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카보레인 화합물, 이를 포함한 유기 전계 발광 소자 및 상기 유기 전계 발광 소자를 포함하는 평판 표시 장치
- 기술번호 : KST2015115158
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 하기 화학식 1 로 표시되는 카보레인 화합물이 제공된다.003c#화학식 1003e#(R1)a-CB-[Ar]n-CB-(R2)b상기 식 중, CB는 카보레인이고, Ar은 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고, R1, R2, a, b 및 n은 상세한 설명을 참조한다. 상기 카보레인 화합물을 포함하는 유기층을 구비한 유기 발광 소자는 높은 발광 효율을 가진다. |
|---|---|
| Int. CL | C09K 11/06 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/008(2013.01) H01L 51/008(2013.01) H01L 51/008(2013.01) H01L 51/008(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110059645 (2011.06.20) |
| 출원인 | 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0140034 (2012.12.28) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2016.06.20) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 2 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이선희 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 2 | 신대엽 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 3 | 송원준 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 4 | 이관희 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 5 | 도영규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 6 | 이민형 | 대한민국 | 울산광역시 남구 |
| 7 | 이강문 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 8 | 배혜진 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 경기 용인시 기흥구 | |
| 2 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0465890-08 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0508924-15 |
| 3 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2012.07.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0593756-46 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
| 9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2016.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0588436-72 |
| 10 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2017.04.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 11 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2017.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2017-0018476-17 |
| 12 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.10.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0717531-86 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.12.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1258591-03 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.12.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-1258592-48 |
| 15 | 등록결정서 Decision to grant |
2018.04.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0270603-03 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제1전극, 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 도펀트는 하기 화학식 1로 표시되는 카보레인(carborane) 화합물을 포함하는 유기 발광 소자:003c#화학식 1003e#(R1)a-CB-[Ar]n-CB-(R2)b상기 식 중,CB는 카보레인이고, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 니트릴기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C5-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5-C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 아미드기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 에스테르기, 치환 또는 비치환된 C5-C30 아릴티오기 및 N(Q1)(Q2) 로 표시되는 그룹 중 하나이고, 상기 Q1 및 Q2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 아미노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 및 치환 또는 비치환된 피리미디닐기 중 하나이고,a 및 b는 1 내지 10의 정수이고, a개의 R1 및 b개의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고,Ar은 치환, 또는 비치환된 페닐렌기이고, n은 1 내지 10의 정수이고, n개의 Ar은 서로 동일하거나 상이할 수 있다 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 카보레인은 C2B10H10의 화학식을 갖는 유기 발광 소자 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 카보레인은 C1B11H10-의 화학식을 갖는 유기 발광 소자 |
| 4 |
4 제1 항에 있어서, 상기 카보레인은 오르소(ortho)-, 메타(meta)- 또는 파라(para)-카보레인인 유기 발광 소자 |
| 5 |
5 제1 항에 있어서, 상기 -[Ar]n-은 상기 카보레인의 탄소 원자에 결합되는 유기 발광 소자 |
| 6 |
6 제1 항에 있어서, 상기 -[Ar]n-은 상기 카보레인의 보론 원자에 결합되는 유기 발광 소자 |
| 7 |
7 제1 항에 있어서,상기 R1 및 R2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 페녹시기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 디아지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 펜타레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 아줄레닐기, 치환 또는 비치환된 헵타레닐기, 치환 또는 비치환된 인다세닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸기, 치환 또는 비치환된 스피로-플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 페날레닐기, 치환 또는 비치환된 페난트리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피세닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 펜타페닐기, 치환 또는 비치환된 헥사세닐기, 치환 또는 비치환된 피롤일기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 피라졸일기, 치환 또는 비치환된 이미다조피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 이미다조피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 이소인돌일기, 치환 또는 비치환된 피리도인돌일기, 치환 또는 비치환된 인다졸일기, 치환 또는 비치환된 푸리닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기, 치환 또는 비치환된 푸라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 이소티아졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 이소옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 테트라졸일기 및 N(Q1)(Q2) 로 표시되는 그룹 중 하나이고, 상기 Q1 및 Q2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 아미노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 및 치환 또는 비치환된 피리미디닐기 중 하나인 유기 발광 소자 |
| 8 |
8 제1 항에 있어서, 상기 [Ar] 는 하기 화학식 2로 표시되는 유기 발광 소자:003c#화학식 2003e#상기 식 중, U1은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 페녹시기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 디아지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 펜타레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 아줄레닐기, 치환 또는 비치환된 헵타레닐기, 치환 또는 비치환된 인다세닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸기, 치환 또는 비치환된 스피로-플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 페날레닐기, 치환 또는 비치환된 페난트리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피세닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 펜타페닐기, 치환 또는 비치환된 헥사세닐기, 치환 또는 비치환된 피롤일기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 피라졸일기, 치환 또는 비치환된 이미다조피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 이미다조피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 이소인돌일기, 치환 또는 비치환된 피리도인돌일기, 치환 또는 비치환된 인다졸일기, 치환 또는 비치환된 푸리닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기, 치환 또는 비치환된 푸라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 이소티아졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 이소옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 테트라졸일기 및 N(Q1)(Q2) 로 표시되는 그룹 중 하나이고, 상기 Q1 및 Q2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 아미노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 및 치환 또는 비치환된 피리미디닐기 중 하나이고, p 는 0 내지 4 의 정수이고, p 개의 U1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다 |
| 9 |
9 제1 항에 있어서, 상기 -[Ar]n- 이 하기 화학식 3a, 3b 또는 3c 로 표시되는 유기 발광 소자:003c#화학식 3a003e#003c#화학식 3b003e#003c#화학식 3c003e#상기 식 중, Z1, Z2 및 Z3 은 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 페녹시기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 디아지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 펜타레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 아줄레닐기, 치환 또는 비치환된 헵타레닐기, 치환 또는 비치환된 인다세닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸기, 치환 또는 비치환된 스피로-플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 페날레닐기, 치환 또는 비치환된 페난트리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피세닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 펜타페닐기, 치환 또는 비치환된 헥사세닐기, 치환 또는 비치환된 피롤일기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 피라졸일기, 치환 또는 비치환된 이미다조피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 이미다조피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 이소인돌일기, 치환 또는 비치환된 피리도인돌일기, 치환 또는 비치환된 인다졸일기, 치환 또는 비치환된 푸리닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기, 치환 또는 비치환된 푸라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 이소티아졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 이소옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 테트라졸일기 및 N(Q1)(Q2) 로 표시되는 그룹 중 하나이고, 상기 Q1 및 Q2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 아미노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 및 치환 또는 비치환된 피리미디닐기 중 하나이고, 복수 개의 Z1, Z2 및 Z3 은 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있고, q, r 및 s 는 0 내지 4의 정수 중 하나이고, * 은 결합 사이트이다 |
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10 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1 이 하기 화학식 4a 내지 4c 로 표시되는 유기 발광 소자:003c#화학식 4a003e#003c#화학식 4b003e#003c#화학식 4c003e#상기 식 중, 원소 기호가 표시되지 않은 꼭지점은 B-H를 나타내고,상기 R1 및 R2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 페녹시기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 디아지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 펜타레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 아줄레닐기, 치환 또는 비치환된 헵타레닐기, 치환 또는 비치환된 인다세닐기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸기, 치환 또는 비치환된 스피로-플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 페날레닐기, 치환 또는 비치환된 페난트리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피세닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 펜타페닐기, 치환 또는 비치환된 헥사세닐기, 치환 또는 비치환된 피롤일기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 피라졸일기, 치환 또는 비치환된 이미다조피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 이미다조피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 이소인돌일기, 치환 또는 비치환된 피리도인돌일기, 치환 또는 비치환된 인다졸일기, 치환 또는 비치환된 푸리닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기, 치환 또는 비치환된 푸라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 이소티아졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 이소옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 테트라졸일기 및 N(Q1)(Q2) 로 표시되는 그룹 중 하나이고, 상기 Q1 및 Q2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 아미노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 프로필기, 치환 또는 비치환된 부틸기, 치환 또는 비치환된 펜틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 및 치환 또는 비치환된 피리미디닐기 중 하나이다 |
| 11 |
11 삭제 |
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12 삭제 |
| 13 |
13 삭제 |
| 14 |
14 제1항에 있어서,상기 카보레인 화합물은 삼중항 상태(triplet state)(T1)로부터 인광을 발광하는 유기 발광 소자 |
| 15 |
15 제1항에 있어서,상기 카보레인 화합물의 단일항 상태(S1)와 삼중항 상태(T2) 사이의 에너지 간격이 0 |
| 16 |
16 제1항에 있어서,상기 카보레인 화합물의 인광 수명이 0 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 제1 항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 상기 발광층 외의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 전자 저지층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 주입 기능 및 전자 수송 기능을 동시에 갖는 기능층 또는 이들 중 2 이상의 조합이 더 포함된 유기 발광 소자 |
| 19 |
19 제18항에 있어서,상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층 또는 상기 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층 중 적어도 하나가 전하-생성 물질을 더 포함한 유기 발광 소자 |
| 20 |
20 제1항에 있어서,상기 발광층이 형광 도펀트 또는 인광 도펀트를 더 포함하는 유기 발광 소자 |
| 21 |
21 제20항에 있어서,상기 인광 도펀트가 Ir, Pt, Os, Re, Ti, Zr, Hf 또는 이들 중 2 이상의 조합을 포함하는 유기 금속 착체인 유기 발광 소자 |
| 22 |
22 제18항에 있어서,상기 전자 수송층이 전자 수송성 유기 물질 및 금속-함유 물질을 포함하는 유기 발광 소자 |
| 23 |
23 제22항에 있어서,상기 금속-함유 물질이 Li 착체를 포함하는 유기 발광 소자 |
| 24 |
24 소스, 드레인, 게이트 및 활성층을 포함한 트랜지스터 및 제1항 내지 제10항, 제14항 내지 제16항 및 제18항 내지 제23항 중의 어느 한 항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 소스 및 드레인 중 하나와 상기 유기 발광 소자의 제1전극이 전기적으로 연결된 평판 표시 장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
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| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US09231216 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20120319088 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2012319088 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US9231216 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
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| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0508924-15 |
| 3 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2012.07.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0593756-46 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
| 9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2016.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0588436-72 |
| 10 | 선행기술조사의뢰서 | 2017.04.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 11 | 선행기술조사보고서 | 2017.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2017-0018476-17 |
| 12 | 의견제출통지서 | 2017.10.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0717531-86 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.12.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1258591-03 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.12.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-1258592-48 |
| 15 | 등록결정서 | 2018.04.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0270603-03 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415118315 |
|---|---|
| 세부과제번호 | F0004060-2011-34 |
| 연구과제명 | 다기능 복합 디스플레이 기반기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200806~201205 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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