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유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143243
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트를 사용하여 금속 전극을 전사시켜 유기발광소자를 제조함으로써 보다 저비용으로 보다 단시간에 금속 전극을 형성할 수 있으며 이를 통해 유기발광소자를 완성할 수 있다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01)
출원번호/일자 1020100005883 (2010.01.22)
출원인 성균관대학교산학협력단, 미래나노텍(주), 주식회사 디엠에스
등록번호/일자 10-1121783-0000 (2012.02.22)
공개번호/일자 10-2011-0086255 (2011.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20120322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 미래나노텍(주) 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
3 주식회사 디엠에스 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성민 대한민국 경기도 군포시
2 채희엽 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 미래나노텍(주) 충청북도 청주시 흥덕구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
3 주식회사 디엠에스 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0043646-53
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0088948-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034619-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0222676-03
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0470239-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0470238-77
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0699501-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5204739-33
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.08 수리 (Accepted) 4-1-2014-0103080-04
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5150698-28
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058599-84
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2017-5062440-84
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재층;상기 기재층 상에 적층된 표면 조도(roughness)가 1 nm 이하인 고분자 전사보조층; 및상기 전사보조층 상에 적층된 금속 전사층을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트
2 2
제 1 항에 있어서,상기 고분자 전사보조층은 테플론계 고분자를 사용하여 형성된 것인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 전사층은 칼슘, 알루미늄, 바륨, 마그네슘, 은, 마그네슘-은, 칼슘, 칼슘-은, 은 합금, 알루미늄 합금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 사용하여 형성된 것인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기재층은 고분자 기판 또는 유리 기판인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트
5 5
삭제
6 6
기재층을 준비하고,상기 기재층 상에 플라즈마 처리 공정을 수행하고,상기 기재층 상에 표면 조도(roughness)가 1 nm 이하인 고분자 전사보조층을 적층하고,상기 전사보조층 상에 금속 전사층을 적층하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제 6 항에 있어서,상기 금속 전사층은 진공증착법 또는 액상코팅법을 사용하여 형성하는 것인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트의 제조 방법
9 9
기판 상에 적층된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 적층된 유기 발광층을 포함하는 기판을 준비하고,상기 기판의 유기 발광층 상에 제 1 항에 따른 전사 시트의 금속 전사층이 접촉하도록 상기 기판 및 상기 전사 시트를 정렬(alignment)하고,가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 기판 상에 전사함으로써 금속 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법
10 10
제 1 기판 상에 적층된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 적층된 유기 발광층을 포함하는 제 1 기판을 준비하고,제 1 항에 따른 전사 시트의 금속 전사층을 폴리디메틸실록세인(PDMS)이 적층된 제 2 기판 상에 적층시켜 상기 폴리디메틸실록세인층 상에 상기 금속 전사층을 1 차 전사시키고,상기 제 1 기판의 유기 발광층 상에 상기 금속 전사층이 접촉하도록 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 정렬하고, 가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 제 1 기판 상에 2 차 전사하여 금속 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법
11 11
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 유기 발광층은 Bu4NBF4, LiBr, LiClO4 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 염으로 도핑된 것인, 유기발광소자의 제조 방법
12 12
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 가열 온도는 50℃ 이상이며, 상기 가압되는 압력은 1 기압 이상인, 유기발광소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교산학협력단 에너지자원기술개발사업 초저가 유기 면광원 조명 시스템 개발