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서로 마주하는 양극 및 음극과;상기 양극 및 상기 음극 사이에 위치하며 양자점과 유기물질을 포함하는 양자점 발광물질층과;상기 양극과 상기 양자점 발광물질층 사이에 위치하는 정공 보조층과;상기 양자점 발광물질층과 상기 음극 사이에 위치하는 전자 보조층을 포함하고,상기 유기물질은 상기 정공 보조층 물질보다 높은 HOMO 레벨을 갖는 양자점 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 양자점 발광물질층에서, 상기 유기물질의 양은 상기 양자점보다 작은 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드
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3
제 2 항에 있어서,상기 양자점에 대하여 상기 유기물질은 3~6%의 중량비를 갖는 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드
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4
제 1 항에 있어서,상기 유기물질의 HOMO 레벨은 -5
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제 1 항 내지 제 4 항 중 하나에 있어서,상기 유기물질은 TCTA(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine) 또는 TPD(4,4＇-bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]biphenyl)이며, 상기 정공 보조층 물질은 PVK(poly-N-vinylcarbazole) 또는 TFB(poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)])인 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드
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제 1 항 내지 제 4 항 중 하나에 있어서,상기 유기물질의 LUMO 레벨은 상기 양자점의 전도대 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드
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7
기판과;상기 기판 상에 위치하는 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 양자점 발광다이오드와;상기 기판과 상기 양자점 발광다이오드 사이에 위치하고 상기 양자점 발광다이오드에 연결되는 박막트랜지스터를 포함하는 양자점 발광표시장치
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제 7 항에 있어서,상기 유기물질은 TCTA(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine) 또는 TPD(4,4＇-bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]biphenyl)이며, 상기 정공 보조층 물질은 PVK(poly-N-vinylcarbazole) 또는 TFB(poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)])인 것을 특징으로 하는 양자점 발광표시장치
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양극을 형성하는 단계와;상기 양극 상에 정공 보조 물질로 이루어지는 정공 보조층을 형성하는 단계와;양자점, 유기물질 및 용매를 포함하는 발광물질용액을 코팅하여 상기 정공 보조층 상에 양자점 발광물질층을 형성하는 단계와;상기 양자점 발광물질층 상에 전자 보조층을 형성하는 단계와;상기 전자 보조층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기물질은 상기 정공 보조층 물질보다 높은 HOMO 레벨을 갖는 양자점 발광다이오드의 제조 방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 발광물질용액에서 상기 유기물질의 양은 상기 양자점보다 작은 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 양자점에 대하여 상기 유기물질은 3~6%의 중량비를 갖는 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드의 제조 방법
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12
제 9 항에 있어서,상기 유기물질의 HOMO 레벨은 -5
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13
제 9 항 내지 제 12 항 중 하나에 있어서,상기 유기물질은 TCTA(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine) 또는 TPD(4,4＇-bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]biphenyl)이며, 상기 정공 보조 물질은 PVK(poly-N-vinylcarbazole) 또는 TFB(poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)])인 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드의 제조 방법
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14
제 9 항 내지 제 12 항 중 하나에 있어서,상기 유기물질의 LUMO 레벨은 상기 양자점의 전도대 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 용매는 무극성 용매와 극성 용매를 포함하고, 상기 극성 용매의 양은 상기 무극성 용매보다 작은 것을 특징으로 하는 양자점 발광다이오드의 제조 방법
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