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MEMS 또는 MEMS 소자의 패키지 및 패키징 방법

  • 기술번호 : KST2015114858
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MEMS 또는 MEMS 소자의 패키지 및 패키징 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 원주상 구조체 및 상기 원주상 구조체 사이에 형성된 나노 기공을 포함하는 박막을 이용한 MEMS 또는 MEMS 소자 및 이를 패키징하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 MEMS 또는 MEMS 소자의 패키징 방법은 소자가 형성된 기판상에 소자가 덮이도록 희생층을 형성하는 단계, 희생층상에 원주상 구조체 및 상기 원주상 구조체 사이에 형성된 나노 기공을 포함하는 박막을 형성하는 단계, 박막상에 지지층을 형성하고, 박막의 일부분이 드러나도록 지지층을 패터닝하는 단계, 일부분이 드러난 박막에 형성된 나노 기공을 통해 희생층을 제거하여 박막 및 지지층 내부에 공동을 형성하는 단계, 및 박막과 지지층상에 차폐층을 형성하는 단계를 포함한다.본 발명의 MEMS 또는 MEMS 소자의 패키징 방법에 따르면, 희생층 제거를 위한 별도의 에칭 홀 생성 과정 없이, 박막 증착 시 생성되는 원주상 구조체 사이의 나노 기공을 이용함으로써 MEMS 또는 MEMS 소자의 패키징 과정 시 희생층 제거시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 희생층 제거 과정에서 발생하는 MEMS 또는 MEMS 소자의 물리적 및 화학적 손상을 최소화 시킬 수 있다.패키징, 물리적 기상 증착법, 나노 기공, 나노 와이어, 소수성
Int. CL B81B 7/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090048662 (2009.06.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1298114-0000 (2013.08.13)
공개번호/일자 10-2010-0130016 (2010.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.02)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구
2 이병기 대한민국 대전광역시 유성구
3 최동훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 양현호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0333570-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.24 수리 (Accepted) 9-1-2010-0060144-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0147243-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0261942-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0261941-10
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0614714-89
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1030518-82
9 [명세서등 보정] 보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0058979-61
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견] 의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0058978-15
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0431128-86
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.08.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0040370-07
13 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2012.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0640825-37
14 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2012.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0640824-92
15 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.12.14 수리 (Accepted) 7-8-2012-0040089-89
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
17 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0514325-88
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(a) 소자가 형성된 기판상에 상기 소자가 덮이도록 희생층을 형성하는 단계;(b) 상기 희생층 상에 원주상 구조체(columnar structure) 및 상기 원주상 구조체 사이의 나노 기공을 포함하는 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 박막 상에 지지층을 형성하고, 상기 박막의 일부분이 드러나도록 상기 지지층을 패터닝하는 단계;(d) 상기 일부분이 드러난 상기 박막에 형성된 나노 기공을 통해 상기 희생층을 제거하여 상기 박막 및 상기 지지층 내부에 공동(cavity)을 형성하는 단계; 및(e) 상기 박막 및 상기 지지층상에 차폐층을 형성하는 단계를 포함하는 MEMS 또는 MEMS 소자의 패키징 방법
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기판상에 형성된 MEMS 또는 MEMS 소자;상기 기판상에서 상기 MEMS 또는 MEMS 소자를 둘러싸되, 상기 MEMS 또는 MEMS 소자와 이격되어 있으며, 원주상 구조체(columnar structure) 및 상기 원주상 구조체 사이에 형성된 나노 기공을 포함하는 박막층;상기 박막층 상에 형성된 지지층; 및상기 지지층을 둘러싸도록 형성된 차폐층을 포함하는 MEMS 또는 MEMS 소자의 패키지
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1 US08445305 US 미국 FAMILY
2 US20110233737 US 미국 FAMILY
3 WO2010140792 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2010140792 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2010140792 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011233737 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8445305 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2010140792 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2010140792 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2010140792 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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