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이트리아 안정화 지르코니아를 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135563
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이트리아 안정화 지르코니아를 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가스 센서는 감지전극, 기준전극, 및 상기 감지전극과 기준전극 사이에 개재되는 고체 전해질을 구비하는 가스 센서에 있어서, 상기 기준전극이 이트리아 안정화 지르코니아를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 가스 센서는 감지가스가 기준전극 및 고체 전해질과 반응하는 것을 방지하여 센서의 성능 열화를 방지한다. 가스 센서, YSZ
Int. CL G01N 27/407 (2006.01.01) G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 27/406 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01)
출원번호/일자 1020090025459 (2009.03.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1041324-0000 (2011.06.07)
공개번호/일자 10-2010-0107257 (2010.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20110614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류한일 대한민국 서울 강서구
2 이태원 대한민국 서울특별시 관악구
3 이민수 대한민국 경기도 안양시 만안구
4 김양기 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)나노아이오닉스코리아 강원도 강릉시 과학단지로 ***-**,
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0180119-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0027653-51
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0172877-66
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
감지전극, 기준전극, 및 상기 감지전극과 기준전극 사이에 개재되는 고체 전해질을 구비하는 가스 센서에 있어서, 상기 기준전극은 이트리아 안정화 지르코니아를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 기준전극의 두께는 100 nm 내지 10 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 가스 센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 고체 전해질과 기준전극의 접합부가 노출되지 않도록 상기 고체 전해질과 기준전극의 측면에 코팅층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
4 4
고체 전해질의 일면에 감지전극 형성용 페이스트를 도포하고, 상기 감지전극 형성용 페이스트가 도포된 면과 대향하는 고체 전해질의 다른 일면에 이트리아 안정화 지르코니아를 증착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 증착은 펄스 레이저 증착 또는 스퍼터링에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 고체 전해질과 기준전극의 접합부가 노출되지 않도록 상기 고체 전해질과 기준전극의 측면을 밀봉재로 함께 코팅하는 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
7 7
고체 전해질의 일면에 감지전극 형성용 페이스트를 도포하고, 상기 감지전극 형성용 페이스트가 도포된 면과 대향하는 고체 전해질의 다른 일면에 이트리아 안정화 지르코니아 박막을 열접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 열접착은 950 내지 1150 ℃ 의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 고체 전해질과 기준전극의 접합부가 노출되지 않도록 상기 고체 전해질과 기준전극의 측면을 밀봉재로 함께 코팅하는 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.