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기판 상에 양극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 및 음극이 적층되는 유기전계 발광소자에 있어서,상기 정공주입층 또는 전자주입층 중 어느 하나가 그래핀 산화물을 포함하고,상기 정공주입층은 염화 로듐(RhCl3), 염화 팔라듐(PdCl2), 염화 금(Ⅲ)(AuCl3), 염화 몰리브덴(MoCl3), 염화 이리듐(IrCl3) 또는 염화 오스뮴(OsCl3) 중 하나 이상을 포함하는 재료를 그래핀 산화물에 도핑(P-doping)하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자
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기판 상에 양극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 및 음극이 적층되는 유기전계 발광소자에 있어서,상기 정공주입층 또는 전자주입층 중 어느 하나가 그래핀 산화물을 포함하고,상기 전자주입층은 탄산 세슘(Cs2CO3), 탄산 루비튬(Rb2CO3), 탄산 칼슘(K2CO3) 또는 탄산 리튬(Li2CO3) 중 하나 이상을 포함하는 재료를 그래핀 산화물에 도핑(N-doping)하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자
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제2 또는 3항에 있어서,상기 그래핀 산화물은 계면활성제, 극성 용매 또는 비극성 용매 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자
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기판 상에 양극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 및 음극이 적층되는 유기전계 발광소자의 제조방법에 있어서,흑연으로부터 그래핀 산화물을 제조하는 단계;상기 그래핀 산화물을 분산 용액에 분산시켜 정공주입층 또는 전자주입층을 코팅하기 위한 그래핀 산화물 용액을 제조하는 단계;상기 정공주입층을 코팅하기 위해 제조된 그래핀 산화물 용액을 상기 양극에 코팅하여 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 위에 고분자 발광층을 코팅하는 단계;상기 발광층 위에 상기 전자주입층을 코팅하기 위해 제조된 그래핀 산화물 용액을 코팅하여 전자주입층을 형성하는 단계; 및상기 전자주입층 위에 음극을 증착하는 단계를 포함하고,상기 정공주입층을 코팅하기 위한 그래핀 산화물 용액을 제조하는 단계는, 염화 로듐(RhCl3), 염화 팔라듐(PdCl2), 염화 금(Ⅲ)(AuCl3), 염화 몰리브덴(MoCl3), 염화 이리듐(IrCl3) 또는 염화 오스뮴(OsCl3) 중 어느 하나 이상을 포함하는 재료를 그래핀 산화물에 도핑(P-doping)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 분산 용액은 계면활성제, 극성 용매 또는 비극성 용매 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제5항 또는 제6항에서,상기 그래핀 산화물을 제조하는 단계 이후에, 상기 그래핀 산화물을 원심분리를 이용하여 추출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제5항 또는 제6항에서,상기 정공주입층의 가전자대(valence band)는 상기 양극의 일함수(work-function)와 상기 발광층의 최고준위 점유 분자궤도(highest occupied molecular orbital)사이에 위치하고, 상기 정공주입층의 전도대(conduction band)는 상기 발광층의 최저준위 비점유 분자궤도(lowest unoccupied molecular orbital)보다 낮은 일함수를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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제5항 또는 제6항에서,상기 전자주입층의 전도대(conduction band)는 상기 음극의 일함수와 상기 발광층의 최저준위 비점유 분자궤도(lowest unoccupied molecular orbital) 사이에 위치하고, 상기 전자주입층의 가전자대(valence band)는 상기 발광층의 최고준위 점유 분자궤도(highest occupied molecular orbital) 보다 높은 일함수를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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기판 상에 양극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 및 음극이 적층되는 유기전계 발광소자의 제조방법에 있어서,흑연으로부터 그래핀 산화물을 제조하는 단계;상기 그래핀 산화물을 분산 용액에 분산시켜 정공주입층 또는 전자주입층을 코팅하기 위한 그래핀 산화물 용액을 제조하는 단계;상기 정공주입층을 코팅하기 위해 제조된 그래핀 산화물 용액을 상기 양극에 코팅하여 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 위에 고분자 발광층을 코팅하는 단계;상기 발광층 위에 상기 전자주입층을 코팅하기 위해 제조된 그래핀 산화물 용액을 코팅하여 전자주입층을 형성하는 단계; 및상기 전자주입층 위에 음극을 증착하는 단계를 포함하고,상기 전자주입층을 코팅하기 위한 그래핀 산화물 용액을 제조하는 단계는,탄산 세슘(Cs2CO3), 탄산 루비튬(Rb2CO3), 탄산 칼슘(K2CO3) 또는 탄산 리튬(Li2CO3) 중 어느 하나 이상을 포함하는 재료를 그래핀 산화물에 도핑(N-doping)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법
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