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그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015118268
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자 및 그 형성 방법에 관한 것으로서, 수직 나노선 구조의 나노 소자에서 나노선과 금속전극 사이에 그래핀을 삽입하여 그래핀의 물리적인 특성으로 금속전극의 금속이 나노선 틈새로 침투하는 것을 방지할 뿐만 아니라 나노선과 금속전극 사이에 전기적인 성능을 유지할 수 있어 나노 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020120005434 (2012.01.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0084562 (2013.07.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석희 대한민국 대전 유성구
2 정현호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0044838-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0014506-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0572233-24
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0147620-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 소정 간격으로 수직하게 세워진 다수개의 나노선; 상기 나노선 끝단 상부에 형성된 그래핀층; 및 상기 그래핀층 상부에 형성된 상부층을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 반도체 물질들과 III-V 화합물 또는 그 조합에 의한 물질인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자
3 3
제 1항에 있어서, 기판은 SOI(silicon-on-insulator) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 상부층은 금속전극인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자
5 5
기판상에 소정 간격으로 수직하게 다수개의 나노선을 형성하는 단계; 상기 나노선 끝단 상부로 기 성장시킨 그래핀층을 옮기는 단계; 및 상기 그래핀층 상부에 패터닝하여 상부층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자의 형성 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 나노선을 형성하는 단계는 금속을 촉매로 하는 식각 기법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자의 형성 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 나노선을 형성할 때 AgNO3와 HF의 농도를 통해 상기 나노선의 직경 및 길이와 균일한 정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자의 형성 방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 나노선은 탑다운(Top-down) 방식으로 식각하거나 바텀업(Bottom-up) 방식으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자의 형성 방법
9 9
제 5항에 있어서, 상기 그래핀층을 옮기는 단계는 구리기판에 성장된 상기 그래핀층에 PMMA(Polymethylmethacrylate)를 스핀코딩한 후 구리를 제거하고 IPA(isopropyl alcohol)에 띄워 옮기는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자의 형성 방법
10 10
제 5항에 있어서, 상기 상부층은 금속전극인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 수직 나노선 구조의 나노 소자의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.