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제 1차 포토레지스트를 웨이퍼 상에 도포하는 단계;상기 제 1차 포토레지스트를 노광하여 반도체 칩의 일정 영역을 보호하는 포토레지스트만을 남겨놓는 단계;상기 제 1차 포토레지스트 작업된 웨이퍼 위에 접착제 층을 형성하는 단계;상기 웨이퍼 위에 제 2차 포토레지스트를 도포하고 노광하여 반도체 칩의 일부 영역 위의 접착제 층에 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 형성된 제 2차 포토레지스트를 마스크로 사용하여 상기 접착제 층을 습식 또는 건식 방법으로 에칭하는 단계; 및상기 제 2차 포토레지스트를 제거하고, 상기 제 1차 포토레지스트 및 접착제 층 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 개별 칩으로 다이싱하여 웨이퍼 레벨 패키지를 제조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 접착제 층은 이방성 전도성 접착제(ACA) 또는 비전도성 접착제(NCA)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 접착제 층은 전체적으로 필름 또는 페이스트 상태로 도포되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지 제작 방법
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제 4항에 있어서, 상기 접착체 층이 페이스트 형태일 경우 스핀코팅, 디스펜싱, 닥터블레이드법, 매니스커드 코팅법 중 선택되는 1종 이상의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1차 포토레지스트 및 접착제 층 잔류물을 하는 방법은 리프트-오프 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 도포된 접착제는 B-스테이지 상태인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 패키지 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1차 포토레지스트는 웨이퍼 상에 도포된 이미지 센서 칩의 이미지 센싱 영역만 남는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 패키지 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 접착제를 에칭하는 방법은 화학 용액을 사용하는 습식 에칭 또는 플라즈마 또는 레이저를 사용하는 건식 에칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 패키지 제조방법
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 의해 제작된 웨이퍼 레벨 패키지를 이용한 이미지 센서 모듈
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