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Si 기판상에 제1 AlSb 층을 형성하는 단계; 및상기 제1 AlSb 층 상에 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 화합물 반도체층은 GaSb층이고,상기 제1 AlSb 층은 0
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제1항에 있어서,상기 Si 기판상에 제1 AlSb 층을 형성하는 단계는,상기 Si 기판은 표면 산화막이 제거되고, 상기 표면 산화막이 제거된 Si 기판상에 GaAs 층을 형성하고, 상기 GaAs층 상에 상기 제1 AlSb 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 AlSb 층 상에 화합물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 제1 AlSb 층 상에 AlSb층 및 AlGaSb층으로 구성된 단주기 초격자층을 형성하는 단계;상기 단주기 초격자층 상에 제2 AlSb 층을 형성하는 단계; 및상기 제2 AlSb 층 상에 상기 GaSb층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 제조방법
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제5항에 있어서,상기 단주기 초격자층을 형성하는 단계는,AlxGa1-xSb층 및 제3 AlSb 층을 포함하는 유닛 단주기 초격자층을 복수개 형성하는 단계를 포함하되,상기 유닛 단주기 초격자층은 1개 내지5개 미만이고, 상기 x는 0보다 크고 1보다 작은 실수인 것을 특징으로 하는 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 제조방법
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제6항에 있어서,상기 x는 0
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Si 기판 상에 형성된 제1 AlSb 층;상기 제1 AlSb 층 상에 형성된 AlSb층 및 AlGaSb층으로 구성된 단주기 초격자층;상기 단주기 초격자층 상에 형성된 제2 AlSb 층;상기 제2 AlSb 층 상에 형성된 GaSb층을 포함하되,상기 제1 AlSb층은 상기 제1 AlSb 층은 550℃내지 610℃에서 형성된 것을 특징으로 하는 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판
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제8항에 있어서,상기 단주기 초격자층은,AlxGa1-xSb층 및 제3 AlSb 층을 포함하는 유닛 단주기 초격자층을 복수개 포함하되,상기 유닛 단주기 초격자층은 1개 내지 10개 미만이고, 상기 x는 0
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