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루세늄 박막 증착방법

  • 기술번호 : KST2015136777
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 원자층 증착법으로 증착하여 단차 피복성이 향상된 루세늄 박막을 증착하기 위해서 본 발명의 실시 예에 따른 루세늄 박막 증착방법은 온도가 140℃ 내지 170℃인 기판 상에 루세늄 전구체를 공급하는 제 1 단계; 상기 루세늄 전구체를 퍼지시키는 불활성 기체를 공급하는 제 2 단계; 상기 루세늄 전구체를 환원시키는 기체를 공급하는 제 3 단계; 및 상기 기판 상에 증착 후 남은 상기 루세늄 전구체를 퍼지시키는 퍼지가스를 공급하는 제 4 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
CPC C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01)
출원번호/일자 1020140030845 (2014.03.17)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1540881-0000 (2015.07.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울 강남구
2 안철현 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0252857-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0005705-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0163095-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0379212-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0379201-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 등록결정서
Decision to grant
2015.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0464800-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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온도가 140℃ 내지 170℃이고, 실리콘(Si) 상에 탄탈륨 산화물(Ta2O5)이 형성된 기판 상에 루세늄 전구체를 공급하는 제 1 단계;상기 루세늄 전구체를 퍼지시키는 불활성 기체를 공급하는 제 2 단계;상기 루세늄 전구체를 환원시키는 기체를 공급하는 제 3 단계; 및상기 기판 상에 증착 후 남은 상기 루세늄 전구체를 퍼지시키는 퍼지가스를 공급하는 제 4 단계를 포함하는 루세늄 박막 증착방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계에 공급되는 루세늄 전구체는 무기물 전구체인 것을 포함하는 루세늄 박막 증착방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계에 공급되는 루세늄 전구체는 루세늄사산화물(RuO4)인 것을 포함하는 루세늄 박막 증착방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에 공급되는 불활성 기체는 아르곤(Ar)가스인 루세늄 박막 증착방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 3 단계에 상기 루세늄 전구체를 환원시키는 기체는 95%의 질소와 5%의 수소의 혼합가스인 루세늄 박막 증착방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 각 단계는 공정압력이 2 ~ 3 torr 인 챔버 내에서 수행되는 것을 포함하는 루세늄 박막 증착방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 4 단계에 공급되는 상기 기판 상에 증착 후 남은 상기 루세늄 전구체를 퍼지시키는 퍼지가스는 아르곤(Ar)가스인 루세늄 박막 증착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.