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유기 금속 착체 및 이를 포함한 유기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015116771
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상기 화학식 1에 대한 설명은 발명의 상세한 설명을 참고한다.
Int. CL C07F 1/10 (2006.01.01) C07F 1/12 (2006.01.01) C07F 1/08 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130152639 (2013.12.09)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0066957 (2015.06.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.07)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤선 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 이윤호 대한민국 대전광역시 유성구
3 김슬옹 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 신동우 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 이정섭 대한민국 경기도 용인시 기흥구
6 이토 나오유키 일본 경기도 용인시 기흥구
7 추창웅 대한민국 경기도 용인시 기흥구
8 김영은 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1126501-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-1229263-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0125633-53
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0391985-89
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0391986-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2020.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0380845-95
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.07.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0791819-90
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0791818-44
17 등록결정서
Decision to grant
2020.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0535351-33
18 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5026034-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 2로 표시되는 유기 금속 착체:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 중, M은 Ag, Au 또는 Cu을 나타내고;A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 축합 다환기를 나타내고;X 및 Z는 각각 N이고 Y 및 W는 각각 P이거나, 또는 X 및 Z는 각각 P이고 Y 및 W는 각각 N을 나타내며;X 및 Z는 각각 N이고 Y 및 W는 각각 P인 경우, R1 및 R3은 비공유 전자쌍 또는 수소이고, R2 및 R4는 =O; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴기; 탄소수 3 내지 60의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 60의 아릴실릴기; 또는 탄소수 7 내지 60의 알킬아릴실릴기를 나타내고,X 및 Z는 각각 P이고 Y 및 W는 각각 N인 경우, R1 및 R3은 =O; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴기; 탄소수 3 내지 60의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 60의 아릴실릴기; 또는 탄소수 7 내지 60의 알킬아릴실릴기를 나타내고, R2 및 R4는 비공유 전자쌍 또는 수소이며,상기 치환된 알킬기; 치환된 알케닐기; 치환된 알키닐기; 치환된 시클로알킬기; 치환된 시클로알케닐기; 치환된 아릴기; 및 치환된 헤테로아릴기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 화학식 2 식 중, A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 하기 화학식 2a 내지 2f 중 어느 하나인 유기 금속 착체:상기 화학식 2a 내지 2f 중,Z1은 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고;p는 1 내지 8의 정수이고;*는 X, Y, Z 또는 W와의 결합 자리를 나타내며;상기 치환된 알킬기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 화학식 2 식 중, X 및 Z가 각각 N이고, Y 및 W가 각각 P인 경우, R1 및 R3은 각각 비공유 전자쌍 또는 수소이고, R2 및 R4는 각각 하기 화학식 3a 내지 3f 중 어느 하나이며, X 및 Z가 각각 P이고, Y 및 W가 각각 N인 경우, R1 및 R3은 각각 하기 화학식 3a 내지 3f 중 어느 하나이고, R2 및 R4는 비공유 전자쌍 또는 수소인 유기 금속 착체:상기 화학식 3a 내지 3f 중,Z1는 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고;p는 1 내지 7의 정수이고;*는 결합 자리를 나타내며,Z'1 내지 Z'3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기를 나타내며,상기 치환된 알킬기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서,상기 화학식 2가 지연형광발광을 하는 유기 금속 착체
10 10
제 1 항에 있어서,상기 화학식 2의 화합물이 하기 화합물들 중 어느 하나인 유기 금속 착체:
11 11
제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 개재된 유기층을 구비한 유기 발광 소자로서, 상기 유기층이 제 1 항, 제 4 항, 제 6 항, 제 9 항 및 제 10 항 중 어느 한 항의 유기 금속 착체를 포함하는 유기 발광 소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 유기층이 발광층인 유기 발광 소자
13 13
제 12 항에 있어서,상기 발광층이 하기 화학식 3의 화합물을 추가로 포함하는 유기 발광 소자:003c#화학식 3003e#상기 화학식 3 중, X은 C, O, N, P, S, As, 또는 Se를 나타내고;Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 니트로기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알켄기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 축합 다환기를 나타내고;선택적으로 인접한 복수 개의 Ra 또는 Rb는 결합하여 고리를 형성하며;m, n 및 o 는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내며,상기 치환된 아릴기, 치환된 알켄기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 아릴아미노기, 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다
14 14
제 13 항에 있어서,Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알켄기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 또는 하기 화학식 4a인 유기 발광 소자:상기 화학식에서, Z1은 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고;p는 1 내지 5의 정수이고;*는 결합 자리를 나타내며,상기 치환된 알킬기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다
15 15
제 13 항에 있어서,Rc는 하기 화학식 5a 내지 5c중 어느 하나인 유기 발광 소자:상기 화학식에서, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고;p는 1 내지 5의 정수이고;*는 결합 자리를 나타내며,상기 치환된 알킬기, 치환된 아릴기, 치환된 아릴실릴기, 치환된 헤테로아릴기 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다
16 16
제 13 항에 있어서,상기 화학식 3 중, X는 N인 유기 발광 소자
17 17
제 13 항에 있어서,상기 화학식 3의 화합물이 호스트인 유기 발광 소자
18 18
제 13 항에 있어서,상기 화학식 3의 화합물이 하기 화합물들 중 어느 하나인 유기 발광 소자:
19 19
제 11 항에 있어서,상기 유기층이 상기 유기층에 포함되는 화합물을 사용하여 습식 공정으로 형성되는 유기 발광 소자
20 20
제 11 항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 평판 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09741947 US 미국 FAMILY
2 US20150162553 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015162553 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9741947 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.