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입방정질화붕소 박막 제조방법 및 이를 통해 제조된 입방정질화붕소 박막 구조물

  • 기술번호 : KST2015122259
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면요철 특성이 억제된 나노결정다이아몬드 상에 cBN을 증착시킴으로써 cBN과 나노결정다이아몬드 계면의 밀착력을 향상시킴과 함께, cBN의 합성시 반응기체에 수소를 포함시키고 수소의 공급시점을 제어함으로써 나노결정다이아몬드 박막 표면에서 발생하는 수소와의 유해한 반응 및 cBN에 인가되는 잔류응력을 억제시킬 수 있는 cBN 박막 제조방법 및 이를 통해 제조된 cBN 박막 구조물에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 cBN 박막 제조방법은 물리기상증착 공정을 이용하여 나노결정다이아몬드 박막 상에 입방정질화붕소(cBN) 박막을 형성하며, 상기 물리기상증착 공정시, 박막의 증착이 발생되는 시점에서 공급되는 반응기체는 아르곤(Ar)과 질소(N2)의 혼합기체이며, 박막의 증착이 발생된 시점에서 경과된 시점에 수소(H2)가 반응기체에 추가되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/46 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120046828 (2012.05.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1165329-0000 (2012.07.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
2 박종극 대한민국 서울 서초구
3 이욱성 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0353750-11
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0432578-39
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2012.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2012.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0046562-64
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0387589-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
물리기상증착 공정을 이용하여 나노결정다이아몬드 박막 상에 입방정질화붕소(cBN) 박막을 형성하며, 상기 물리기상증착 공정시, 박막의 증착이 발생되는 시점에서 공급되는 반응기체는 아르곤(Ar)과 질소(N2)의 혼합기체이며, 박막의 증착이 발생된 시점에서 경과된 시점에 수소(H2)가 반응기체에 추가되는 것을 특징으로 하는 cBN 박막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노결정다이아몬드 박막 상에 cBN 박막이 형성되기 전에 tBN(turbostratic BN) 박막이 형성되며, 상기 tBN 박막이 형성되는 시점까지 반응기체로 아르곤(Ar)과 질소(N2)의 혼합기체가 공급되며, 상기 나노결정다이아몬드 박막 전면 상에서의 상기 tBN 박막의 성장이 완료된 시점 이후에는 아르곤(Ar), 질소(N2), 수소(H2)의 혼합기체가 반응기체로 공급되는 것을 특징으로 하는 cBN 박막 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 물리기상증착 공정은 스퍼터링 공정 또는 이온빔 증착공정인 것을 특징으로 하는 cBN 박막 제조방법
4 4
나노결정다이아몬드 박막 상에 순차적으로 성장된 tBN 박막과 cBN 박막을 포함하여 이루어지며, 상기 tBN 박막과 cBN 박막은 스퍼터링 공정 또는 이온빔 증착공정을 통해 형성되며, 상기 tBN 박막 성장시 반응기체는 아르곤(Ar)과 질소(N2)의 혼합기체이고, 상기 나노결정다이아몬드 박막 전면 상에서의 tBN 박막의 성장이 완료된 시점 이후의 반응기체는 아르곤(Ar), 질소(N2), 수소(H2)의 혼합기체인 것을 특징으로 하는 cBN 박막 구조물
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국표준과학연구원 소재원천기술개발사업 경원소 공유결합형 초경도 박막합성 기술(2M29240)