요약 | 레이저 리프트-오프를 이용한 플렉서블 고상이차전지 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예는 플렉서블 고상이차전지 제조방법으로, 상기 방법은 희생기판 전면에 분리층을 형성하는 단계; 상기 분리층 상에 고상이차전지의 전지층을 제조하는 단계; 상기 희생기판 후면에 레이저를 조사하여, 상기 분리층을 제거하는 단계; 및 상기 분리층 제거에 따라 상기 희생기판으로부터 분리된 고상이차전지를 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 레이저가 투과될 수 있는 희생기판 상에 고상이차전지를 제조하는데, 상기 희생기판과 고상이차전지 사이에는 비정질의 실리콘층을 분리층으로 구비시킨다. 이 경우, 조사되는 레이저에 의하여 상기 수소가 함유된 비정질 실리콘(a-si(H))내의 수소가 기체화되어 외부로 유출되며, 이로써 희생기판과 고상 이차전지와 같은 고상이차전지는 분리될 수 있다. 본 발명은 이러한 방식으로 통하여 분리공정에 일반적으로 사용되는 습식식각 공정의 문제를 간단히 해결할 수 있으며, 경제적인 방식으로 플렉서블 고상이차전지를 제조할 수 있다. |
---|---|
Int. CL | G02F 1/00 (2006.01) H01M 10/0585 (2010.01) H04M 1/675 (2006.01) H01M 10/05 (2010.01) |
CPC | H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110092755 (2011.09.15) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2013-0029488 (2013.03.25) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 거절 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.09.15) |
심사청구항수 | 5 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이건재 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 구민 | 대한민국 | 경기도 부천시 오정구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
최종권리자 정보가 없습니다 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0715588-66 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.03.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0013759-23 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.04.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0239433-82 |
6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2013.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0509913-50 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0512902-29 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.06.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0515288-18 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.06.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0515287-62 |
10 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2013.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0725173-27 |
11 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2013.11.22 | 수리 (Accepted) | 7-1-2013-0045732-27 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 플렉서블 고상이차전지 제조방법으로, 상기 방법은희생기판 전면에 분리층을 형성하는 단계;상기 분리층 상에 고상이차전지의 전지층을 제조하는 단계; 상기 희생기판 후면에 레이저를 조사하여, 상기 분리층을 제거하는 단계; 및상기 분리층 제거에 따라 상기 희생기판으로부터 분리된 고상이차전지를 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 희생기판은 상기 후면에 조사되는 레이저가 투과될 수 있는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
3 |
3 제 2항에 있어서, 상기 분리층은 수소 함유 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
4 |
4 제 2항에 있어서, 상기 희생기판은 유리, 석영 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 방법은상기 분리층을 제거하는 단계 이전, 상기 고상이차전지 상에 지지층을 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
6 |
6 제 4항에 있어서, 상기 수소 함유 비정질 실리콘층은 상기 조사되는 레이저에 의하여 수소가 함유된 비정질 실리콘(a-si(H))내의 수소가 기체화되어 외부로 유출되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 지지층은 폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
8 |
8 플렉서블 이차전지 제조방법으로, 상기 방법은희생기판 전면에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층상에 집전체/양극/전해질/음극/포장재를 순차적으로 적층하여, 이차전지의 전지층을 형성하는 단계;상기 전지층 상에 지지층을 접합시키는 단계;상기 희생기판 후면에 레이저를 조사하여, 상기 비정질 실리콘층에서 수소가스를 발생시키는 단계; 및상기 수소가스 발생에 따라 희생기판으로부터 상기 전지층을 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 방법은 일면이 상기 지지층에 접합된 전지층의 또 다른 일면에 또 다른 지지층을 접합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
10 |
10 제 8항에 있어서, 상기 방법은 일면이 상기 지지층에 접합된 전지층의 또 다른 일면에 상기 지지층과 동일 물질을 도포하여, 상기 지지층 내로 상기 전지층이 삽입된 구조를 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
11 |
11 제 8항에 있어서, 상기 희생기판은 유리, 석영 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
12 |
12 제 8항에 있어서, 상기 지지층은 폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는 플렉서블 고상이차전지 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | KR101231396 | KR | 대한민국 | FAMILY |
2 | KR101232018 | KR | 대한민국 | FAMILY |
3 | KR101336259 | KR | 대한민국 | FAMILY |
4 | US20120115259 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
등록사항 정보가 없습니다 |
---|
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0715588-66 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2013.03.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0013759-23 |
5 | 의견제출통지서 | 2013.04.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0239433-82 |
6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2013.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0509913-50 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0512902-29 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.06.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0515288-18 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.06.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0515287-62 |
10 | 거절결정서 | 2013.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0725173-27 |
11 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.11.22 | 수리 (Accepted) | 7-1-2013-0045732-27 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345145475 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0088402 |
연구과제명 | 마이크로스트럭쳐 반도체(μs-Sc)기술을 활용한 플렉서블 고감도 바이오 센서 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201208 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | BT(생명공학기술) |
과제고유번호 | 1345156443 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0068063 |
연구과제명 | 바이오-IT 융합 기술을 위한 인쇄가능한 반도체 재료 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200905~201204 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345158424 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0009903 |
연구과제명 | 플렉시블 디스플레이 신모드 개발 및 특성 향상 기술 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200709~201602 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020120093852] | 다층 구조의 이차전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020120078872] | 플렉서블 압전소자를 이용한 전기발생장치 및 센서 네트워크 전원 공급 시스템 | 새창보기 |
[1020120049825] | 수용해성 접착제를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 전자소자 | 새창보기 |
[1020120043977] | 플래쉬 램프를 이용한 그래핀 제조장치, 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 그래핀 | 새창보기 |
[1020120025179] | LCP를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법 | 새창보기 |
[1020110128460] | 플래쉬 램프 및 이온 임플란테이션 기술을 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 | 새창보기 |
[1020110128459] | 레이저 및 이온 임플란테이션 기술을 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 | 새창보기 |
[1020110112383] | 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 | 새창보기 |
[1020110103353] | 중성역학층을 이용한 플렉서블 고상 이차전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 고상 이차전지 | 새창보기 |
[1020110100186] | 플렉서블 VLSI 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 VLSI 소자 | 새창보기 |
[1020110100185] | 레이저 리프트오프를 이용한 플렉서블 박막 나노제너레이터 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 박막 나노제너레이터 | 새창보기 |
[1020110092755] | 레이저 리프트-오프를 이용한 플렉서블 고상이차전지 제조방법 | 새창보기 |
[1020110089822] | 피부치료용 플렉서블 광소자 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 광소자 | 새창보기 |
[1020110088045] | 플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자 | 새창보기 |
[1020110087533] | 플렉서블 나노복합 제너레이터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110082437] | 생체용 나노제너레이터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110069203] | 플라스틱 나노제너레이터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110068830] | 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 | 새창보기 |
[1020110062484] | 플래쉬 램프를 이용한 그래핀 제조장치, 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 그래핀 반도체 소자 | 새창보기 |
[1020110045646] | 광유전학용 GaN LED 어레이 소자 제조방법, 이에 따라 제조된 GaN LED 어레이 소자 | 새창보기 |
[1020100121453] | 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 | 새창보기 |
[1020100091217] | 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 | 새창보기 |
[1020090128795] | 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자, 플렉서블 압전소자 및 커패시터 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전소자 및 커 | 새창보기 |
[1020090095406] | 플렉서블 이차전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 이차전지 | 새창보기 |
[1020090095404] | 플렉서블 압전 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전 소자 | 새창보기 |
[1020090087458] | 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자 | 새창보기 |
[1020090072832] | LED 디스플레이 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 LED 디스플레이 | 새창보기 |
[1020090061087] | 플렉서블 센서 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 센서 | 새창보기 |
[KST2015116727][한국과학기술원] | 리튬이차전지 분리막 코팅제 및 이를 이용한 리튬이차전지 분리막 코팅방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2015118684][한국과학기술원] | 트리페닐포스페이트 화합물을 포함하는 리튬이차전지용전해액, 상기 전해액을 포함하는 리튬이차전지 및 이의제조방법 | 새창보기 |
[KST2015114911][한국과학기술원] | 나노 입자형 리튬염을 포함하는 고체 고분자 전해질과 그조성물 | 새창보기 |
[KST2015118604][한국과학기술원] | 신규한 다공성 고분자 전해질 조성물(I) 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015111954][한국과학기술원] | 액적화학증착법을 이용한 초박막형 리튬이온 2차전지의제조방법 | 새창보기 |
[KST2015119317][한국과학기술원] | 탄소나노튜브―다공성 막 복합체를 포함하는 리튬―황 전지 | 새창보기 |
[KST2015114368][한국과학기술원] | 수열합성법에 의한 망간산화물을 이용한 리튬이차전지스피넬형 양극활물질 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015114660][한국과학기술원] | 신규한 다공성 고분자 전해질 조성물(Ⅱ) 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015111661][한국과학기술원] | 신규한 젤 고분자 전해질 조성물(I) 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015112034][한국과학기술원] | 마이크로파 가열을 이용한 리튬이차전지용 양극 분말의제조방법 | 새창보기 |
[KST2015117239][한국과학기술원] | 리튬이차전지의 양극전극용 층상구조 산화물의 표면처리방법 | 새창보기 |
[KST2015111783][한국과학기술원] | 리튬이차전지 음극 활물질용 탄소재의 코팅방법 | 새창보기 |
[KST2015117657][한국과학기술원] | 폴리비닐클로라이드/폴리 (메틸메타크릴레이트) 블렌드를 포함하는 고분자 전해질 조성물 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015118607][한국과학기술원] | 신규한 젤 고분자 전해질 조성물(Ⅲ) 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015118805][한국과학기술원] | 신규한 젤 고분자 전해질 조성물(Ⅱ) 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015116451][한국과학기술원] | 질소 도핑된 탄소 코팅을 포함하는 실리콘계 음극활물질의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지 | 새창보기 |
[KST2015118608][한국과학기술원] | 알루미늄계 화합물이 함유된 리튬 2차전지용 전해액 및 리튬 2차전지 | 새창보기 |
[KST2015111828][한국과학기술원] | 리튬이차전지용 리튬망간 산화물의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014067107][한국과학기술원] | 2단계 결정화 공정으로 제조한 다공성 LiFePO4/C 제조 및 리튬이온전지 양극재로의 응용 | 새창보기 |
[KST2015114571][한국과학기술원] | 리튬 황 전지에 사용되는 자기 조립된 카본나노튜브와 유황의 혼성 복합체를 포함하는 전극 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015111982][한국과학기술원] | 마그네슘-니켈 산화물이 포함된 리튬유황이차전지용 양극및 이를 포함하는 리튬유황이차전지 | 새창보기 |
[KST2015115213][한국과학기술원] | 리튬 이차 전지용 양극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 | 새창보기 |
[KST2015116912][한국과학기술원] | 플렉서블 섬유 전지 | 새창보기 |
[KST2015116775][한국과학기술원] | 그래핀 층과 알루미늄이 코팅된 섬유조직 형태의 중간전극 층이 삽입된 리튬황 전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014063081][한국과학기술원] | 음극산화알루미늄 템플릿을 이용한 탄소 코팅된 황 나노 막대의 제조방법 및 이를 이용한 리튬 이차전지의 제조 | 새창보기 |
[KST2020014606][한국과학기술원] | 음향 광학 상호 작용 구조체 | 새창보기 |
[KST2016007707][한국과학기술원] | 황 탄소 나노 구조체, 이와 같은 황 탄소 나노 구조체를 이용한 리튬-황 이차전지용 양극 및 양극이 적용된 배터리(SULFUR CARBON NANO STRUCTURE, AND POSITIVE ELECTRODE OF LITHIUM-SULFUR BATTERY AND BATTERY BY USING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2014047131][한국과학기술원] | 싸이즈 동적 전이가 가능한 산화물탄소 나노 복합체를 이용한 초고출력 리튬이온 이차전지 음극 재료 개발 | 새창보기 |
[KST2016009210][한국과학기술원] | 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 음극 활물질 및 리튬이차전지(SILICON-SILICON OXYCARBIDE GLASS COMPOSITE, PREPARATION METHOD OF THEREOF, AND ANODE MATERIALS AND LITHIUM SECONDARY BATTERY COMPRISING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2015111953][한국과학기술원] | 분위기 제어를 통한 리튬이차전지용 LiFePO4 정극분말의 제조방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|