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멀티 비트 강유전체 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014042658
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 공정으로 제작이 가능하면서 멀티 비트가 명확히 구현되는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 강유전체 메모리 소자는 하부 전극, 메모리층 및 상부 전극이 차례대로 적층되어 형성된다. 메모리층은 강유전층과 강유전층의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 절연물 패턴을 구비한다. 강유전체, 멀티 비트, PZT, FRAM
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020080136306 (2008.12.30)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1003452-0000 (2010.12.16)
공개번호/일자 10-2010-0078140 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20101228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 광진구
2 김영배 대한민국 경기 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0902314-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058370-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0480052-73
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0800297-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0800294-86
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0569809-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 상부 전극; 및 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 배치되며, 강유전층과 상기 강유전층의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 절연물 패턴을 구비하는 메모리층;을 포함하고, 상기 각 절연물 패턴은 분리되어 독립적인 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자
2 2
하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 상부 전극; 및 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 배치되며, 강유전층과 상기 강유전층의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성된 절연물 패턴을 구비하는 메모리층;을 포함하고, 상기 절연물 패턴은 제1두께를 갖는 제1절연부와 상기 제1두께보다 작은 제2두께를 갖는 제2절연부를 포함하여 이루어진 절연층인 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연물은 SiO2, SiNx, SiONx, Al2O3, HfO2, ZrO2, Y2O3, HfAlO, HfSiO 및 ZrSiO 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 강유전층은 Pb(Zr,Ti)O3(PZT), SrBi2Ta2O9(SBT), (Bi,La)4Ti3O12(BLT) 및 BiFeO3(BFO) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자
5 5
하부 전극 상에 메모리층을 형성하는 단계; 및 상기 메모리층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 메모리층을 형성하는 단계는, 제1두께를 갖는 제1절연부와 상기 제1두께보다 작은 제2두께를 갖는 제2절연부를 포함하여 이루어진 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층의 상부 또는 하부에 강유전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는, 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제2절연막의 일부 영역을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1절연막과 상기 제2절연막은 식각 속도가 서로 다른 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 제1절연막을 형성하는 단계와 상기 제2절연막을 형성하는 단계 사이에 식각 정지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 식각하는 단계 이후에 상기 제1절연막과 제2절연막을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 비트 강유전체 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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