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그래핀 전자 소자, 그래핀 전사층 및 그래핀 전자 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015121644
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 전자 소자의 제조 방법은 금속 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계; 그래핀층 상에 제1 금속을 증착하여 금속 보호층을 형성하는 단계; 금속 보호층 상에 전사 지지층을 형성하는 단계; 금속 기판을 그래핀층으로부터 제거하는 단계; 그래핀층, 금속 보호층 및 전사 지지층으로 구성된 그래핀 전사층을 타겟 기판에 전사하는 단계; 전사 지지층을 제거하여 금속 보호층을 노출하는 단계; 금속 보호층 상에 제2 금속을 증착하여 전극을 형성하는 단계; 및 금속 보호층 중 노출된 부분을 제거하여 전극 하부에만 금속 보호 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 그래핀층의 표면을 보호하여 그래핀 전자 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01)
출원번호/일자 1020130039962 (2013.04.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1372286-0000 (2014.03.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.11)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영환 대한민국 서울 노원구
2 김성일 대한민국 서울 노원구
3 김용태 대한민국 경기 성남시 분당구
4 김춘근 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0316365-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.19 수리 (Accepted) 9-1-2013-0107519-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
5 등록결정서
Decision to grant
2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0144709-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 제1 금속을 증착하여 금속 보호층을 형성하는 단계;상기 금속 보호층 상에 전사 지지층을 형성하는 단계;상기 금속 기판을 상기 그래핀층으로부터 제거하는 단계;상기 그래핀층, 상기 금속 보호층 및 상기 전사 지지층으로 구성된 그래핀 전사층을 타겟 기판에 전사하는 단계;상기 전사 지지층을 제거하여 상기 금속 보호층을 노출하는 단계;상기 금속 보호층 상에 제2 금속을 증착하여 전극을 형성하는 단계; 및상기 금속 보호층 중 노출된 부분을 제거하여 상기 전극 하부에만 금속 보호 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 동일한 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 전극 하부에만 금속 보호 패턴을 형성하는 단계는,습식 식각 공정을 이용하여 상기 전극이 형성된 영역을 제외하고 상기 금속 보호층을 제거하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계는,리프트 오프(lift-off) 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 선택적인 화학적 식각이 가능한 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 전극 하부에만 금속 보호 패턴을 형성하는 단계는,선택적인 화학적 식각 공정을 이용하여 상기 전극이 형성된 영역을 제외하고 상기 금속 보호층을 제거하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 제2 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 금속 보호층을 형성하는 단계는,상기 제1 금속을 10 내지 20 nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계는,상기 금속 보호층 상에 제2 금속을 증착하는 단계; 및제2 금속을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계 이전에,상기 금속 보호층 또는 상기 그래핀층을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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금속 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 제1 금속을 증착하여 금속 보호층을 형성하는 단계;상기 금속 보호층 상에 전사 지지층을 형성하는 단계; 및상기 금속 기판을 상기 그래핀층으로부터 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 전사층의 제조 방법
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기판 상에 형성된 그래핀층;제1 금속으로 형성되며, 상기 그래핀층에 이격되어 형성된 금속 보호 패턴들; 및제2 금속으로 형성되며, 상기 금속 보호 패턴들 상에 형성된 전극들을 포함하며, 상기 금속 보호 패턴들은 상기 기판 및 상기 전극들 사이에만 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
14 14
제13항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 동일한 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
15 15
제13항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 선택적인 화학적 식각이 가능한 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
16 16
제13항에 있어서,상기 제1 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
17 17
제13항에 있어서,상기 제2 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
18 18
제13항에 있어서, 상기 금속 보호 패턴들은 10 내지 20 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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