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나노 부유게이트형 비휘발성 메모리소자

  • 기술번호 : KST2015140724
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 부유게이트형 비휘발성 메모리소자에 관한 것으로서, 물리적 기상 증착법 및 화학적 반응을 이용하여 제조한 금속 및 금속 산화물 나노입자층을 고유전 물질과 실리콘 산화막의 터널장벽 절연막과 컨트롤 절연막 사이에 형성하여 제조하되, 반도체 기판을 준비하는 단계와, 상기 반도체 기판 위에 비대칭형 터널장벽 절연막을 형성하는 단계와, 상기 비대칭형 터널장벽 절연막 위에 금속 및 금속 산화물 나노입자층을 형성하여 나노 양자점을 형성시키는 단계와, 상기 나노입자층 위에 비대칭형 컨트롤 절연막을 형성하여 금속 및 금속 산화물 나노 부유 게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 나노 부유게이트형 비휘발성 메모리소자에 관한 것이다.비휘발성, 메모리소자, 금속 나노입자층, 금속산화물 나노입자층, 터널장벽 절연막, 컨트롤 절연막, 부유게이트
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020060067203 (2006.07.19)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0862634-0000 (2008.10.02)
공개번호/일자 10-2008-0007939 (2008.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20081009) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울 마포구
2 조원주 대한민국 서울 노원구
3 이동욱 대한민국 서울 성동구
4 이민승 대한민국 인천 부평구
5 김재훈 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0511799-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0032390-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0398960-64
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0665857-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0759359-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0759358-64
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0026048-68
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0075493-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0245793-80
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0245830-82
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0398261-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 위치하는 절연층;상기 절연층 상에 위치하며, 소스, 드레인 및 채널 영역을 포함하는 실리콘층;상기 실리콘층 상에 위치하는 제 1 및 제 2 터널장벽 절연막;상기 제 2 터널장벽 절연막 상에 위치하며, 금속 및 금속 산화물 나노입자층을 포함하는 나노 부유 게이트; 및 상기 나노 부유 게이트 상에 위치하며, 제 1 및 제 2 컨트롤 절연막을 포함하는 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제 1 터널장벽 절연막 및 제 2 컨트롤 절연막은 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(SiO2
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제 1 터널장벽 절연막의 두께와 상기 제 2 터널장벽 절연막의 두께의 합은 6 내지 8 nm 이며, 상기 제 1 터널장벽 절연막의 두께는 1 내지 3 nm 이며, 상기 제 2 터널장벽 절연막의 두께는 5~7 nm 인 것을 특징으로 하는 나노 부유게이트형 비휘발성 메모리소자
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제2 터널장벽 절연막 및 상기 제 1 컨트롤 절연막은 산화하프늄(HfO2), 산화지르코늄(ZrO2)의 고유전 물질 중, 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 부유게이트형 비휘발성 메모리소자
5 5
청구항 1에 있어서,상기 금속 및 금속산화물 나노입자층은 입자 크기가 직경 3 ~ 4 nm이고, 밀도 1 x 1012 ~ 5 x 1012 cm-2 이며, 두께 0
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제1 컨트롤 절연막 또는 상기 제 2 컨트롤 절연막의 두께는 5 ~ 10 nm인 것을 특징으로 하는 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리소자
7 7
청구항 1에 있어서,상기 제 1 터널장벽 절연막 및 제 2 컨트롤 절연막, 상기 제 2 터널장벽 절연막 및 제 1 컨트롤 절연막은 각각 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리소자
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패밀리정보가 없습니다
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