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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141059
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 외부에서 입사된 빛이 반사되어 다시 외부로 방출되는 광손실을 감소시켜서 광흡수율을 개선하고 광전변환 효율을 향상시킨 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 태양 전지는, 기판 위에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 형성되며, 나노 크리스탈이 분산된 광활성층; 및, 상기 광활성층 위에 형성되는 제2 전극을 포함한다. 태양 전지, 유기 소자, 광흡수율, 나노 크리스탈
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090024955 (2009.03.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0106779 (2010.10.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이수환 대한민국 서울 도봉구
3 김달호 대한민국 전라남도 여수시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0177071-40
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0311544-45
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0025238-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0463208-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0834960-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0834959-70
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0351248-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 형성되며, 나노 크리스탈이 분산된 광활성층; 및, 상기 광활성층 위에 형성되는 제2 전극 을 포함하는 태양 전지
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 나노 크리스탈은 금, 알루미늄, 구리, 은, 니켈 또는 그들의 합금, 칼슘/알루미늄 합금, 마그네슘/은 합금, 알루미늄/리튬 합금 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 태양 전지
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 나노 크리스탈은 직경이 1 내지 30nm인 태양 전지
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 광활성층은 전자 공여체와 전자 수용체를 포함하는 태양 전지
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 전자 공여체는 P3HT(폴리(3-헥실티오펜)), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리피리딘, 그리고 이들의 유도체 중 선택된 어느 하나인 태양 전지
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 전자 수용체는 플러렌 또는 플러렌 유도체인 태양 전지
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극과 광활성층 사이에 형성되는 정공 이동층을 포함하는 태양 전지
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 광활성층과 제2 전극 사이에 형성되는 블로킹층 포함하는 태양 전지
9 9
제1 전극과 제2 전극 사이에 광활성층이 형성된 태양 전지 제조 방법으로서, (a) 유기 용매에 전자 공여체와, 전자 수용체, 그리고 나노 크리스탈을 블랜딩(blending)하여 광활성층 재료를 제조하는 단계와, (b) 상기 제조된 광활성층 재료를 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 광활성층으로 형성하는 단계 를 포함하는 태양 전지 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 제1 전극 위에 상기 광활성층 재료를 스핀 코팅한 후, 질소 분위기에서 어닐링하여 수행하는 태양 전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2010110567 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2010110567 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2010110567 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2010110567 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 고신뢰성 PoRam 소자 개발