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질화갈륨/산화갈륨 나노케이블, 나노케이블을 이용한전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015124781
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨(GaN)계 나노선을 이용한 질화갈륨/산화갈륨(Ga2O3) 나노케이블, 이의 제조방법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 질화갈륨 나노선을 열산화하여 제조된 질화갈륨/산화갈륨 나노케이블은 하나의 1차원 나노구조가 반도체/절연체로 구성되어 있기 때문에 전계효과 트랜지스터, 바이오/가스 센서 등에 유리하게 이용될 수 있다.나노케이블, 나노선, 질화갈륨, 산화갈륨, 전계효과
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01B 13/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01) H01B 13/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020060070038 (2006.07.25)
출원인 연세대학교 산학협력단, 주식회사 나노텍
등록번호/일자 10-0826308-0000 (2008.04.23)
공개번호/일자 10-2008-0010062 (2008.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20080430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 주식회사 나노텍 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기 고양시 일산구
2 함문호 대한민국 서울 중랑구
3 차동호 대한민국 경기 과천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김선준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 ** (역삼동) 뉴서울빌딩 *층(리앤김 국제특허법률사무소)
2 이광연 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 ** (역삼동) 뉴서울빌딩 ***호(리앤김국제특허법률사무소)
3 안상정 대한민국 경기도 수원시 영통구 광교로 *** 차세대융합기술연구원 A동 *층(퍼스트앤드포에버특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0535036-46
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0106192-03
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0552139-94
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019743-36
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0395034-96
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0697625-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0759002-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0759003-72
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0603266-40
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0022586-16
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0022587-62
13 보정요구서
Request for Amendment
2008.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0005638-42
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0029867-59
15 등록결정서
Decision to grant
2008.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0061931-71
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5077151-20
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5051690-99
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5051562-53
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2018-0001530-27
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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질화갈륨(GaN)계 나노선; 질화갈륨계 나노선 표면에 형성되며, Al, Ti, Hf 중 어느 하나 이상의 다른 원소가 첨가된 산화갈륨(Ga2O3) 코팅층; 을 포함하여, 반도체/절연체 구조가 하나의 1차원 나노 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨/산화갈륨 나노케이블
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3 3
삭제
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질화갈륨/산화갈륨 나노케이블을 이용한 나노 전계효과 트랜지스터에 있어서, 산화 실리콘이 성장된 실리콘 기판; 실리콘 기판 위에 배열된 질화갈륨/산화갈륨 나노케이블; 나노케이블 양 단의 산화갈륨이 제거된 부분에 증착된 금속; 나노케이블에 중간에 식각된 패턴에 증착된 금속; 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 전계효과 트랜지스터(FET: field effect transistor)
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질화갈륨/산화갈륨 나노케이블을 이용한 나노 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, a) 산화실리콘이 성장된 실리콘 기판에 질화갈륨/산화갈륨 나노케이블을 배열시키고,b) 나노케이블에 식각 마스크를 나노케이블이 배열된 기판에 코팅하고,c) 식각 장치로 나노케이블 양 단의 마스크를 제거하고,d) 에칭으로 양 단의 산화갈륨을 제거하고,e) 식각 장치로 나노 케이블에 패턴을 형성하고, 금속을 증착하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨/산화갈륨 나노케이블을 이용한 나노 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.