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더미웨이퍼 및 더미웨이퍼의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131536
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 더미 웨이퍼 및 더미 웨이퍼 제조방법에 관한 것으로, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 더미 웨이퍼의 제조방법은 실리콘 인곳의 잉여부분 또는 불량웨이퍼를 수거하여 원료를 준비하는 원료공정단계; 더미 웨이퍼의 소결을 위하여 상기 원료를 분쇄하는 분쇄공정단계; 분쇄된 상기 원료를 고온/고압하에서 소결하여 더미 웨이퍼를 제조하는 소결공정단계를 포함하며, 미세분말 상태로 분쇄된 실리콘 인곳을 사용하여 더미 웨이퍼를 제조 및 사용함으로써 더미 웨이퍼의 교체비용을 감소시킬 수 있으며, 더미 웨이퍼의 표면적을 증가시켜 웨이퍼의 제조공정시 유입되는 불순물이 더미 웨이퍼에 부착되도록 함으로써 웨이퍼의 제조수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02032(2013.01) H01L 21/02032(2013.01)
출원번호/일자 1020080022148 (2008.03.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0097008 (2009.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황성우 대한민국 서울특별시 강남구
2 최루리 대한민국 서울특별시 노원구
3 홍병학 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0173638-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0177594-34
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2013-0091967-20
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0079633-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0266808-67
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 인곳의 잉여부분 또는 불량웨이퍼를 수거하여 원료를 준비하는 원료공정단계; 더미 웨이퍼의 소결을 위하여 상기 원료를 분쇄하는 분쇄공정단계; 분쇄된 상기 원료를 고온/고압하에서 소결하여 더미 웨이퍼를 제조하는 소결공정단계를 포함 하는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 분쇄공정단계는 상기 원료를 0
3 3
제 1항에 있어서, 상기 소결공정단계는 상기 원료를 1300℃에서 1450℃의 온도로 가열사여 상기 더미 웨이퍼를 소결하는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 소결공정단계에서 Ge, GaAs로 이루어진 반도체 첨가제군에서 선택된 하나의 첨가제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 소결공정단계에서 TiSi₂, CoSi₂, Al, CU로 이루어진 도전체 첨가제군에서 선택된 하나의 첨가제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 소결공정단계에서 Al₂O, Ta₂O5, BST, PZT로 이루어진 세라믹 유전체 첨가제군에서 선택된 하나의 첨가제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼 제조방법
7 7
실리콘 인곳의 잉여부분 또는 불량웨이퍼의 분쇄를 통하여 얻어지는 더미 웨이퍼 원료를 고온/고압 소결을 통해 가공하여 제조되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼
8 8
제 7항에 있어서, Ge, GaAs로 이루어진 반도체 첨가제군에서 선택된 하나의 첨가제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼
9 9
제 7항에 있어서, TiSi₂, CoSi₂, Al, CU로 이루어진 도전체 첨가제군에서 선택된 하나의 첨가제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼
10 10
제 7항에 있어서, Al₂O, Ta₂O5, BST, PZT로 이루어진 세라믹 유전체 첨가제군에서 선택된 하나의 첨가제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 고려대학교 산학협력단 창의적연구진흥사업 타임도메인 나노 기능 소자 연구(창의사업)