요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약
본 발명은 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 합성방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 가느다란 음극현수봉에 의해 음극으로부터 음극현수장치로의 열전달을 차단하여 음극 전체의 온도가 균일하게 2000℃이상으로 유지되게 하는 한편 음극의 형상을 변형시켜 자체 발열이 증가되도록 하여 플라즈마의 형성을 안정화시킨 가운데 다이아몬드의 합성을 수행하도록 구성되어 있다. 본 발명은 음극 전 체의 온도를 고상탄소의 형성온도 이상으로 균일하게 유지시킴에 의해 플라즈마의 안정화를 기할 수있고, 음극의 탄화에 의한 음극표면층의 벗겨짐(spalling)현상을 방지할 수 있어 음극의 수명을 증가시 킬 수 있는 효과가 있다.
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번호
이름
국적
주소
1
한국과학기술연구원
대한민국
서울특별시 성북구
발명자
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번호
이름
국적
주소
1
이재갑
대한민국
서울특별시노원구
2
백영준
대한민국
서울특별시노원구
3
은광용
대한민국
서울특별시송파구
대리인
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번호
이름
국적
주소
1
박장원
대한민국
서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)
최종권리자
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번호
이름
국적
주소
1
한국과학기술연구원
대한민국
서울특별시성북구
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번호
서류명
접수/발송일자
처리상태
접수/발송번호
1
대리인선임신고서 Notification of assignment of agent
1993.11.06
수리 (Accepted)
1-1-1993-0120892-17
2
출원심사청구서 Request for Examination
1993.11.06
수리 (Accepted)
1-1-1993-0120893-52
3
특허출원서 Patent Application
1993.11.06
수리 (Accepted)
1-1-1993-0120891-61
4
의견제출통지서 Notification of reason for refusal
1996.06.29
발송처리완료 (Completion of Transmission)
1-5-1993-0053822-64
5
명세서등보정서 Amendment to Description, etc.
1996.07.24
수리 (Accepted)
1-1-1993-0120895-43
6
의견서 Written Opinion
1996.07.24
수리 (Accepted)
1-1-1993-0120894-08
7
출원공고결정서 Written decision on publication of examined application
1996.09.25
발송처리완료 (Completion of Transmission)
1-5-1993-0053823-10
8
등록사정서 Decision to grant
1997.01.14
발송처리완료 (Completion of Transmission)
1-5-1993-0053824-55
9
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
1999.01.08
수리 (Accepted)
4-1-1999-0002352-05
10
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
1999.01.18
수리 (Accepted)
4-1-1999-0008675-76
11
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
1999.02.01
수리 (Accepted)
4-1-1999-0025779-69
12
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
1999.03.03
수리 (Accepted)
4-1-1999-0041039-77
13
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
1999.05.26
수리 (Accepted)
4-1-1999-0075472-64
14
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2000.02.03
수리 (Accepted)
4-1-2000-0014117-45
15
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2002.03.02
수리 (Accepted)
4-1-2002-0020822-81
16
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2009.12.15
수리 (Accepted)
4-1-2009-5247056-16
17
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2014.02.19
수리 (Accepted)
4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호
청구항
1
1
반응용기 내부의 음극과 양극 사이에서 플라즈마를 형성시켜 원료가스를 분해함으로써 기판 위에 다이아몬드를 합성시키는 직류방전 플라즈마 화학증착법에 있어서, 음극으로부터 음극현수장치로의 열흐름을 차단하여 음극 전체의 온도를 고상탄소 형성온도 이상으로 균일하게 유지시켜 안정된 플라즈마가 형성되도록 함을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 합성방법
2
2
제1항에 있어서, 음극과 음극홀더 사이를 연결하는 음극현수봉의 단면적을 음극보다 작은 크기로 형성하여 음극으로부터 음극현수장치로의 열흐름을 차단함을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 합성방법
3
3
제1항에 있어서, 음극은 텅스텐 카바이드(WC), 탄탈륨 카바이드(TaC) 또는 타이타늄 카바이드(TiC)등의 고융점 탄화물 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 합성방법
4
4
제1항에 있어서, 음극은 원형 저면을 갖는 돔형태인 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 합성방법
5
5
제1항에 있어서, 음극은 원판상 본체의 내부로 복수개의 수직통공이 형성되어 이루어짐을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 합성방법
6
6
제1항에 있어서, 음극은 음극현수봉과의 결합부 주위가 패인 "
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.
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