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다이아몬드 분말, 코팅원소 및 활성제를 혼합하여 분말혼합물을 마련하는 단계; 및상기 분말혼합물을 불활성분위기 또는 환원 분위기에서 가열하여 상기 다이아몬드 분말 입자의 표면에 탄화물 층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 활성제로는 염화물, 불화물 및 요오드화물로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 염화물로는 NaCl, KCl, LiCl, CaCl2 및 BaCl2로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 불화물로는 NaF, KF, LiF, MgF2, CaF2, BaF2, SrF2 및 NH4F 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 요오드화물로는 NaI, KI, LiI, MgI2, CaI2, BaI2 및 NH4I 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 활성제의 양은, 상기 코팅원소분말 100 중량부 대비 0
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제1항에 있어서, 상기 탄화물 층을 형성하는 단계는, 상기 코팅원소와 상기 활성제가 반응하여 생성된 기상의 코팅원소-활성제 화합물이, 상기 다이아몬드 분말 입자의 표면과 반응함으로써 상기 다이아몬드 분말 입자의 표면에 탄화물 층이 형성되는 것을 특징으로 하는, 기상-고상 반응을 통하여 탄화물이 피복된 다이아몬드 입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 코팅원소로는 Ti, Si, B, Al, Mn, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo 및 W 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄화물이 피복된 다이아몬드 입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 가열 온도가 500℃ 내지 1200℃인 것을 특징으로 하는 탄화물이 피복된 다이아몬드 입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 코팅원소의 양은, 상기 다이아몬드 분말 100 중량부대비 0
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제1항에 있어서, 상기 가열 시간은 1분 내지 600분인 것을 특징으로 하는 탄화물이 피복된 다이아몬드 입자를 제조하는 방법
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제1항, 제2항, 제3항, 제5항, 제10항 또는 제12항 중 어느 한 항에 따라 제조된, 탄화물이 피복된 다이아몬드 입자
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제13항의 탄화물이 피복된 다이아몬드 입자를 포함하는 공구
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다이아몬드 분말, 코팅원소 및 활성제를 혼합하여 분말혼합물을 마련하는 단계; 및상기 분말혼합물을 불활성분위기 또는 환원 분위기에서 가열하여 상기 다이아몬드 분말 입자의 표면에 탄화물 층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 활성제는 NaCl, NH4F 및 NaF로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 활성제의 양은, 상기 코팅원소분말 100 중량부 대비 0
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제15항에 있어서, 상기 코팅원소로는 Ti, Si, B, Al, Mn, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo 및 W 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄화물이 피복된 다이아몬드 입자를 제조하는 방법
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다이아몬드 분말, 코팅원소 및 활성제를 혼합하여 분말혼합물을 마련하는 단계; 및상기 분말혼합물을 불활성분위기 또는 환원 분위기에서 가열하여 상기 다이아몬드 분말 입자의 표면에 탄화물 층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 활성제는 NH4Cl이고
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제17항에 있어서, 상기 코팅원소로는 Ti, Si, B, Al, Mn, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo 및 W 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄화물이 피복된 다이아몬드 입자를 제조하는 방법
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