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집속이온빔을 이용한 나노패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015125089
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집속이온빔을 이용한 나노패턴 형성방법에 관한 것으로, 가공대상물의 표면에 레지스트층을 형성하는 레지스트형성단계; 집속이온빔을 상기 레지스트층이 형성된 가공대상물의 표면에 조사하여 밀링하는 이온빔가공단계; 및 상기 가공대상물의 표면에 잔존된 레지스트층을 제거하는 레지스트제거단계;를 포함하여 구성됨을 기술적 요지로 하여, 집속이온빔을 이용하여 나노패턴을 형성함에 있어서, 지정면적 내에 보다 조밀하게 패턴을 형성가능하면서도 균일한 사이즈와 일정한 간격으로 형성시킬 수 있는 집속이온빔을 이용한 나노패턴 형성방법에 관한 것이다. 집속이온빔 나노패턴 레지스트 오버랩
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G03F 7/20 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC G03F 7/2004(2013.01) G03F 7/2004(2013.01) G03F 7/2004(2013.01) G03F 7/2004(2013.01) G03F 7/2004(2013.01) G03F 7/2004(2013.01) G03F 7/2004(2013.01) G03F 7/2004(2013.01)
출원번호/일자 1020080008794 (2008.01.28)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0995407-0000 (2010.11.12)
공개번호/일자 10-2009-0082825 (2009.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20101118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상조 대한민국 경기 고양시 일산동구
2 민병권 대한민국 서울 성북구
3 한진 대한민국 서울 서대문구
4 한민희 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0072028-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0042123-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0021508-03
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0166679-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0166677-64
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0242628-45
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0510420-74
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0510421-19
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0455542-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
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가공대상물의 표면에 1차 레지스트층을 형성하는 1차 레지스트형성단계; 상기 1차 레지스트층의 소재와 두께를 고려하여 집속이온빔의 사이즈와 세기를 설정하는 1차 이온빔설정단계; 상기 1차 레지스트층의 소재와 두께를 고려하여 집속이온빔의 이동속도와 변위, 오버랩 정도를 설정하는 1차 공정조건설정단계; 집속이온빔을 상기 1차 레지스트층이 형성된 가공대상물의 표면에 조사하여 밀링하는 1차이온빔가공단계; 상기 가공대상물의 표면에 잔존된 1차 레지스트층을 제거하는 1차레지스트제거단계; 상기 1차레지스트형성단계 내지 1차레지스트제거단계를 통해 1차적으로 패턴이 형성된 상기 가공대상물의 표면에 2차 레지스트층을 재형성하는 2차레지스트형성단계; 상기 2차 레지스트층의 소재와 두께를 고려하여 집속이온빔의 사이즈와 세기를 설정하는 2차이온빔설정단계; 상기 2차 레지스트층의 소재와 두께를 고려하여 집속이온빔의 이동속도와 변위, 오버랩 정도를 설정하는 2차공정조건설정단계; 상기 집속이온빔을 상기 2차 레지스트층이 재형성된 가공대상물의 표면에 조사하여 다시 밀링하는 2차이온빔가공단계; 및 상기 가공대상물의 표면에 재형성된 2차 레지스트층을 제거하는 2차레지스트제거단계를 포함하며 상기 레지스트층은, HSQ(hydrogen silsesquioxane), Silicon oxide, PP(Polypropylane film), PMMA(polymethyl methacrylate), SU-8 포토래지스트 중 적어도 하나를 코팅하여 형성되고, 10nm이상 내지 300nm이하의 두께를 가지며, 표면이 평탄한 형성을 가지는 것을 특징으로 하며, 상기 레지스트제거단계는 솔벤트로 상기 레지스트층을 용해하여 이루어짐을 특징으로 하는 집속이온빔을 이용한 나노패턴 형성방법
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1 산업자원부 산업자원부 산업기술기반조성 마이크로 나노 점선가공 기반구축