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직류전원플라즈마화학증착법에의한다이아몬드막의합성방법

  • 기술번호 : KST2015123174
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직류전원 플라즈마 화학증착법을 이용한 다이아몬드막의 고속, 대면적 합성방법에 관한 것이다. 본 발명은 다이아몬드의 고속합성을 위하여 직류전원 플라즈마 화학증착법을 이용하고 대면적합성을 위해 여러개의 음극을 독립적인 직류준원과 연결한 다음극에 의해 양전극 사이에 커다란 크기의 플라즈마를 안정하게 발생 유지시키는데 기술적 특징이 있다. 본 발명에 의한 다이아몬드의 합성시에는 합성속도는 단음극 사용시와 같은 정도의 수십㎛/h의 높은 속도를 얻을 수 있고, 합성면적은 음극의 갯수를 증가시켜 쉽게 증가시킬 수 있어 다이아몬드의 중요한 응용분야인 고열전도성 기판재의 합성이나 적외선투과창등의 다이아몬드 후막합성에 유용하게 이용될 수 있다.
Int. CL C30B 29/04 (2006.01) C01B 31/06 (2006.01)
CPC C01B 32/25(2013.01) C01B 32/25(2013.01) C01B 32/25(2013.01)
출원번호/일자 1019930032330 (1993.12.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0105957-0000 (1996.10.10)
공개번호/일자 10-1995-0017735 (1995.07.20) 문서열기
공고번호/일자 1019960010087 (19960725) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.01.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시노원구
2 이재갑 대한민국 서울특별시노원구
3 은광용 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.31 수리 (Accepted) 1-1-1993-0159940-13
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.01.04 수리 (Accepted) 1-1-1993-0159942-04
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.01.04 수리 (Accepted) 1-1-1993-0159941-58
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0078563-63
5 등록사정서
Decision to grant		 1996.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0078564-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

반응용기 내부의 음극과 양극간에 플라즈마를 형성시켜 반응가스를 분해함으로서 기판상에 다이아몬드막을 증착시키는 직류전원 플라즈마 합성방법에 있어서, 음극으로 각기 독립적인 직류전원과 연결된 복수개의 음극이 배열되어 이루어진 다음극을 사용하고 합성 압력을 100~500Torr로 유지하여 양 전극간에 커다란 플라즈마를 형성시켜 고속, 대면적으로 다이아몬드막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 직류전원 플라즈마 화학증착법에 의한 다이아몬드막의 합성방법

2 2

제 1 항에 있어서, 반응개스는 수소-(1~10%)메탄-(0~5%)산소의 혼합개스로 조성됨을 특징으로 하는 직류전원 플라즈마 화학증착법에 의한 다이아몬드막의 합성방법

3 3

제 1 항에 있어서, 반응개스는 수소-(1~30%)일산화탄소의 혼합개스로 조성됨을 특징으로 하는 직류전원플라즈마 화학증착법에 의한 다이아몬드막의 합성방법

4 4

제 1 항에 있어서, 다음극은 세개의 음극이 삼각형상으로 배열됨을 특징으로 하는 직류전원 플라즈마 화학증착법에 의한 다이아몬드막의 합성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.