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기판 상에 형성된 양극;상기 양극 상에 전이금속산화물로 형성된 정공수송층;상기 정공수송층상에 형성된 정공주입층;상기 정공주입층 상에 형성된 발광층;상기 발광층 상에 형성된 전자수송층; 및상기 전자수송층 상에 형성된 음극;을 포함하며,상기 정공주입층은, 암모늄염 및 고분자 전해질을 포함하고,상기 암모늄염은, 테트라메틸 암모늄 테트라플로보레이트 (Tetramethylammonium Tetrafluoroborate, TMABF4), 테트라에틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetraethylammonium Tetrafluoroborate, TEABF4), 테트라부틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetrabutylammonium Tetrafluoroborate, TBABF4) 중 어느 하나이고,상기 고분자 전해질은,고분자 중합체인 PEO(polyethylene oxide), PEG(polyethylene glycol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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기판 상에 형성된 음극;상기 음극 상에 형성된 전자수송층;상기 전자수송층 상에 형성된 발광층;상기 발광층 상에 형성된 정공주입층;상기 정공주입층상에 전이금속산화물로 형성된 정공수송층; 및상기 정공수송층상에 형성된 양극;을 포함하며, 상기 정공주입층은, 암모늄염 및 고분자 전해질을 포함하고,상기 암모늄염은, 테트라메틸 암모늄 테트라플로보레이트 (Tetramethylammonium Tetrafluoroborate, TMABF4), 테트라에틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetraethylammonium Tetrafluoroborate, TEABF4), 테트라부틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetrabutylammonium Tetrafluoroborate, TBABF4) 중 어느 하나이고,상기 고분자 전해질은,고분자 중합체인 PEO(polyethylene oxide), PEG(polyethylene glycol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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3
기판 상에 형성된 양극;상기 양극 상에 형성되고, 전이금속산화물, 암모늄염이 포함된 유기화합물 및 고분자 전해질을 포함하는 정공주입수송층;상기 정공주입수송층 상에 형성된 발광층;상기 발광층 상에 형성된 전자수송층; 및상기 전자수송층 상에 형성된 음극;을 포함하고,상기 암모늄염은, 테트라메틸 암모늄 테트라플로보레이트 (Tetramethylammonium Tetrafluoroborate, TMABF4), 테트라에틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetraethylammonium Tetrafluoroborate, TEABF4), 테트라부틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetrabutylammonium Tetrafluoroborate, TBABF4) 중 어느 하나이고,상기 고분자 전해질은,고분자 중합체인 PEO(polyethylene oxide), PEG(polyethylene glycol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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기판 상에 형성된 음극;상기 음극 상에 형성된 전자수송층;상기 전자수송층 상에 형성된 발광층;상기 발광층 상에 형성되고, 전이금속산화물, 암모늄염이 포함된 유기화합물 및 고분자 전해질을 포함하는 정공주입수송층; 및상기 정공주입수송층상에 형성된 양극;을 포함하고,상기 암모늄염은, 테트라메틸 암모늄 테트라플로보레이트 (Tetramethylammonium Tetrafluoroborate, TMABF4), 테트라에틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetraethylammonium Tetrafluoroborate, TEABF4), 테트라부틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetrabutylammonium Tetrafluoroborate, TBABF4) 중 어느 하나이고,상기 고분자 전해질은,고분자 중합체인 PEO(polyethylene oxide), PEG(polyethylene glycol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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기판상에 양극을 형성하는 단계(단계 1);상기 양극상에 전이금속이 포함된 용액을 코팅하여 전이금속산화물로 형성된 정공수송층을 형성하는 단계(단계 2);상기 정공수송층상에 정공주입층을 형성하는 단계(단계 3);상기 정공주입층 상에 발광층을 형성하는 단계(단계 4);상기 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계(단계 5); 및상기 전자수송층 상에 음극을 형성하는 단계(단계 6);를 포함하며,상기 단계 3의 정공주입층은 암모늄염 및 고분자 전해질의 혼합용액을 코팅하여 형성되고,상기 암모늄염은, 테트라메틸 암모늄 테트라플로보레이트 (Tetramethylammonium Tetrafluoroborate, TMABF4), 테트라에틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetraethylammonium Tetrafluoroborate, TEABF4), 테트라부틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetrabutylammonium Tetrafluoroborate, TBABF4) 중 어느 하나이고,상기 고분자 전해질은,고분자 중합체인 PEO(polyethylene oxide), PEG(polyethylene glycol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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6
기판상에 음극을 형성하는 단계(단계 a);상기 음극상에 전자수송층을 형성하는 단계(단계 b);상기 전자수송층 상에 발광층을 형성하는 단계(단계 c);상기 발광층 상에 정공주입층을 형성하는 단계(단계 d);상기 정공주입층 상에 전이금속이 포함된 용액을 코팅하여 전이금속산화물로 형성된 정공수송층을 형성하는 단계(단계 e); 및상기 정공수송층 상에 양극을 형성하는 단계(단계 f);를 포함하며,상기 단계 d의 정공주입층은 암모늄염 및 고분자 전해질의 혼합용액을 코팅하여 형성되고,상기 암모늄염은, 테트라메틸 암모늄 테트라플로보레이트 (Tetramethylammonium Tetrafluoroborate, TMABF4), 테트라에틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetraethylammonium Tetrafluoroborate, TEABF4), 테트라부틸 암모늄 테트라플로보레이트(Tetrabutylammonium Tetrafluoroborate, TBABF4) 중 어느 하나이고,상기 고분자 전해질은,고분자 중합체인 PEO(polyethylene oxide), PEG(polyethylene glycol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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7
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 전이금속 산화물은,텅스텐(W) 산화물, 몰리브덴(Mo) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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8
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 발광층은,PPV(poly(p-phenylenevinylene)), PPP(poly(p-phenylene)), PT (polythiophene), PF(polyfluorene), PFO(poly(9
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9
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 음극은, 금속이 이온화된 형태, 또는 금속이 액체 속에서 콜로이드화된 형태인 금속잉크 및 금속나노 성분을 포함한 금속나노잉크를 이용하여 진공에서 증착공정을 통해 형성되고,상기 금속은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 및 세슘(Cs) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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10
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 음극은, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나를 포함하는 투명 금속산화물을 이용하여 증착공정 또는 액상공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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11
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 기판은,PET(polyethylene terephthalate), PES(polyester), PT(polythiophene) 또는 PI(polyimide) 중 어느 하나인 플라스틱으로 형성되거나, 알루미늄 포일 또는 스테인레스 스틸 포일로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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12
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 전자수송층은, ZnO 나노파티클과 ZnO:Cs, ZnO:Li, ZnO:Mg, ZnO:Al, ZnO:Ca, ZnO:Na 및 ZnO:Ba 중 어느 하나의 화합물을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 정공수송층을 형성하는 단계는,전이금속 산화물이온과 알칼리 금속이온 또는 전이금속 산화물이온과 알칼리 토금속이온을 포함하는 수용액을 양이온 교환 수지에 통과시켜 양이온을 수소이온으로 치환시키는 단계;상기 치환시킨 수용액을 코팅하며, 코팅 후 가열을 통해 물을 증발시켜 전이금속 산화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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