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아연 산화물 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015127023
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 순도 99% 이상의 Zn 전구체를 준비하고, 상기 Zn 전구체를 제1 수계 용매와 혼합하고, 혼합된 Zn 전구체 용액에 침전제를 첨가하여 Zn 수화물 침전물을 얻고, 원심 분리 및 세정 과정을 반복하여 Zn 수화물만을 분리하고, 상기 Zn 수화물에 제2 수계 용매를 혼합하여 코팅 용액을 얻고, 상기 코팅 용액을 기판에 도포하여 박막을 형성하고, 형성된 박막에 마이크로웨이브로 열처리를 하는 단계를 포함하는 아연 산화물 박막 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 저온에서 산화물 반도체 박막을 얻을 수 있고, 이를 이용하여 우수한 특성의 박막 트랜지스터 및 각종 전자 디바이스를 구현할 수 있다. 아연 산화물, 용액 공정, 저온 열처리
Int. CL C01G 9/02 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090066643 (2009.07.22)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1123451-0000 (2012.02.27)
공개번호/일자 10-2011-0009303 (2011.01.28) 문서열기
공고번호/일자 (20120323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문주호 대한민국 서울특별시 서대문구
2 전태환 대한민국 경기도 고양시 일산동구
3 송근규 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이익배 대한민국 제주특별자치도 서귀포시 서호남로 **, ***동 ***호 (서호동)(세광특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0445590-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0022958-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0332747-48
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0491261-54
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0491279-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0099995-33
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
순도 99% 이상의 Zn 전구체를 준비하고, 상기 Zn 전구체를 제1 수계 용매로서 물과 혼합하고, 혼합된 Zn 전구체 용액에 침전제를 첨가하여 Zn 수화물 침전물을 얻고,원심 분리 및 세정 과정을 반복하여 Zn 수화물만을 분리하고, 상기 Zn 수화물에 제2 수계 용매로서 암모니아수를 혼합하여 코팅 용액을 얻고,상기 코팅 용액을 기판에 도포하여 박막을 형성하고, 형성된 박막에 마이크로웨이브로 열처리를 하는 단계를 포함하는아연 산화물 박막 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 Zn 전구체는 Zinc nitrate hexahydrate 또는 Zinc acetate dehydrate 인 것을 특징으로 하는 아연 산화물 박막 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 열처리 온도는 125 ~ 300℃ 의 범위인 아연 산화물 박막 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 침전제는 수산화나트륨인 것을 특징으로 하는 아연 산화물 박막 제조 방법
7 7
순도 99% 이상의 Zn 전구체를 준비하고, 상기 Zn 전구체를 제1 수계 용매로서 물과 혼합하고, 혼합된 Zn 전구체 용액에 침전제를 첨가하여 Zn 수화물 침전물을 얻고,원심 분리 및 세정 과정을 반복하여 Zn 수화물만을 분리하고, 상기 Zn 수화물에 제2 수계 용매로서 암모니아수 및 첨가제를 혼합하여 인쇄용 잉크를 얻고,상기 잉크로 기판에 잉크젯 프린팅하여 인쇄 패턴을 형성하고,상기 인쇄 패턴에 마이크로웨이브로 열처리하는 것을 특징으로 하는 아연 산화물 박막 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 첨가제는 비수계용매, 분산제, 안정화제, 및 코팅성 향상제 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 아연 산화물 박막 제조 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
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