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호르몬 센서의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 호르몬 센서

  • 기술번호 : KST2015135875
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 호르몬 센서의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 호르몬 센서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 정계 효과 트랜지스터 기반으로 G 단백질 결합 수용체를 갖는 호르몬을 검출하는 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01) G01N 33/543 (2006.01.01) G01N 33/74 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01)
출원번호/일자 1020110068820 (2011.07.12)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0008217 (2013.01.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박태현 대한민국 서울특별시 서초구
2 장정식 대한민국 서울특별시 강남구
3 안세련 대한민국 인천광역시 남동구
4 권오석 대한민국 서울특별시 관악구
5 송현석 대한민국 경기도 화성시 고향의봄
6 박선주 대한민국 서울특별시 관악구
7 이상훈 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태선 대한민국 서울(해산으로 인한 퇴사 후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0533023-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.09.04 수리 (Accepted) 9-1-2012-0070030-05
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0756571-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0125410-01
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0212773-77
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0212765-12
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0494919-28
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0747832-76
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.08.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0747876-74
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0595521-52
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.10.01 수리 (Accepted) 7-1-2013-0038859-52
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
17 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.12.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-1182572-96
18 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0175755-49
19 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1258481-44
20 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0185097-94
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 표면에 아민기를 도입하는 단계;상기 아민기가 도입된 기판 표면에 전도성 고분자 나노 구조체를 고정시키는 단계; 및상기 기판 표면에 고정된 전도성 고분자 나노 구조체에 호르몬 수용체를 부착시키는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 아민기를 도입하는 단계에서는 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란 및 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 및 3-아미노프로필트리에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 아민기-함유 실란 커플링제로 기판을 처리함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 피롤, 아닐린, 싸이오펜 및 그 유도체들인 피롤-2-카르복실산(pyrrole-2-carboxylic acid), 피롤-3-카르복실산(pyrrole-3-carboxylic acid), 피롤-2-설포닉산(pyrrole-2-설포닉산), 2-아민벤조익산(2-aminobenzoic acid), 3-아민벤조익산(3-aminobenzoic acid), 아닐린-2-설포닉산(aniline-2-sulfonic acid), 싸이오펜-2-카르복실산(thiophene-2-carboxylic acid), 및 싸이오펜-3-카르복실산(thiophene-3-carboxylic acid)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 단량체의 중합체인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 아민기가 도입된 기판 표면에 전도성 고분자 나노 구조체를 고정시키는 단계에서는 상기 기판 표면의 아민기와 상기 전도성 고분자 나노 구조체의 이온 전도성 작용기와의 축합 반응에 의하여 상기 전도성 고분자 나노 구조체가 상기 아민기가 도입된 기판 표면에 고정되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 전도성 고분자 나노 구조체의 이온 전도성 작용기는 카르복시산 또는 카르복시산염인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 호르몬 수용체는 부갑상선 호르몬, 부신피질자극호르몬 방출 인자, 아데노신, 칼시토닌, 성장호르몬-방출 호르몬(GHRH), PACAP, 세크레틴, 혈관작용 장관 폴리펩티드(VIP), 이뇨 호르몬, EMR1, 라트로필린, 뇌-특이적 혈관형성 억제제(BAI), 카드헤린, EGF, LAG, (CELSR)의 수용체인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 나노튜브, 나노와이어, 나노로드, 나노리본, 나노필름, 나노볼 및 나노파티클 인 것인 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 나노 구조체의 지름은 20 nm 내지 50 nm 인 것인 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서의 제조 방법
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나의 제조 방법에 의하여 제조되고, 기판; 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 소스 전극, 드레인 전극;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 접촉하면서 상기 기판 상부에 증착된 전도성 고분자 나노 구조체; 및 상기 전도성 고분자 나노 구조체에 공유 결합된 호르몬 수용체 단백질;을 포함하는 전계 효과 트랜지스터 기반 호르몬 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 ETRI (한국전자통신연구원) 신기술융합형 성장동력사업 진단용 후각/미각 수용체 제조 및 수용체 기반 센서용 나노융합구조 개발