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유기발광 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132448
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 특정한 화합물로 전자 수송층과 홀 수송층을 증착시킨 유기발광 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 이를 통해 제조된 유기발광 트랜지스터는 공기중에서도 전계이동도가 우수할 뿐 아니라 정공과 전자의 이동도 균형이 뛰어나다.
Int. CL H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01)
출원번호/일자 1020090045582 (2009.05.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1061046-0000 (2011.08.25)
공개번호/일자 10-2010-0127072 (2010.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.25)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종호 대한민국 서울 성북구
2 서훈석 대한민국 서울특별시 성북구
3 장영 중국 서울시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0313218-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0213273-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.08.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0051544-91
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0587841-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0051744-07
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0051745-42
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0448214-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 기판의 하부면에 게이트 전극을 형성하는 단계; 2) 제1 노즐을 구비한 제1 도가니 및 제2 노즐을 구비한 제2 도가니를 포함하는 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 상기 게이트 전극을 형성한 기판을 삽입하는 단계; 3) N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드(N,N'-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide) 화합물을 상기 제1 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하고, 상기 증기화된 화합물을 상기 제1 노즐을 통하여 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 게이트 전극을 형성한 기판의 상부면에 전자 수송층을 증착하는 단계; 4) α,ω-디헥실세시티오펜(α,ω-dihexylsexithiophene) 화합물을 상기 제2 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하고, 상기 증기화된 화합물을 제 2 노즐을 통하여 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 전자 수송층의 상부에 홀 수송층을 증착하는 단계; 및 5) 상기 홀 수송층의 상부에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 n형 실리콘기판; 또는 폴리에테르술폰(PES,polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET,polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC) 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판을 가열하지 않는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 도가니의 온도는 257 ~ 297℃이고, 제2 도가니의 온도는 207 ~ 247℃인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 전자 수송층의 증착두께는 250 ~ 350Å이고, 홀 수송층의 증착두께는 100 ~ 200Å인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 전자 수송층의 증착속도는 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 1) 단계와 2) 단계 사이에 상기 게이트 전극을 형성한 기판의 상부면에 유전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 기판은 전체 공정에서 0V를 유지하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 제1 노즐 및 제2 노즐의 직경은 0
10 10
제1항에 있어서, 상기 3) 단계에서 6 ~ 13
11 11
제1항에 있어서, 상기 5) 단계에서 생성된 소스전극과 드레인 전극의 채널너비는 90 ~ 100 mm, 채널길이는 100 ~ 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 3) 단계와 4) 단계는 순차적으로 수행되거나 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
13 13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 유기발광 트랜지스터
14 14
기판의 하부에 형성된 게이트 전극; 상기 기판의 상부에 형성된 유기막; 및 상기 유기막의 상부에 형성된 소스전극 및 드레인 전극을 포함하는 유기발광 트랜지스터에 있어서, 상기 유기막은 하부로부터 순차적으로 적층된 전자 수송층 및 홀 수송층을 포함하며, 상기 전자 수송층은 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드 화합물을 포함하며, 상기 홀 수송층은 α,ω-디헥실세시티오펜 화합물을 포함하는 유기발광 트랜지스터
15 15
제14항에 있어서, 상기 전자 수송층의 증착두께는 250 ~ 350Å이고, 홀 수송층의 증착두께는 100 ~ 200Å인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
16 16
진공챔버의 내상측에 기판을 고정시키고, 진공챔버의 내하측에 배치된 제1 도가니의 내부에 있는 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드을 가열하는 단계; 상기 가열된 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드가 승화되어 상기 제1 도가니의 상부에 구비된 제1 노즐을 통과하며 제1 클러스터를 형성하는 단계; 상기 기판의 하부에 상기 제1 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계; 상기 진공챔버의 내하측에 배치된 제2 도가니의 내부에 있는 α,ω-디헥실세시티오펜 화합물을 가열하는 단계; 상기 가열된 α,ω-디헥실세시티오펜 화합물이 승화되어 상기 제2 도가니의 상부에 구비된 제2 노즐을 통과하며 제2 클러스터를 형성하는 단계; 상기 기판에 증착된 제1 클러스터층의 하부에 상기 제2 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한국과학재단 국가지정연구실사업(NRL) 과도화학종 검출 및 반응성 분석 연구