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박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015113596
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 안정성 및 전기적 특성이 우수하며 제조가 용이한 산화물 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판은, 절연 기판과, 절연 기판 상에 형성되고 금속 무기염(metal inorganic salt)과 아연 아세트산염(zinc acetate)을 포함하는 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층과 중첩된 게이트 전극과, 산화물 반도체층과 게이트 전극 사이에 개재된 게이트 절연막과, 산화물 반도체층과 적어도 일부가 중첩하고 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판, 산화물 반도체, 아연 아세트산염
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090049564 (2009.06.04)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0130850 (2010.12.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.28)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영민 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 김보성 대한민국 서울특별시 서초구
3 정연택 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 최태영 대한민국 서울특별시 성북구
5 장선필 대한민국 서울특별시 도봉구
6 조승환 대한민국 경기도 수원시 영통구
7 안보경 대한민국 인천광역시 남동구
8 배병수 대한민국 대전광역시 유성구
9 서석준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0339754-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0740018-85
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0404352-07
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0345638-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0722209-91
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0722164-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0758225-45
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연 기판; 상기 절연 기판 상에 형성되고 금속 무기염(metal inorganic salt)과 아연 아세트산염(zinc acetate)을 포함하는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층과 중첩된 게이트 전극; 상기 산화물 반도체층과 상기 게이트 전극 사이에 개재된 게이트 절연막; 및 상기 산화물 반도체층과 적어도 일부가 중첩하고 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
2 2
제1 항에 있어서, 상기 금속 무기염은 lithium(Li), sodium(Na), potassium(K), rubidium(Rb), cesium(Cs), beryllium(Be), magnesium(Mg), calcium(Ca), strontium(Sr), barium(Ba), titanium(Ti), zirconium(Zr), hafnium(Hf), vanadium(V), niobium(Nb), tantalum(Ta), chromium(Cr), molybdenum(Mo), tungsten(W), manganese(Mn), technetium(Tc), rhenium(Re), iron(Fe), ruthenium(Ru), osmonium(Os), cobalt(Co), rhodium(Rh), iridium(Ir), nickel(Ni), palladium(Pd), platinum(Pt), copper(Cu), silver(Ag), gold(Au), cadmium(Cd), mercury(Hg), boron(B), aluminum(Al), gallium(Ga), indium(In), thalium(Tl), silicon(Si), germanium(Ge), tin(Sn), lead(Pb), phosphorus(P), arsenic(As), antimony(Sb), bismuth(Bi) 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
3 3
제1 항에 있어서, 상기 금속 무기염은 fluorine(F), chlorine(Cl), bromine(Br), iodine(I), NO3, SO4, PO4, C2O4, ClO4, BF4 중 적어도 하나의 무기염을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
4 4
제1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 상기 금속 무기염과 상기 아연 아세트산염을 포함하는 금속 화합물 용액을 코팅하여 형성된 박막 트랜지스터 기판
5 5
제4 항에 있어서, 상기 금속 화합물 용액은 안정제(stabilizer)를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판
6 6
제5 항에 있어서, 상기 안정제는 다이케톤(diketone), 아미노 알코올(amino alcohol), 폴리아민(polyamine)을 포함하는 그룹 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터 기판
7 7
제6 항에 있어서, 상기 다이케톤은 아세틸 아세톤(acetylacetone)을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
8 8
제4 항에 있어서, 상기 금속 화합물 용액이 용매는 알코올류를 포함하는 박막 트랜지스터 기판
9 9
절연 기판 상에 금속 무기염(metal inorganic salt)과 아연 아세트산염(zinc acetate)을 포함하는 산화물 반도체을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체층과 중첩된 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체층과 상기 게이트 전극 사이에 개재된 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 반도체층과 적어도 일부가 중첩하고 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
10 10
제9 항에 있어서, 상기 금속 무기염은 lithium(Li), sodium(Na), potassium(K), rubidium(Rb), cesium(Cs), beryllium(Be), magnesium(Mg), calcium(Ca), strontium(Sr), barium(Ba), titanium(Ti), zirconium(Zr), hafnium(Hf), vanadium(V), niobium(Nb), tantalum(Ta), chromium(Cr), molybdenum(Mo), tungsten(W), manganese(Mn), technetium(Tc), rhenium(Re), iron(Fe), ruthenium(Ru), osmonium(Os), cobalt(Co), rhodium(Rh), iridium(Ir), nickel(Ni), palladium(Pd), platinum(Pt), copper(Cu), silver(Ag), gold(Au), cadmium(Cd), mercury(Hg), boron(B), aluminum(Al), gallium(Ga), indium(In), thalium(Tl), silicon(Si), germanium(Ge), tin(Sn), lead(Pb), phosphorus(P), arsenic(As), antimony(Sb), bismuth(Bi) 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
11 11
제9 항에 있어서, 상기 금속 무기염은 fluorine(F), chlorine(Cl), bromine(Br), iodine(I), NO3, SO4, PO4, C2O4, ClO4, BF4 중 적어도 하나의 무기염을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
12 12
제9 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는 상기 금속 무기염과 상기 아연 아세트산염을 포함하는 금속 화합물 용액을 코팅하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
13 13
제12 항에 있어서, 상기 코팅하는 단계는 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 바코팅(bar coating), 스크린 프린팅(screen printing), 슬라이드 코팅(slide coating), 롤 코팅(roll coating), 스프레이 코팅(spray coating), 슬롯 코팅(slot coating), 딥-펜(dip-pen), 잉크젯(ink jet), 나노 디스펜싱(nano dispensing) 중 하나의 방법을 이용하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
14 14
제12 항에 있어서, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는 상기 코팅하는 단계 다음에 열처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
15 15
제14 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 100℃-500℃의 범위에서 실시되는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
16 16
제12 항에 있어서, 상기 금속 화합물 용액은 안정제(stabilizer)를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
17 17
제16 항에 있어서, 상기 안정제는 다이케톤(diketone), 아미노 알코올(amino alcohol), 폴리아민(polyamine)을 포함하는 그룹 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
18 18
제17 항에 있어서, 상기 다이케톤은 아세틸아세톤(acetylacetone)을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
19 19
제17 항에 있어서, 상기 아미노 알코올은 에탄올아민(ethanolamine), 다이에탄올아민(diethanolamine), 트리에탄올아민(triethanolamine)을 포함하는 그룹 중 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
20 20
제17 항에 있어서, 상기 폴리아민은 에틸렌다이아민(ethylenediamine), 1,4-디아미노부탄(1,4-Diaminobutane)을 포함하는 그룹 중 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
21 21
제12 항에 있어서, 상기 금속 화합물 용액이 용매는 알코올류를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100308326 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010308326 US 미국 DOCDBFAMILY
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