요약 | 상기 화학식 1에 대한 설명은 발명의 상세한 설명을 참고한다. |
---|---|
Int. CL | C07F 1/10 (2006.01.01) C07F 1/12 (2006.01.01) C07F 1/08 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020130152639 (2013.12.09) |
출원인 | 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2015-0066957 (2015.06.17) 문서열기 |
공고번호/일자 | 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2018.12.07) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
2 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김윤선 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
2 | 이윤호 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 김슬옹 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
4 | 신동우 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
5 | 이정섭 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
6 | 이토 나오유키 | 일본 | 경기도 용인시 기흥구 |
7 | 추창웅 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
8 | 김영은 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 경기 용인시 기흥구 | |
2 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1126501-59 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2018.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-1229263-08 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2020.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0125633-53 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서 |
2020.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-0391985-89 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2020.04.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2020-0391986-24 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
13 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2020.06.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0380845-95 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
15 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2020.07.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2020-0791819-90 |
16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서 |
2020.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-0791818-44 |
17 | 등록결정서 Decision to grant |
2020.08.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0535351-33 |
18 | [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정) |
2020.10.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2020-5026034-62 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 하기 화학식 2로 표시되는 유기 금속 착체:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 중, M은 Ag, Au 또는 Cu을 나타내고;A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 축합 다환기를 나타내고;X 및 Z는 각각 N이고 Y 및 W는 각각 P이거나, 또는 X 및 Z는 각각 P이고 Y 및 W는 각각 N을 나타내며;X 및 Z는 각각 N이고 Y 및 W는 각각 P인 경우, R1 및 R3은 비공유 전자쌍 또는 수소이고, R2 및 R4는 =O; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴기; 탄소수 3 내지 60의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 60의 아릴실릴기; 또는 탄소수 7 내지 60의 알킬아릴실릴기를 나타내고,X 및 Z는 각각 P이고 Y 및 W는 각각 N인 경우, R1 및 R3은 =O; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴기; 탄소수 3 내지 60의 알킬실릴기; 탄소수 6 내지 60의 아릴실릴기; 또는 탄소수 7 내지 60의 알킬아릴실릴기를 나타내고, R2 및 R4는 비공유 전자쌍 또는 수소이며,상기 치환된 알킬기; 치환된 알케닐기; 치환된 알키닐기; 치환된 시클로알킬기; 치환된 시클로알케닐기; 치환된 아릴기; 및 치환된 헤테로아릴기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 화학식 2 식 중, A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 하기 화학식 2a 내지 2f 중 어느 하나인 유기 금속 착체:상기 화학식 2a 내지 2f 중,Z1은 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고;p는 1 내지 8의 정수이고;*는 X, Y, Z 또는 W와의 결합 자리를 나타내며;상기 치환된 알킬기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 화학식 2 식 중, X 및 Z가 각각 N이고, Y 및 W가 각각 P인 경우, R1 및 R3은 각각 비공유 전자쌍 또는 수소이고, R2 및 R4는 각각 하기 화학식 3a 내지 3f 중 어느 하나이며, X 및 Z가 각각 P이고, Y 및 W가 각각 N인 경우, R1 및 R3은 각각 하기 화학식 3a 내지 3f 중 어느 하나이고, R2 및 R4는 비공유 전자쌍 또는 수소인 유기 금속 착체:상기 화학식 3a 내지 3f 중,Z1는 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고;p는 1 내지 7의 정수이고;*는 결합 자리를 나타내며,Z'1 내지 Z'3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기를 나타내며,상기 치환된 알킬기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다 |
7 |
7 삭제 |
8 |
8 삭제 |
9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 화학식 2가 지연형광발광을 하는 유기 금속 착체 |
10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 화학식 2의 화합물이 하기 화합물들 중 어느 하나인 유기 금속 착체: |
11 |
11 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 개재된 유기층을 구비한 유기 발광 소자로서, 상기 유기층이 제 1 항, 제 4 항, 제 6 항, 제 9 항 및 제 10 항 중 어느 한 항의 유기 금속 착체를 포함하는 유기 발광 소자 |
12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 유기층이 발광층인 유기 발광 소자 |
13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 발광층이 하기 화학식 3의 화합물을 추가로 포함하는 유기 발광 소자:003c#화학식 3003e#상기 화학식 3 중, X은 C, O, N, P, S, As, 또는 Se를 나타내고;Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 니트로기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알켄기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 축합 다환기를 나타내고;선택적으로 인접한 복수 개의 Ra 또는 Rb는 결합하여 고리를 형성하며;m, n 및 o 는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내며,상기 치환된 아릴기, 치환된 알켄기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 아릴아미노기, 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다 |
14 |
14 제 13 항에 있어서,Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알켄기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 또는 하기 화학식 4a인 유기 발광 소자:상기 화학식에서, Z1은 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고;p는 1 내지 5의 정수이고;*는 결합 자리를 나타내며,상기 치환된 알킬기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다 |
15 |
15 제 13 항에 있어서,Rc는 하기 화학식 5a 내지 5c중 어느 하나인 유기 발광 소자:상기 화학식에서, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 축합 다환기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고;p는 1 내지 5의 정수이고;*는 결합 자리를 나타내며,상기 치환된 알킬기, 치환된 아릴기, 치환된 아릴실릴기, 치환된 헤테로아릴기 및 치환된 축합 다환기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 탄소수 4 내지 16의 헤테로아릴기, 또는 오르가노실릴기로 치환되어 있다 |
16 |
16 제 13 항에 있어서,상기 화학식 3 중, X는 N인 유기 발광 소자 |
17 |
17 제 13 항에 있어서,상기 화학식 3의 화합물이 호스트인 유기 발광 소자 |
18 |
18 제 13 항에 있어서,상기 화학식 3의 화합물이 하기 화합물들 중 어느 하나인 유기 발광 소자: |
19 |
19 제 11 항에 있어서,상기 유기층이 상기 유기층에 포함되는 화합물을 사용하여 습식 공정으로 형성되는 유기 발광 소자 |
20 |
20 제 11 항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 평판 표시 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09741947 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20150162553 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2015162553 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US9741947 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
등록사항 정보가 없습니다 |
---|
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1126501-59 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2018.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-1229263-08 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
9 | 의견제출통지서 | 2020.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0125633-53 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서 | 2020.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-0391985-89 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2020.04.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2020-0391986-24 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
13 | 최후의견제출통지서 | 2020.06.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0380845-95 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
15 | [명세서등 보정]보정서 | 2020.07.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2020-0791819-90 |
16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서 | 2020.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-0791818-44 |
17 | 등록결정서 | 2020.08.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0535351-33 |
18 | [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정) | 2020.10.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2020-5026034-62 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 9991002098 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0023760 |
연구과제명 | 이산화탄소 활성화를 위한 이핵 금속 착물 촉매 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201109~201408 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | 기타 |
[1020130152639] | 유기 금속 착체 및 이를 포함한 유기 발광 소자 | 새창보기 |
---|
[KST2014008037][한국과학기술원] | 유기 발광 다이오드 디바이스 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2021010563][한국과학기술원] | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자를 포함한 전자 장치 | 새창보기 |
[KST2015118692][한국과학기술원] | 윈도우 장치 | 새창보기 |
[KST2015115684][한국과학기술원] | 투명전극 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015111994][한국과학기술원] | 폴리페닐렌비닐렌계 고분자 발광물질 및 이를 포함하는전기발광소자 | 새창보기 |
[KST2021012507][한국과학기술원] | 전도성 고분자 조성물, 이를 이용한 전도성 고분자 박막, 전자 소자 및 유기 발광 소자 | 새창보기 |
[KST2015114825][한국과학기술원] | 도핑 탄소나노구조체를 이용한 소자 제어방법 및 도핑 탄소나노구조체를 포함하는 소자 | 새창보기 |
[KST2015115334][한국과학기술원] | 그래핀 나노 리본 및 그 제조 방법과 상기 그래핀 나노 리본을 포함하는 투명 도전막 및 전자 소자 | 새창보기 |
[KST2015115586][한국과학기술원] | 블록 공중합체의 자기조립 기술을 이용한 차세대 디스플레이용 그래핀 양자점 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015116328][한국과학기술원] | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015118484][한국과학기술원] | 자기 정렬형 다층 박막을 포함하는 박막 전자소자 | 새창보기 |
[KST2016019131][한국과학기술원] | 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자(Organometallic compound and organic light emitting device comprising the same) | 새창보기 |
[KST2016008101][한국과학기술원] | 유기금속 착체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자(Organometallic complex and organic light emitting diode comprising the same) | 새창보기 |
[KST2019024029][한국과학기술원] | 블록 공중합체와 그래핀 양자점의 복합체, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 센서 | 새창보기 |
[KST2015115535][한국과학기술원] | 투명 디스플레이 장치 | 새창보기 |
[KST2022005946][한국과학기술원] | 고종횡비 격벽패턴을 이용하여 광추출 효율을 향상시킨 발광형 표시장치의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2020013820][한국과학기술원] | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물 | 새창보기 |
[KST2015115158][한국과학기술원] | 카보레인 화합물, 이를 포함한 유기 전계 발광 소자 및 상기 유기 전계 발광 소자를 포함하는 평판 표시 장치 | 새창보기 |
[KST2015119134][한국과학기술원] | 금속 나노 입자를 포함하는 컬러 필터 | 새창보기 |
[KST2015112980][한국과학기술원] | 투명 유기발광다이오드 백라이트 유닛 및 이를 이용한 투명풀컬러 액정 디스플레이 | 새창보기 |
[KST2015111555][한국과학기술원] | 발광소자 및 전자 증배기를 이용한 평판 표시기 | 새창보기 |
[KST2015114997][한국과학기술원] | 무반사 유기 발광 다이오드 소자 | 새창보기 |
[KST2016009317][한국과학기술원] | 정공 수송용 재료 및 이를 이용한 유기 발광 소자(Compound for hole transporting and organic light emitting device utilizing same) | 새창보기 |
[KST2016020554][한국과학기술원] | 그래핀 전사 방법 및 그 응용(Method for transferring graphene and application using the same) | 새창보기 |
[KST2016013004][한국과학기술원] | 전도성 고분자 조성물, 이를 이용한 전도성 고분자 박막, 전자 소자 및 유기 발광 소자(Conductive polymer composition, conductive polymer thin film, electronic device and organic light emitting device using the same) | 새창보기 |
[KST2016011333][한국과학기술원] | 박막 봉지막(Thin film for encapsulation) | 새창보기 |
[KST2015116040][한국과학기술원] | 비대칭이고 치환 가능한 벤즈아줄렌 형태의 형광 화합물 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2021000038][한국과학기술원] | 양자점 발광다이오드, 그 제조 방법 및 양자점 발광표시장치 | 새창보기 |
[KST2015117973][한국과학기술원] | 유기발광소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015115633][한국과학기술원] | 전 용액 공정이 가능한 유기발광소자 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|