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촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노 구조체의 제작방법, 이를 이용하여 제조된 수직 실리콘 나노 구조체, 및 이를 포함하는 소자
- 기술번호 : KST2015119362
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 수직 실리콘 나노선을 제작하는 과정에 있어서, 나노선을 효율적으로 이용하기 위해서는 간격이 조밀하고 길이가 긴 나노선을 이용하게 된다. 이러한 종횡비가 큰 실리콘 나노선의 제작 과정 중에는 나노선 의 리닝(leaning) 현상이 발생하여, 결과적으로 이웃하는 나노선 간에 뭉침 현상이 일어날 수 있다. 본 발명은 금속 촉매 식각 과정 중 이러한 이웃하는 나노선 간의 뭉침 현상을 방지하기 위하여, 나노선의 리닝(leaning)을 막아, 기계적으로 안정한 구조를 가질 수 있는 제조 방법과 이를 통해 제조된 나노 구조체 및 이를 포함하는 소자를 제공하고자 한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/306 (2006.01) H01L 27/16 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/0676(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120134272 (2012.11.26) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1353373-0000 (2014.01.14) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20140121) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.11.26) |
| 심사청구항수 | 13 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이석희 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 2 | 정현호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 최지훈 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 김태균 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 5 | 임성묵 | 대한민국 | 대전 중구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한상수 | 대한민국 | 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.11.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0972445-97 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2012.11.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0141865-84 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0983882-83 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0096545-85 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.07.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 7 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.08.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0061587-36 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.09.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0664871-13 |
| 9 | [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2013.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0900843-79 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0900804-09 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.10.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0900822-10 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.10.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0712829-76 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 수직 나노 구조체의 제조 방법에 있어서,(a) 반도체 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 반도체 기판에 촉매 금속 박막을 증착하는 단계;(c) 상기 촉매 금속 박막을 패터닝(patterning)하여, 홀(hole) 형상의 구조를 형성하는 단계;(d) 상기 홀(hole) 구조를 갖는 촉매 금속 박막이 패터닝된 상기 반도체 기판을 촉매 금속 식각용 수용액에 장입하여, 촉매 금속과 접촉하는 반도체 기판을 제1 깊이로 식각하는 단계;(e) 리소그라피(Lithography) 공정을 이용하여 수직 나노 구조체 상부의 윈도우(window) 부분에 포토레지스트(Photo Resist) 물질을 증착하는 단계;(f) 상기 (e)단계를 거친 반도체 기판의 전 영역에, 스텝 커버리지(Step coverage)가 좋지 않은 증착 방법을 이용하여 고정층을 증착하는 단계;(g) 상기 (e)단계에서 증착한 포토레지스트(Photo Resist) 물질을 PR식각 용액에 담가, 포토레지스트(Photo Resist) 물질과 포토레지스트(Photo Resist) 물질의 상부에 증착된 고정층을 함께 제거하는 단계,(h) 상기 (g)단계를 거친 반도체 기판을 다시 촉매 금속 식각용 수용액에 담가 수직 나노 구조체를 제2 깊이까지 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 단결정 물질, III-V 화합물, 또는 그 조합으로 이루어진 물질로 이루어지고, Si, Ge, GaAs, InP, SiGe 중의 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 SOI(Silicon-On-Insulator)의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 촉매 금속 박막은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 금속 촉매 식각용 수용액은 HF, H2O2,또는 금속염 중의 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 촉매 금속 박막의 증착은 스퍼터링(sputtering), 열 기상 증착(thermal evaporator), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 중의 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 (c)단계에서 상기 촉매 금속 박막을 홀(hole) 형상으로 패터닝(patterning)하는 방법은 포토리소그래피(Photolithgraphy), 또는 AAO(Anodic Aluminum Oxide), 블록 코폴리머(Block copolymer)와 같은 셀프얼라인 템플릿(self-align template)을 전사하는 방법 중의 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 (f)단계의 상기 스텝 커버리지(Step coverage)가 좋지 않은 증착 방법은 스퍼터링(sputtering), 열 기상 증착(thermal evaporator), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 중의 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 (f)단계의 상기 고정층은 Si, Ge, GaAs, InP, SiGe, 산화막, 질화막, 금속막 중의 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 제1깊이는 200 내지 1000 nm 이고, 상기 제2 깊이는 1 내지 50μm 인 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체의 제조 방법 |
| 11 |
11 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 방법으로 제작된 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체 |
| 12 |
12 수직 나노 구조체 어레이에 있어서,반도체 기판;제1항 내지 제10항 중의 어느 하나의 방법으로 제작된 복수개의 수직 나노 구조체;수직 나노 구조체의 상부를 고정하는 고정층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노 구조체 어레이 |
| 13 |
13 제12항의 수직 나노 구조체 어레이를 포함하는 나노 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 한국과학기술원 | 나노소재기술개발사업 [국가그린나노소재 개발사업] | 하향식 반도체 공정기반 고효율 나노열전소자개발 (3차년) |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1353373-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20121126 출원 번호 : 1020120134272 공고 연월일 : 20140121 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131017 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 21/306 발명의 명칭 : 촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노 구조체의 제작방법, 이를 이용하여 제조된 수직 실리콘 나노 구조체, 및 이를 포함하는 소자 존속기간(예정)만료일 : 20180115 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 276,000 원 | 2014년 01월 14일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 241,890 원 | 2017년 02월 20일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.11.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0972445-97 |
| 2 | 보정요구서 | 2012.11.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0141865-84 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0983882-83 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0096545-85 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.07.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 7 | 선행기술조사보고서 | 2013.08.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0061587-36 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2013.09.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0664871-13 |
| 9 | [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0900843-79 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0900804-09 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.10.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0900822-10 |
| 12 | 등록결정서 | 2013.10.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0712829-76 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345177111 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0029332 |
| 연구과제명 | 반도체 공정기반 수직정렬 나노선 열전소자 원천기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국표준과학연구원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201009~201508 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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