09.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0568691-08
7	등록결정서 Decision to grant	2010.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0035078-33
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판; 상기 기판 상에 실장되고, 제 1 신호 및 상기 제 1 신호와 위상, 진행 속도 및 파장이 동일한 제 2 신호를 생성하며, 제 1 패드 및 제 2 패드를 가지는 반도체 칩; 상기 반도체 칩의 상기 제 1 패드와 전기적으로 연결되고, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 반도체 칩으로부터 상기 제 1 신호를 제공받는 제 1 전송선; 및 상기 반도체 칩의 상기 제 2 패드와 전기적으로 연결되고, 상기 기판 상에 상기 제 1 전송선과 평행하고 종단이 개방(open)되며 상기 파장의 절반에 상응하는 길이를 가지도록 형성되며, 상기 반도체 칩으로부터 상기 제 2 신호를 제공받는 제 2 전송선을 포함하는 반도체 장치
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 신호 및 상기 제 2 신호는, 각각 디지털 신호인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전송선 및 상기 제 2 전송선은, 각각 마이크로스트립(microstrip)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전송선 및 상기 제 2 전송선은, 각각 스트립라인(stripline)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전송선 및 상기 제 2 전송선은, 각각 동축선(coaxial cable)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 칩은, 상기 제 1 신호를 출력하는 제 1 출력 드라이버; 및 상기 제 2 신호를 상기 제 1 신호보다 큰 진폭(amplitude)을 가지도록 출력하는 제 2 출력 드라이버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
7	7 기판 상에 제 1 패드 및 제 2 패드를 가지는 반도체 칩을 실장하는 단계; 상기 기판 상에 제 1 전송선을 형성하는 단계; 상기 반도체 칩의 상기 제 1 패드와 상기 제 1 전송선을 전기적으로 연결하는 단계; 상기 기판 상에 상기 제 1 전송선과 평행하고 종단이 개방(open)되도록 제 2 전송선을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 칩의 상기 제 2 패드와 상기 제 2 전송선을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 전송선을 형성하는 단계는, 상기 제 1 전송선에서 전송되는 신호의 파장의 절반에 상응하는 길이를 가지도록 상기 제 2 전송선을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법
9	9 제 1 신호 및 상기 제 1 신호와 위상, 진행 속도 및 파장이 동일한 제 2 신호를 생성하는 단계; 반도체 칩에서 제 1 패드를 통하여 제 1 전송선에 상기 제 1 신호를 제공하는 단계; 및 상기 반도체 칩에서 제 2 패드를 통하여 상기 제 1 전송선과 평행하고 종단이 개방(open)되며 상기 파장의 절반에 상응하는 길이를 가지는 제 2 전송선에 상기 제 2 신호를 제공하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 구동 방법
10	10 제 1 패드 및 제 2 패드에 전기적으로 연결되고, 제 1 신호 및 상기 제 1 신호와 위상, 진행 속도 및 파장이 동일한 제 2 신호를 생성하는 송신기; 상기 제 1 패드와 전기적으로 연결되고, 상기 송신기로부터 상기 제 1 신호를 제공받는 제 1 전송선; 상기 제 2 패드와 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 전송선과 평행하고, 종단이 개방(open)되며, 상기 파장의 절반에 상응하는 길이를 가지고, 상기 송신기로부터 상기 제 2 신호를 제공받는 제 2 전송선; 및 상기 제 1 전송선으로부터 상기 제 1 신호를 수신하는 수신기를 포함하는 통신 시스템
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 신호 및 상기 제 2 신호는, 각각 디지털 신호인 것을 특징으로 하는 통신 시스템
12	12 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전송선 및 상기 제 2 전송선은, 각각 마이크로스트립(microstrip)인 것을 특징으로 하는 통신 시스템
13	13 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전송선 및 상기 제 2 전송선은, 각각 스트립라인(stripline)인 것을 특징으로 하는 통신 시스템
14	14 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전송선 및 상기 제 2 전송선은, 각각 동축선(coaxial cable)인 것을 특징으로 하는 통신 시스템

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0941088-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20071211 출원 번호 : 1020070128182 공고 연월일 : 20100210 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100127 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01P 3/08 발명의 명칭 : 근단 혼선을 이용한 반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치의 구동 방법 및 통신 시스템 존속기간(예정)만료일 : 20150202

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	295,500 원	2010년 02월 02일	납입
제 4 년분	금 액	348,000 원	2013년 01월 30일	납입
제 5 년분	금 액	348,000 원	2014년 01월 27일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.12.11	수리 (Accepted)	1-1-2007-0889333-94
2	선행기술조사의뢰서	2008.11.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2008.12.08	수리 (Accepted)	9-1-2008-0080663-36
4	의견제출통지서	2009.07.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0315994-17
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.09.16	수리 (Accepted)	1-1-2009-0568693-99
6	[명세서등 보정]보정서	2009.09.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0568691-08
7	등록결정서	2010.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0035078-33
8	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
11	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
13	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63


과제고유번호	1445006241
세부과제번호	2005-S-118-03
연구과제명	고성능극소형SiP기술개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	한국과학기술원
성과제출연도	2007
연구기간	200703~200802
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

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