요약 | 본 발명은 YVO계 형광체 분말의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이용 YVO계 형광체 분말에 관한 것이다. 상기 나노 형광체 분말은 디스플레이용 고휘도의 형광체 분말로서, 입도 분포가 균일하고, 발광 효율이 우수하다. 뿐만 아니라, 단시간에 제조될 수 있고, 생산성 및 경제성이 우수하여, 브라운관(CRT), FED(Field Emission Display), PDP(Plasma Display Panel)를 비롯한 디스플레이용 장치, 각종 조명장치 및 발광기구에 사용될 수 있다. YVO계 형광체 분말, 이트륨(Y), 바나듐(V), 함침, 소성, 재열처리 |
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Int. CL | C09K 11/78 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) C09K 11/82 (2011.01) |
CPC | C09K 11/7777(2013.01) C09K 11/7777(2013.01) C09K 11/7777(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090013478 (2009.02.18) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2010-0094169 (2010.08.26) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 거절 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | 심판사항 |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | 1020110141271; |
심사청구여부/일자 | Y (2009.02.18) |
심사청구항수 | 24 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 윤대호 | 대한민국 | 경기도 수원시 권선구 |
2 | 마사키, 다카키 | 일본 | 경기도 수원시 장안구 |
3 | 부용순 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
4 | 박우정 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
5 | 조덕수 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 권형중 | 대한민국 | 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남) |
2 | 김문재 | 대한민국 | 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남) |
3 | 이종승 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 법원로**길** 에이동 ***호 (문정동, 현대지식산업센터)(리스비특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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최종권리자 정보가 없습니다 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0100728-56 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.10.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.11.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0068316-85 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.01.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0029096-04 |
5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.03.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0197072-13 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.04.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0286399-92 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.04.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0286398-46 |
8 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2011.10.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0616242-87 |
9 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2011.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1028413-94 |
10 | 심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner |
2012.02.01 | 수리 (Accepted) | 7-8-2012-0003182-15 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
14 | 협의요구서 Request for Consultation |
2012.12.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0751192-15 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 YVO계 형광체 분말의 제조 방법에 있어서, (a) 이트륨(Y) 및 바나듐(V)을 포함하는 금속염수용액을 고분자 물질에 함침시키는 단계; (b) 단계 (a)의 함침물을 500 내지 1000℃의 온도로 가열된 로 안에 넣어 소성(calcination)하는 단계; (c) 단계 (b)의 생성물을 1000 내지 1300 ℃까지 가열시켜 재열처리(sintering)시키는 단계; 및 (d) 단계 (c)의 생성물을 염기성 수용액으로 용액처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
2 |
2 형광체 분말의 제조 방법에 있어서, (a) 이트륨(Y) 및 바나듐(V)을 포함하는 금속염수용액을 고분자 물질에 함침시키는 단계; (b) 단계 (a)의 함침물을 500 내지 1000℃의 온도로 가열시켜 소성(calcination)하는 단계; (c) 단계 (b)의 생성물을 1000 내지 1300 ℃까지 가열시켜 재열처리(sintering)시키는 단계; 및 (d) 단계 (c)의 생성물을 염기성 수용액으로 용액처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
3 |
3 형광체 분말의 제조 방법에 있어서, (a) 이트륨(Y) 및 바나듐(V)을 포함하는 금속염수용액을 고분자 물질에 함침시키는 단계; (b) 단계 (a)의 함침물을 1000 내지 1300 ℃의 온도로 가열된 로 안에 넣어 소성(calcination)하는 단계; (c) 단계 (b)의 생성물을 염기성 수용액으로 용액처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
4 |
4 제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (b) 이후 15 내지 30℃의 온도로 냉각되는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
5 |
5 제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (c)가 30분 내지 5시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
6 |
6 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 단계(b)에서 30분 내지 5시간 동안 소성하는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
7 |
7 제6항에 있어서, 단계(b)에서 30분 내지 2시간 동안 소성하는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
8 |
8 제1항 또는 제3항에 있어서, 단계 (a) 이후 10분 이내에 단계 (b)가 이루어지는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
9 |
9 제8항에 있어서, 단계 (a) 이후 30초 이내에 단계 (b)가 이루어지는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
10 |
10 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (a)에서 금속염수용액과 고분자 물질을 1:0 |
11 |
11 제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (d)의 염기성 수용액이 KOH 수용액인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
12 |
12 제3항에 있어서, 단계 (c)의 염기성 수용액이 KOH 수용액인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
13 |
13 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속염이 염 화합물, 질 화합물 또는 황 화합물인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
14 |
14 제14항에 있어서, 상기 금속염이 염 화합물 또는 질 화합물인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
15 |
15 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속염 수용액의 농도가 10 내지 70 중량%인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
16 |
16 제15항에 있어서, 상기 금속염 수용액의 농도가 25 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
17 |
17 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 물질이 셀룰로오스, 펄프 또는 레이온인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
18 |
18 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 형광체 분말이 디스플레이용 나노 형광체 분말인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 제조 방법 |
19 |
19 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 |
20 |
20 제19항에 있어서, 형광체 분말의 입자크기가 50 내지 800nm인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 |
21 |
21 제20항에 있어서, 형광체 분말의 입자크기가 100 내지 300nm인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 |
22 |
22 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 |
23 |
23 제22항에 있어서, 화학식 1에서 0 |
24 |
24 제22항에 있어서, 형광체 분말의 입자크기가 50 내지 800nm인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 |
25 |
25 제24항에 있어서, 형광체 분말의 입자크기가 100 내지 300nm인 것을 특징으로 하는, YVO계 형광체 분말 |
26 |
26 제22항 내지 제25항 중 어느 한 항의 YVO계 형광체 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이용 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | KR1020120013280 | KR | 대한민국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
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등록사항 정보가 없습니다 |
---|
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0100728-56 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.10.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2010.11.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0068316-85 |
4 | 의견제출통지서 | 2011.01.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0029096-04 |
5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.03.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0197072-13 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.04.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0286399-92 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.04.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0286398-46 |
8 | 거절결정서 | 2011.10.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0616242-87 |
9 | [분할출원]특허출원서 | 2011.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1028413-94 |
10 | 심사관의견요청서 | 2012.02.01 | 수리 (Accepted) | 7-8-2012-0003182-15 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
14 | 협의요구서 | 2012.12.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0751192-15 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345096300 |
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세부과제번호 | 과C6A2004 |
연구과제명 | 차세대정보부품소재인력양성사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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1 | 2011101009042 | 2011원9042 | 2009년 특허출원 제0013478호 거절결정불복 | 2011.11.24 | 2012.09.10 |