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금속을 포함하는 패시배이션 층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122132
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터는, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션(passivation) 층을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극; 상기 게이트 전극상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 위치하는 채널층; 상기 채널층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 채널층상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각과 이격하여 위치하며, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션 층을 포함할 수 있다. 상기 패시배이션 층을 이용하여 채널층에 대한 빛, 산소, 수분 및/또는 불순물의 투과를 차단할 수 있으며 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020110072804 (2011.07.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1239231-0000 (2013.02.26)
공개번호/일자 10-2013-0011566 (2013.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 정유진 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0566142-66
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0486595-51
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0804054-08
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0804055-43
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0121492-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
게이트 전극; 상기 게이트 전극상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 위치하는 채널층; 상기 채널층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 채널층상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각과 이격하여 위치하며, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서,상기 패시배이션 층은, 산화아연인듐, 산화주석, 산화아연주석, 산화주석인듐, 니켈, 구리, 인듐, 마그네슘, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 금, 은 및 알루미늄으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서,상기 채널층은, 실리콘 및 아연 중 하나 이상을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
게이트 전극상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막상에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 채널층상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각과 이격하여 위치하며, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 패시배이션 층을 형성하는 단계는, 스퍼터링법, 열 증착법, 전자빔 증착법, 화학 기상 증착법, 졸-겔법 또는 이온 도금법 중 어느 하나를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US20130020567 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013020567 US 미국 DOCDBFAMILY
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