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금속 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 제1 금속을 증착하여 금속 보호층을 형성하는 단계;상기 금속 보호층 상에 전사 지지층을 형성하는 단계;상기 금속 기판을 상기 그래핀층으로부터 제거하는 단계;상기 그래핀층, 상기 금속 보호층 및 상기 전사 지지층으로 구성된 그래핀 전사층을 타겟 기판에 전사하는 단계;상기 전사 지지층을 제거하여 상기 금속 보호층을 노출하는 단계;상기 금속 보호층 상에 제2 금속을 증착하여 전극을 형성하는 단계; 및상기 금속 보호층 중 노출된 부분을 제거하여 상기 전극 하부에만 금속 보호 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 동일한 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 전극 하부에만 금속 보호 패턴을 형성하는 단계는,습식 식각 공정을 이용하여 상기 전극이 형성된 영역을 제외하고 상기 금속 보호층을 제거하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계는,리프트 오프(lift-off) 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 선택적인 화학적 식각이 가능한 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 전극 하부에만 금속 보호 패턴을 형성하는 단계는,선택적인 화학적 식각 공정을 이용하여 상기 전극이 형성된 영역을 제외하고 상기 금속 보호층을 제거하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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7
제1항에 있어서,상기 제1 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 보호층을 형성하는 단계는,상기 제1 금속을 10 내지 20 nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계는,상기 금속 보호층 상에 제2 금속을 증착하는 단계; 및제2 금속을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계 이전에,상기 금속 보호층 또는 상기 그래핀층을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자의 제조 방법
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금속 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 제1 금속을 증착하여 금속 보호층을 형성하는 단계;상기 금속 보호층 상에 전사 지지층을 형성하는 단계; 및상기 금속 기판을 상기 그래핀층으로부터 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 전사층의 제조 방법
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기판 상에 형성된 그래핀층;제1 금속으로 형성되며, 상기 그래핀층에 이격되어 형성된 금속 보호 패턴들; 및제2 금속으로 형성되며, 상기 금속 보호 패턴들 상에 형성된 전극들을 포함하며, 상기 금속 보호 패턴들은 상기 기판 및 상기 전극들 사이에만 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
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제13항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 동일한 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
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제13항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 선택적인 화학적 식각이 가능한 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
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제13항에 있어서,상기 제1 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
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제13항에 있어서,상기 제2 금속은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
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제13항에 있어서, 상기 금속 보호 패턴들은 10 내지 20 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀 전자 소자
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